专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2006064106A1 PROCEDE DE COLLAGE DE DEUX SURFACES LIBRES, RESPECTIVEMENT DE PREMIER ET SECOND SUBSTRATS DIFFERENTS 审中-公开
标题翻译：用于连接两个自由表面的方法，与第一和第二不同基板相对应
公开(公告)号：WO2006064106A1
公开(公告)日：2006-06-22
申请号：PCT/FR2005/003049
申请日：2005-12-06
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , KOSTRZEWA, Marek , DI CIOCCIO, Léa , DELAPIERRE, Guillaume
发明人： KOSTRZEWA, Marek , DI CIOCCIO, Léa , DELAPIERRE, Guillaume
IPC分类号： C09J5/02
CPC分类号： C09J5/02
摘要： Un procédé de collage de deux surfaces libres, respectivement de premier et second substrats différents, comporte au moins les étapes suivantes : une étape de formation, sur la surface libre du premier substrat, d'une couche mono-moléculaire auto-assemblée constituée par un composé thiol de type SH-R-X, où -R est une chaîne carbonée et -X est un groupement choisi parmi -H, -OH et -COOH, au moins ladite surface libre du premier substrat étant constituée d'un matériau apte à former des liaisons moléculaires avec le groupement -SH du composé thiol ; une étape de préparation de la surface libre du second substrat consistant à. saturer la surface libre du second substrat en groupements -H si -X est un groupement -H ou en groupements -OH si -X est un groupement choisi parmi -OH et -COOH ; une étape de mise en contact des deux surfaces libres.
摘要翻译：本发明涉及一种分别接合第一和第二不同基板的两个自由表面的方法，包括以下步骤：在第一基板的自由表面上形成自组装单分子层，其由SH- RX型，其中X是选自-H，-OH和-COOH的基团，至少所述第一底物的所述游离表面由能够与硫醇化合物的-SH基形成分子键的材料组成; 制备第二衬底的自由表面，其包括：如果-X是-H基团则用-H饱和第二衬底的自由表面，如果-X是选自-OH和COOH中的基团，则使用-OH饱和; 接触两个自由表面。

2. 发明申请

WO2007006914A1 PROCEDE D'ASSEMBLAGE DE SUBSTRATS PAR DEPOT D'UNE COUCHE MINCE DE COLLAGE D'OXYDE OU DE NITRURE 审中-公开
标题翻译：通过沉积氧化物或氮化物结合层组装衬底的方法
公开(公告)号：WO2007006914A1
公开(公告)日：2007-01-18
申请号：PCT/FR2006/001596
申请日：2006-07-05
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , DI CIOCCIO, Léa , KOSTRZEWA, Marek , ZUSSY, Marc
发明人： DI CIOCCIO, Léa , KOSTRZEWA, Marek , ZUSSY, Marc
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/78 , H01L21/58 , H01L21/98
CPC分类号： H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/2919 , H01L2224/8385 , H01L2224/83894 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01021 , H01L2924/01023 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/01055 , H01L2924/01057 , H01L2924/01061 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/04953 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/01031
摘要： L'invention concerne un procédé d'assemblage par collage moléculaire de deux substrats dont au moins un est réalisé dans un matériau semiconducteur, caractérisé en ce que l'un des substrats, appelé premier substrat, comporte une surface (A) dont au moins une partie est plane et dotée d'une rugosité initiale de surface compatible avec le collage moléculaire, le procédé comportant les étapes suivantes : - dépôt, sur au moins une portion (14a, 14b) de la partie plane de la surface (A) du premier substrat, d'une couche mince (16a, 16b) de collage d'oxyde ou de nitrure d'épaisseur comprise entre 10 et 20 nm pour permettre un collage moléculaire sans étape préalable de polissage, - saturation en groupements hydroxyles de la couche mince de collage, - mise en contact de la couche mince (16a, 16b) de collage saturée en groupements hydroxyles avec une surface (B) du deuxième substrat (10), au moins localement plane en regard de la portion de la partie plane de la surface (A) et saturée en groupements hydroxyles, - collage moléculaire de type hydrophile entre les deux substrats.
摘要翻译：本发明涉及一种用于通过分子键合两个基板组装的方法，其中至少一个由半导体材料制成，其特征在于，称为第一基板的基板之一包括表面（A），其表面至少有一部分是并具有与分子键合相容的初始表面粗糙度。本发明的方法在于在第一衬底的表面平坦部分（A）的至少一个部分（14a，14b）上沉积厚度范围为10至20nm的薄氧化物或氮化物结合层（16a，16b）为了在没有预先抛光的情况下进行分子键合，在使具有羟基的薄接合层饱和的情况下，使由羟基饱和的薄接合层（16a，16b）与第二基板（10）表面（B）接触，相对于表面（A）的平坦部分至少局部平坦并且被羟基饱和并且在所述两个基底之间进行亲水性分子结合。

3. 发明申请

WO2009019266A2 PROCEDE DE TRANSFERT A BASSE TEMPERATURE A PARTIR D'UNE COUCHE DE MOLECULES AUTO-ASSEMBLEES 审中-公开
标题翻译：从自组装分子层中低温转移的方法
公开(公告)号：WO2009019266A2
公开(公告)日：2009-02-12
申请号：PCT/EP2008/060262
申请日：2008-08-05
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , BORDEL, Damien , DI CIOCCIO, Léa , KOSTRZEWA, Marek
发明人： BORDEL, Damien , DI CIOCCIO, Léa , KOSTRZEWA, Marek
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/20 , H01L51/00 , B81C1/00
CPC分类号： H01L21/2007 , H01L21/187 , H01L21/76256 , H01L51/0024
摘要： L' invention concerne un procédé de traitement et/ou de transfert d'au moins une partie d'un substrat initial, ce procédé comportant: - a) l'assemblage d'au moins un substrat initial, et d'un premier support (6) à l'aide d'une couche (4) de molécules auto-assemblées, - b) un traitement dudit substrat initial, et/ou un report d'au moins une partie de ce substrat initial (2) sur un second support (10), - c) une évacuation ou une élimination de ladite couche (4) de molécules auto-assemblées pour permettre le retrait du premier support (6).
摘要翻译：本发明涉及一种处理和/或转移初始底物的至少一部分的方法，该方法包括：a）使用层（4）组装至少一个初始基底和第一支撑体（6））自组装分子，b）处理所述初始衬底，和/或将该初始衬底（2）的至少一部分转移到第二衬底（10），c）排空或消除的所述层（4）的自组装分子，以便允许去除第一支撑件（6）。

4. 发明申请

WO2006043000A2 PROCEDE DE TRANSFERT D'AU MOINS UN OBJET DE TAILLE MICROMETRIQUE OU MILLIMETRIQUE AU MOYEN D'UNE POIGNEE EN POLYMERE 审中-公开
标题翻译：用于通过聚合物手柄传送至少一个微米级或者米勒尺寸对象的方法
公开(公告)号：WO2006043000A2
公开(公告)日：2006-04-27
申请号：PCT/FR2005/050863
申请日：2005-10-18
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , KOSTRZEWA, Marek , DI CIOCCIO, Léa , ZUSSY, Marc
发明人： KOSTRZEWA, Marek , DI CIOCCIO, Léa , ZUSSY, Marc
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L24/29 , H01L24/96 , H01L2221/68322 , H01L2221/68327 , H01L2221/68354 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368 , H01L2224/2919 , H01L2224/8385 , H01L2224/83894 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01061 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/01032
摘要： L'invention concerne un procédé de transfert d'au moins un objet de taille micrométrique ou millimétrique vers un substrat de réception au moyen d'une poignée. Le procédé comprend les étapes suivantes : - fixation d'une poignée en polymère sur ledit objet afin de pouvoir obtenir une structure, constituée de la poignée et de l'objet superposés, déformable, - préparation de surface de la face de l'objet opposée à la poignée en vue de son adhésion sur une face du substrat de réception, - mise en contact et adhésion de ladite face de l'objet sur ladite face du substrat de réception après déformation d'au moins la poignée, - retrait de la poignée en polymère.
摘要翻译：本发明涉及一种通过手柄将至少一个千兆或毫米尺寸的物体转移到接收基板的方法。本发明的方法在于将聚合物手柄固定到所述物体上，使得由叠合的手柄和物体组成的可变形结构可以在制备与把手相对的物体表面以便粘附到物体表面上接收基板面，使所述物体面与所述接收基板面接触，至少在所述手柄变形后将其粘接，并且移除所述聚合物手柄。

5. 发明申请

WO2010023308A1 SUBSTRAT POUR COMPOSANT ÉLECTRONIQUE OU ÉLECTROMÉCANIQUE ET NANOELEMENTS 审中-公开
标题翻译：电子或机电元件和纳米元件的基板
公开(公告)号：WO2010023308A1
公开(公告)日：2010-03-04
申请号：PCT/EP2009/061203
申请日：2009-08-31
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , GOISLARD DE MONSABERT, Thomas , DEGUET, Chrystel , DIJON, Jean , KOSTRZEWA, Marek
发明人： GOISLARD DE MONSABERT, Thomas , DEGUET, Chrystel , DIJON, Jean , KOSTRZEWA, Marek
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L29/06
CPC分类号： F02D13/02 , B81C1/00349 , B82Y10/00 , H01L21/187 , H01L21/76879 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/53276 , H01L25/0657 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L51/001 , H01L51/0045 , H01L2221/1094 , H01L2924/0002 , Y02T10/18 , H01L2924/00
摘要： II s'agit d'un substrat destiné à supporter au moins un composant électronique ou électromécanique (708) et un ou plusieurs nanoéléments, formé d'un support de base (301), d'un système catalytique (302), d'une couche barrière (303), et d'une couche apte à accueillir le composant électronique ou électromécanique (304) en Si monocristallin ou en Ge ou en un mélange de ces matériaux. Le système catalytique (302) repose sur le support de base (301) sans contact avec la couche apte à accueillir le composant électronique ou électromécanique (304) et la couche barrière (303) est placée en sandwich entre le système catalytique (302) et la couche apte à accueillir le composant électronique ou électromécanique (304). Cette couche barrière (303) est sans contact avec le support de base (301).
摘要翻译：本发明涉及用于承载至少一个电子或机电元件（708）和一个或多个纳米元件的衬底，所述纳米元件包括基底载体（301），催化系统（302），阻挡层（303）和层（304），其能够接收电子或机电部件并由单晶Si或Ge或这些材料的混合物制成。催化系统（302）承载在基底载体（301）上，而不接触能够接收电子或机电部件的层（304），并且阻挡层（303）夹在催化系统（302）和层 304），其能够接收电子或机电部件。阻挡层（303）不与基底载体（301）接触。

6. 发明申请

WO2008077796A1 A METHOD OF FABRICATING A MIXED SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：一种混合基板的方法
公开(公告)号：WO2008077796A1
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：PCT/EP2007/063829
申请日：2007-12-12
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , KOSTRZEWA, Marek , LETERTRE, Fabrice
发明人： KOSTRZEWA, Marek , LETERTRE, Fabrice
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： The invention provides a method of fabricating a mixed substrate which comprises the following steps: forming or depositing an insulating layer (2) on a support substrate (1) formed from a semiconductor material the front face (11) of which comprises open cavities (13), in order to fill said cavities with insulating material (21) and to form thereover an upper insulating layer; polishing at least a portion of said upper insulating layer to obtain a thinned insulating layer (22') of a predetermined thickness and perfectly planar; transferring an active layer (31) derived from a source substrate (3) formed from semiconductor material onto said thinned insulating layer (22'); and heat treating in an inert and/or reducing atmosphere, the thicknesses of the active layer (31) and of the thinned insulating layer (22'), and the temperature and the duration of the heat treatment are selected in order to cause the removal of at least a portion of said thinned insulating layer (22') and only conserve insulating material (21) in the cavities of said support substrate (1).
摘要翻译：本发明提供一种制造混合基板的方法，其包括以下步骤：在由半导体材料形成的支撑基板（1）上形成或沉积绝缘层（2），所述半导体材料的前表面（11）包括开放空腔（13）），以便用绝缘材料（21）填充所述空腔并在其上形成上绝缘层; 抛光所述上绝缘层的至少一部分以获得具有预定厚度并且完全平坦的薄化绝缘层（22'）; 将衍生自由半导体材料形成的源极衬底（3）的有源层（31）转移到所述薄化绝缘层（22'）上; 在惰性和/或还原气氛中进行热处理，选择活性层（31）和薄化绝缘层（22'）的厚度，以及热处理的温度和持续时间，以便除去的所述薄化绝缘层（22'）的至少一部分，并且仅在所述支撑衬底（1）的空腔中保存绝缘材料（21）。

7. 发明申请

WO2009103921A1 PROCÉDÉ D'AJUSTEMENT DE LA TENSION DE SEUIL D'UN TRANSISTOR PAR UNE COUCHE DE PIÉGEAGE ENTERRÉE 审中-公开
标题翻译：通过一个BURIED TRAPPING层调整晶体管的阈值电压的方法
公开(公告)号：WO2009103921A1
公开(公告)日：2009-08-27
申请号：PCT/FR2009/050212
申请日：2009-02-11
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , ANDRIEU, François , AUGENDRE, Emmanuel , CLAVELIER, Laurent , KOSTRZEWA, Marek
发明人： ANDRIEU, François , AUGENDRE, Emmanuel , CLAVELIER, Laurent , KOSTRZEWA, Marek
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/792
CPC分类号： H01L29/42348 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/792
摘要： Le procédé comporte, pour la réalisation d'un sous-ensemble électronique : une étape d'assemblage d'une couche de semi-conducteur (103) portant au moins un premier transistor (110) à tension de seuil ajustable et d'une couche d'isolant (102, 105) et; une étape de formation dans la couche d'isolant, à une première profondeur prédéterminée, d'une première zone de piégeage (220) s'étendant au moins sous un canal dudit premier transistor et comportant des pièges avec une densité supérieure à la densité de pièges à l'extérieur de ladite première zone de piégeage de telle manière que la couche de semi-conducteur et la première zone de piégeage soient en couplage capacitif, l'information utile dudit premier transistor étant le transport des charges au sein de ce transistor. Dans des modes de réalisation, on forme une deuxième zone de piégeage s'étendant au moins sous un canal d'un deuxième transistor par une deuxième implantation avec une énergie et/ou une dose et/ou des atomes différents de ceux utilisés pour la première zone de piégeage.
摘要翻译：该方法包括用于生产电子组件的装配步骤，其中至少具有可调阈值电压的第一晶体管（110）的半导体层（103）连接到绝缘体层（102,105） ; 以及形成步骤，其中在预定的第一深度处在所述绝缘层中形成第一捕获区（220），所述第一捕获区至少在所述第一晶体管的沟道下方延伸，并具有比密度陷阱在所述第一捕获区之外，使得半导体层和第一捕获区电容耦合，来自所述第一晶体管的有用信息是该晶体管内的电荷传输。在某些实施例中，至少在第二晶体管的沟道下方延伸的第二捕获区通过具有与用于第一捕获区的那些不同的能量和/或剂量和/或原子的第二注入形成。

8. 发明公开

EP1833938A1 PROCEDE DE COLLAGE DE DEUX SURFACES LIBRES, RESPECTIVEMENT DE PREMIER ET SECOND SUBSTRATS DIFFERENTS 有权
标题翻译：方法的第二基板的连接两个自由表面分别在第一
公开(公告)号：EP1833938A1
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：EP05824586.1
申请日：2005-12-06
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
发明人： KOSTRZEWA, Marek , DI CIOCCIO, Léa , DELAPIERRE, Guillaume
IPC分类号： C09J5/02
CPC分类号： C09J5/02
摘要： The invention concerns a method for bonding two free surfaces, respectively of first and second different substrates, comprising the following steps: forming, on the free surface of the first substrate, a self-assembled monomolecular layer consisting of a thiol compound of the SH-R-X type, where X is a group selected among -H, -OH and -COOH, at least said free surface of the first substrate consisting of a material capable of forming molecular bonds with the -SH group of the thiol compound; preparing the free surface of the second substrate which consists in: saturating the free surface of the second substrate with -H if -X is a -H group or with -OH if -X is a group selected among -OH and COOH; contacting the two free surfaces.

9. 发明公开

EP1803152A2 PROCEDE DE TRANSFERT D'AU MOINS UN OBJET DE TAILLE MICROMETRIQUE OU MILLIMETRIQUE AU MOYEN D'UNE POIGNEE EN POLYMERE 审中-公开
标题翻译： METHOD FOR至少一个对象以微米或毫米级的传输由Polymer HANDLE装置
公开(公告)号：EP1803152A2
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：EP05815527.6
申请日：2005-10-18
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
发明人： KOSTRZEWA, Marek , DI CIOCCIO, Léa , ZUSSY, Marc
IPC分类号： H01L21/68
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L24/29 , H01L24/96 , H01L2221/68322 , H01L2221/68327 , H01L2221/68354 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368 , H01L2224/2919 , H01L2224/8385 , H01L2224/83894 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01061 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/01032
摘要： The invention relates to a method for transferring at least one micrometer or millimeter sized object to a reception substrate by means of a handle. The inventive method consists in fixing a polymer handle to said object in such a way that a deformable structure consisting of the superimposed handle and object is obtainable, in preparing the surface of the object face which is opposite to the handle for the adhesion thereof to the reception substrate face, in bringing said object face into contact with said reception substrate face, adhering it thereto after the deformation at least of the handle and in removing the polymer handle.

10. 发明公开

EP1900020A1 PROCEDE D'ASSEMBLAGE DE SUBSTRATS PAR DEPOT D'UNE COUCHE MINCE DE COLLAGE D'OXYDE OU DE NITRURE 审中-公开
标题翻译：方法，通过沉积薄氧化物或氮化物BONDSHICHT组装SUBSTRATES
公开(公告)号：EP1900020A1
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：EP06778776.2
申请日：2006-07-05
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
发明人： DI CIOCCIO, Léa , KOSTRZEWA, Marek , ZUSSY, Marc
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/78 , H01L21/58 , H01L21/98
CPC分类号： H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/2919 , H01L2224/8385 , H01L2224/83894 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01021 , H01L2924/01023 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/01055 , H01L2924/01057 , H01L2924/01061 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/04953 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/01031
摘要： The invention relates to a method for assembling by molecular bonding two substrates, at least one of which is made of a semiconductor material characterised in that one of substrates, called a first substrate, comprises a surface (A), whose at least one part is flat and provided with an initial surface roughness compatible with the molecular bonding. The inventive method consists in depositing a thin oxide or nitride bonding layer (16a, 16b), whose thickness ranges from 10 to 20 nm, on at least one portion (14a, 14b) of the surface flat part (A) of the first substrate for carrying out a molecular bonding without pre-polishing, in saturating the thin bonding layer with hydroxyl groups, in bringing the thin bonding layer (16a, 16b) saturated with hydroxyl groups into contact with the second substrate (10) surface (B) which is at least locally flat with respect to the flat part of the surface (A) and saturated with hydroxyl groups and in carrying out a hydrophilic molecular bonding between said two substrates.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式