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    • 4. 发明申请
    • MICROSTRUCTURE FOR A SEEBECK EFFECT THERMOELECTRIC GENERATOR, AND METHOD FOR MAKING SUCH A MICROSTRUCTURE
    • 用于SEEBECK效应的热电发生器的微结构以及用于制造这种微结构的方法
    • WO2010142880A3
    • 2011-02-03
    • PCT/FR2010050904
    • 2010-05-11
    • COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUEMINGO BISQUERT NATALIOCAROFF TRISTANPLISSONNIER MARCREMONDIERE VINCENTWANG SHIDONG
    • MINGO BISQUERT NATALIOCAROFF TRISTANPLISSONNIER MARCREMONDIERE VINCENTWANG SHIDONG
    • H01L35/32H01L35/34
    • H01L35/32H01L35/34
    • The invention relates to a method for making a thermoelectric microstructure (10), including: forming an insulating substrate (12) provided with a first (18) and a second (20) connection area; forming, on the substrate (12), a first assembly of conductor or semiconductor elements (14) extending in parallel and in a first direction from the first (18) to the second (20) connection area, and having a first Seebeck coefficient; forming, on the substrate (12), a second assembly of conductor or semiconductor elements (22) electrically insulated from the first assembly and extending in parallel and in a second direction other than the first one, from the first (18) to the second (20) connection area, and having a second Seebeck coefficient other than the first one; providing, in the first and second connection areas (18, 20), electric connection elements (24), each of which electrically connects at least one element (14) of the first assembly with at least one element (22) of the second assembly; wherein two conductor or semiconductor elements (14, 22) of a single assembly are separated in a predetermined direction by a predetermined average distance (d1, d2) in the connection areas (18, 20); the average dimension (P) of the connection elements (24) in the predetermined direction is greater than the maximum of the average distances (d1, d2) between the elements of a single assembly; and the distance (E) in the predetermined direction between the edges of two connection elements (24) is less than the minimum of the average distances (d1, d2) between the elements of a single assembly.
    • 本发明涉及一种制造热电微结构(10)的方法,包括:形成设置有第一(18)和第二(20)连接区域的绝缘基板(12) 在所述基板(12)上形成从所述第一(18)到所述第二(20)连接区域平行延伸并且沿第一方向延伸的导体或半导体元件(14)的第一组件,并且具有第一塞贝克系数; 在所述基板(12)上形成导体或半导体元件(22)的第二组件,所述导体或半导体元件(22)从所述第一组件(18)至所述第二组件(22)与所述第一组件电绝缘并且平行且沿除第一组件之外的第二方向延伸 (20)连接区域,并且具有除了第一个塞贝克系数之外的第二塞贝克系数; 在第一和第二连接区域(18,20)中提供电连接元件(24),每个电连接元件(24)将第一组件的至少一个元件(14)与第二组件的至少一个元件(22)电连接 ; 其中单个组件的两个导体或半导体元件(14,22)在连接区域(18,20)中沿预定方向分开预定的平均距离(d1,d2); 连接元件(24)在预定方向上的平均尺寸(P)大于单个组件的元件之间的平均距离(d1,d2)的最大值; 并且两个连接元件(24)的边缘之间的预定方向上的距离(E)小于单个组件的元件之间的平均距离(d1,d2)的最小值。
    • 8. 发明专利
    • Microestructura para generador termoeléctrico con efecto Seebeck y procedimiento de fabricación de la misma
    • ES2406262T3
    • 2013-06-06
    • ES10731766
    • 2010-05-11
    • COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
    • MINGO BISQUERT NATALIOCAROFF TRISTANPLISSONNIER MARCREMONDIERE VINCENTWANG SHIDONG
    • H01L35/32H01L35/34
    • Procedimiento de fabricación de una microestructura termoeléctrica (10) con efecto Seebeck, que presenta las etapas siguientes: - formación de un soporte aislante (12) dotado de una primera (18) y una segunda (20) zonas de conexión; - formación sobre el soporte (12) de un primer conjunto de elementos conductores o semiconductores (14) 5 que se extienden paralelamente entre sí y según una primera dirección, desde la primera zona de conexión (18) a la segunda zona de conexión (20), presentando dichos elementos (14) un primer coeficiente Seebeck; - formación sobre el soporte (12) de un segundo conjunto de elementos conductores o semiconductores (22) aislados eléctricamente de los elementos (14) del primer conjunto que se extienden paralelamente entre sí y según una segunda dirección diferente de la primera dirección, de la primera zona de conexión (18) a la segunda zona de conexión (20), presentando los elementos (22) del segundo conjunto un segundo coeficiente Seebeck diferente del primer coeficiente Seebeck; y - realización en la primera y segunda zonas de conexión (18, 20) del soporte de elementos de conexión eléctrica (24), cuyas dimensiones (P) son seleccionadas, de manera que cada uno de dichos elementos de conexión es apropiado para conectar eléctricamente, por lo menos, un elemento (14) del primer conjunto con, como mínimo, un elemento (22) del segundo conjunto, en el que - dos elementos conductores o semiconductores (14, 22) de un mismo conjunto están separados, según una dirección predeterminada, en una distancia (d1, d2) media predeterminada en las zonas de conexión (18, 20); y - la distancia (E), según la dirección predeterminada, entre los bordes de dos elementos de conexión (24) es inferior al mínimo de las distancias (d1, d2) medias que separan los elementos de un mismo conjunto, caracterizado porque - la dimensión (P) de los elementos de conexión (24), según la dirección predeterminada, es como media superior a dos veces el máximo de las distancias (d1, d2) medias que separan los elementos de un mismo conjunto.