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1. 发明专利

FR3058162B1 PROCEDE DE DEPOT DE FILMS MINCES DE CHALCOGENURE 未知
公开(公告)号：FR3058162B1
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：FR1660583
申请日：2016-11-02
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人： GASSILLOUD REMY
IPC分类号： C23C16/455
摘要： Dispositif de dépôt d'au moins film mince radicalaire de chalcogénure sur un élément à traiter comportant une zone d'admission (4), une zone de diffusion (6) recevant l'élément (P) à traiter, la zone d'admission (4) et la zone de diffusion (6) s'étendant le long d'un axe longitudinal (Z), une source d'hydrogène radicalaire (8) connectée à la zone d'admission (4), des moyens de pompage (19), des moyens d'injection d'un réactant réagissant avec l'hydrogène radicalaire pour former de H2S, des moyens d'alimentation de la zone de diffusion en un précurseur. Les moyens d'injection injectent le réactant dans une zone centrale de la zone d'admission (4) dans la direction longitudinale au sein du flux d'hydrogène radicalaire. Les moyens de pompage (19) sont commandés pour fonctionner pendant l'injection de réactant et g génèrent un écoulement du H2S le long de l'élément à traiter (P) afin d'activer ledit élément pour l'absorption du précurseur.

2. 发明专利

FR2957458B1 PROCEDE DE REALISATION D'UNE ELECTRODE CONDUCTRICE 未知
公开(公告)号：FR2957458B1
公开(公告)日：2012-09-07
申请号：FR1051832
申请日：2010-03-15
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人： GASSILLOUD REMY , MARTIN FRANCOIS
IPC分类号： H01L21/44 , H01L21/328 , H01L21/70

3. 发明专利

FR3019376B1 DISPOSITIF DE MEMOIRE VIVE RESISTIVE 未知
公开(公告)号：FR3019376B1
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：FR1452573
申请日：2014-03-26
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , ALTIS SEMICONDUCTOR SNC
发明人： MOLAS GABRIEL , BLAISE PHILIPPE , DAHMANI FAIZ , GASSILLOUD REMY , VIANELLO ELISA
IPC分类号： H01L27/04 , G11C11/34

4. 发明专利

FR3019376A1 DISPOSITIF DE MEMOIRE VIVE RESISTIVE 未知
公开(公告)号：FR3019376A1
公开(公告)日：2015-10-02
申请号：FR1452573
申请日：2014-03-26
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , ALTIS SEMICONDUCTOR SNC
发明人： MOLAS GABRIEL , BLAISE PHILIPPE , DAHMANI FAIZ , GASSILLOUD REMY , VIANELLO ELISA
IPC分类号： H01L27/04 , G11C11/34
摘要： L'invention concerne un dispositif (10) de mémoire vive résistive comportant : - une première électrode (1 1) en matériau inerte ; - une deuxième électrode (17) en matériau soluble ; - un électrolyte solide (12), les première et deuxième électrodes (11, 17) étant respectivement en contact avec l'une des faces de l'électrolyte (12) de part et d'autre dudit électrolyte, la deuxième électrode (17) étant apte à fournir des ions mobiles (15) circulant dans l'électrolyte solide (12) vers la première électrode (11) pour former un filament conducteur entre les première et deuxième électrodes lorsqu'une tension est appliquée entre les première et deuxième électrodes ; l'électrolyte solide (12) comportant une région réalisée en un oxyde d'un premier métal, dit « premier oxyde métallique », ladite région étant dopée par un deuxième métal, distinct du premier métal et apte à former un deuxième oxyde métallique, ledit deuxième métal étant choisi de sorte que le premier oxyde métallique dopé par le deuxième métal présente une énergie de bande interdite inférieure ou égale à l'énergie de bande interdite du premier oxyde métallique non dopé par le deuxième métal.

5. 发明专利

FR2957458A1 PROCEDE DE REALISATION D’UNE ELECTRODE CONDUCTRICE 未知
公开(公告)号：FR2957458A1
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：FR1051832
申请日：2010-03-15
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人： GASSILLOUD REMY , MARTIN FRANCOIS
IPC分类号： H01L21/44 , H01L21/328 , H01L21/70
摘要： La présente invention concerne un procédé de réalisation d'une électrode conductrice sur un substrat comportant les étapes suivantes : - dépôt d'une couche (213) réalisée dans un matériau diélectrique ; - dépôt sur la couche diélectrique d'une couche de protection (214) réalisée en nitrure d'un métal M ; - dépôt d'une couche de fonctionnalisation (215) réalisée dans un matériau comportant une espèce chimique E telle que l'enthalpie libre de formation du nitrure de cette espèce soit inférieure, en valeur absolue, à l'enthalpie libre de formation du nitrure de métal M de ladite couche de protection (214) sur une gamme de température comprise entre 0 et 1200°C ; - recuit (218) de l'ensemble comportant ladite couche de protection (214) et ladite couche de fonctionnalisation (215) de sorte que les espèces E diffusent de la couche de fonctionnalisation (215) vers la couche de protection (214) et les atomes d'azote migrent de la couche de protection (214) vers la couche de fonctionnalisation (215).

6. 发明专利

FR3076074A1 PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF TRAVERSANT 未知
公开(公告)号：FR3076074A1
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：FR1762757
申请日：2017-12-21
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人： CHARPIN-NICOLLE CHRISTELLE , GASSILLOUD REMY , PERSICO ALAIN
IPC分类号： H01L21/768 , H01L27/115
摘要： La présente invention concerne un procédé de réalisation (11) d'un via (3) au travers d'une couche de base (1) d'un dispositif microélectronique, comprenant une formation d'un trou (2) débouchant sur au moins sur une première face (11) de la couche de base (1) et un remplissage du trou (2) par au moins un premier matériau de remplissage, caractérisé en ce qu'il comprend un enlèvement au moins partiel du au moins un premier matériau de remplissage sur une profondeur depuis la première face (11) de la couche de base (1), la profondeur étant strictement inférieure à une dimension en épaisseur du trou (2), de sorte à produire une portion en creux (5), et en ce qu'il comprend un deuxième remplissage, au moins partiel, de la portion en creux (5) par au moins un deuxième matériau de remplissage.

7. 发明专利

FR3031416B1 CELLULE MEMOIRE NON VOLATILE RESISTIVE ET SON PROCEDE DE FABRICATION 未知
公开(公告)号：FR3031416B1
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：FR1550049
申请日：2015-01-06
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人： GASSILLOUD REMY , BERNARD MATHIEU
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L21/285 , H01L21/316

8. 发明专利

FR3033664A1 TRANSISTOR A HETEROJONCTION A TENSION DE SEUIL AJUSTABLE 未知
公开(公告)号：FR3033664A1
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：FR1551964
申请日：2015-03-10
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , ALCATEL LUCENT , THALES SA
发明人： ESCOFFIER RENE , MORVAN ERWAN , GASSILLOUD REMY , BUCKLEY JULIEN
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/792
摘要： L'invention concerne un transistor à effet de champ (1) à haute mobilité électronique, comprenant : -des première et deuxième couches semiconductrices (12, 13) superposées pour former une couche de gaz d'électrons (14) à leur interface; -une grille de commande (2) formée sur la deuxième couche semiconductrice (13) ; Dans lequel la grille de commande (2) comprend : -une première couche d'oxyde de grille (22) ; -des nanocristaux (23) de matériau conducteur ou semi-conducteur, les nanocristaux présentant une charge électrostatique, lesdits nanocristaux étant isolés électriquement les uns des autres par la première couche d'oxyde de grille ; -un métal de grille (21) formé sur la première couche d'oxyde de grille (22).

9. 发明专利

FR3058162A1 PROCEDE DE DEPOT DE FILMS MINCES DE CHALCOGENURE 未知
公开(公告)号：FR3058162A1
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：FR1660583
申请日：2016-11-02
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人： GASSILLOUD REMY
IPC分类号： C23C16/455
摘要： Dispositif de dépôt d'au moins film mince radicalaire de chalcogénure sur un élément à traiter comportant une zone d'admission (4), une zone de diffusion (6) recevant l'élément (P) à traiter, la zone d'admission (4) et la zone de diffusion (6) s'étendant le long d'un axe longitudinal (Z), une source d'hydrogène radicalaire (8) connectée à la zone d'admission (4), des moyens de pompage (19), des moyens d'injection d'un réactant réagissant avec l'hydrogène radicalaire pour former de H2S, des moyens d'alimentation de la zone de diffusion en un précurseur. Les moyens d'injection injectent le réactant dans une zone centrale de la zone d'admission (4) dans la direction longitudinale au sein du flux d'hydrogène radicalaire. Les moyens de pompage (19) sont commandés pour fonctionner pendant l'injection de réactant et g génèrent un écoulement du H2S le long de l'élément à traiter (P) afin d'activer ledit élément pour l'absorption du précurseur.

10. 发明专利

FR3031416A1 CELLULE MEMOIRE NON VOLATILE RESISTIVE ET SON PROCEDE DE FABRICATION 未知
公开(公告)号：FR3031416A1
公开(公告)日：2016-07-08
申请号：FR1550049
申请日：2015-01-06
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人： GASSILLOUD REMY , BERNARD MATHIEU
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L21/285 , H01L21/316
摘要： L'invention concerne une cellule mémoire non volatile résistive comprenant un empilement Métal-Isolant-Métal comprenant deux électrodes et un isolant multicouche , placé entre lesdites deux électrodes, comprenant une couche mince d'oxyde permettant une transition résistive et une couche de réservoir de lacunes d'oxygène caractérisée en ce que l'empilement comprend de bas en haut : la électrode inférieure comprenant une couche métallique M1, l'isolant comprenant une couche d'oxyde métallique stœchiométrique I2 et une couche d'oxyde métallique sous stœchiométrique I2p formant ladite couche de réservoir de lacunes d'oxygène, la électrode supérieure comprenant une couche d'oxyde métallique I3 et une couche métallique M4, de sorte que la couche de réservoir de lacunes d'oxygène est intercalée entre deux couches d'oxydes métalliques I2 et I3 stœchiométriques. L'invention trouvera son application dans le domaine possiblement dans toutes les applications déjà couvertes par les mémoires non volatiles existantes ; notamment, les mémoires de type Flash. Elle peut aussi remplacer les mémoires traditionnelles statiques ou SRAM, de l'anglais « static random access memory ». L'invention trouvera également son application pour la réalisation de structures mémoires de type neuro-morphique ou pour des mémoires CBRAM pour l'acronyme anglais « Conductive Bridge Ramdom Access Memory ».

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