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1. 发明申请

WO2011064391A1 DISPOSITIF DE CONTRÔLE DE L'ÉTAT D'AVANCEMENT DE LA CRISTALLISATION D'UN BAIN DE MATÉRIAU FONDU DANS UN PROCÉDÉ DE SOLIDIFICATION DIRIGÉE UTILISANT LES ULTRASONS 审中-公开
标题翻译：用于监测使用超声波的方向性固化过程中的材料的熔融结晶进展的装置
公开(公告)号：WO2011064391A1
公开(公告)日：2011-06-03
申请号：PCT/EP2010/068537
申请日：2010-11-30
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE , GARANDET, Jean-Paul , BOTTON, Valery , SALVI, Charles
发明人： GARANDET, Jean-Paul , BOTTON, Valery , SALVI, Charles
IPC分类号： C30B11/00 , C30B35/00 , C30B28/06 , C30B29/06
CPC分类号： C30B11/006 , C30B28/06 , C30B29/06 , C30B35/00
摘要： L'invention concerne un dispositif de contrôle de l'état d'avancement de la cristallisation d'un bain de matériau fondu réalisée dans une enceinte isolante d'un four de cristallisation selon un procédé de solidification dirigée. Il comprend une source d'ultrasons comprenant n ensemble(s) (n étant un nombre entier ≥1), chaque ensemble comprenant un transducteur, apte à émettre une onde ultrasonore, relié à un guide d'onde, apte à guider l'onde ultrasonore, produite par ledit transducteur, vers l'interface vapeur-liquide du bain liquide; un détecteur d'ultrasons comprenant au moins 2n ensembles, chaque ensemble comprenant un guide d'onde relié à un transducteur apte à détecter une onde ultrasonore, ledit guide d'onde étant apte à guider une onde ultrasonore vers ledit transducteur. Chaque source et chaque détecteur sont placés au dessus de l'interface vapeur-liquide du bain liquide en des positions distinctes telles que l'onde ultrasonore produite par un transducteur de la source soit incidente sur l'interface vapeur-liquide selon un angle aigu par rapport à la normale à ladite interface et que ladite onde ultrasonore, réfléchie par l'interface vapeur-liquide selon ce même angle aigu, soit détectée par un transducteur du détecteur. Les transducteurs sont situés à l'extérieur de l'enceinte et les guides d'onde traversent la paroi de ladite enceinte. Les guides d'onde comprennent une face d'entrée et une face de sortie d'onde, une surface latérale reliant ces deux faces, la face des guides d'onde qui pointe vers l'intérieur de l'enceinte étant recouverte d'une couche poreuse.
摘要翻译：本发明涉及一种用于根据定向凝固过程监测在结晶炉的绝热室内进行的熔融材料浴的结晶进程的装置。所述装置包括包括n组（n为整数= 1）的超声波源，每个组包括能够发射超声波的换能器，该换能器连接到能够通过所述换能器产生的能够引导超声波的波导，朝向液浴的液 - 液界面; 包括至少2n组的超声波检测器，每组包括连接到能够检测超声波的换能器的波导，所述波导能够向所述换能器引导超声波。每个源和每个检测器被放置在液槽的气 - 液界面上方在分开的位置上，使得通过源传感器产生的超声波相对于所述界面的法线以锐角撞击在气 - 液界面上并且由相同锐角的气液界面反射的所述超声波由检测器换能器检测。传感器位于室外，波导穿过所述室的壁。波导包括波形入射表面和波浪出射表面，连接所述两个表面的侧表面，指向腔室内部的波导表面被多孔层覆盖。

2. 发明申请

WO2011064390A1 DISPOSITIF DE GUIDAGE D'ONDES ULTRASONORES ADAPTE A UNE UTILISATION DANS UN FOUR DE SOLIDIFICATION DIRIGÉE DU SILICIUM 审中-公开
标题翻译：适用于硅的方向性固化炉的超声波波导装置
公开(公告)号：WO2011064390A1
公开(公告)日：2011-06-03
申请号：PCT/EP2010/068532
申请日：2010-11-30
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE , GARANDET, Jean-Paul , BOTTON, Valery , CAMEL, Denis , DREVET, Béatrice
发明人： GARANDET, Jean-Paul , BOTTON, Valery , CAMEL, Denis , DREVET, Béatrice
IPC分类号： C30B11/00 , C30B29/06 , C30B28/06 , C30B35/00
CPC分类号： C30B11/006 , C30B11/007 , C30B28/06 , C30B29/06
摘要： L'invention concerne un dispositif de guidage d'ondes ultrasonores (1) apte à être utilisé dans un four de cristallisation du silicium et destiné à être inséré partiellement dans l'enceinte de cristallisation dudit four par un orifice ménagé dans la paroi de l'enceinte. Ce dispositif comprend : un guide d'onde (2) en silice cristalline, comprenant une face d'entrée d'une onde (11), une face de sortie d'une onde (12) et une surface latérale (10) reliant la face d'entrée et la face de sortie; une structure (3) en graphite ou en carbure de silicium, qui entoure au moins partiellement la surface latérale du guide d'onde; une couche intermédiaire pulvérulente (4) en nitrure de silicium ou en carbure de silicium, qui recouvre au moins les portions de la surface latérale du guide d' onde qui sont entourées par la structure (3).
摘要翻译：本发明涉及一种适用于硅结晶炉的超声波波导装置（1），该超声波波导装置（1）旨在通过设置在室壁的开口部分地插入到所述炉的结晶室中。所述装置包括：由结晶二氧化硅制成的波导（2），包括波形入射表面（11），波浪出射表面（12）和连接进入表面和出射表面的侧表面（10）由石墨或碳化硅制成的结构（3），其至少部分地围绕波导的侧表面; 由氮化硅或碳化硅制成的中间粉末层（4），其至少覆盖由结构（3）包围的波导的侧表面的至少那些部分。

3. 发明申请

WO2011073073A1 DISPOSITIF D'ENCAPSULATION A ETANCHÉITÉ AMELIORÉE 审中-公开
标题翻译：具有改进密封的包封装置
公开(公告)号：WO2011073073A1
公开(公告)日：2011-06-23
申请号：PCT/EP2010/069235
申请日：2010-12-09
申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives , UNIVERSITE DE SAVOIE , CROS, Stéphane , ALBEROLA, Nicole , GARANDET, Jean-Paul , MORLIER, Arnaud
发明人： CROS, Stéphane , ALBEROLA, Nicole , GARANDET, Jean-Paul , MORLIER, Arnaud
IPC分类号： H01L51/52 , H01L51/44 , H01L31/048 , B65D81/05
CPC分类号： H01L51/5237 , H01L51/448 , H01L51/524 , Y02E10/549
摘要： Dispositif d'encapsulation (2) comportant deux enveloppes (12) en matériau polymère souple délimitant chacune un espace étanche, et au moins un matériau hydrophobe (14) remplissant chacune desdites enveloppes, lesdites enveloppes (12) étant superposées et reliées l'une à l'autre au niveau de leurs bords périphériques de manière étanche, un espace étanche (6) étant alors défini entre les deux enveloppes pour recevoir un dispositif à encapsuler (4).
摘要翻译：本发明涉及包括由柔性聚合物材料制成的每个限定密封空间的两个壳体（12）和至少填充每个所述壳体的疏水材料（14）的包封装置（2），所述壳体（12）是在其外围边缘处堆叠并密封地互连，然后在两个壳体之间限定用于接收待封装的装置（4）的密封空间（6）。

4. 发明申请

WO2011134999A1 DISPOSITIF ET PROCEDE DE TEXTURATION MECANIQUE D'UNE PLAQUETTE DE SILICIUM DESTINEE A CONSTITUER UNE CELLULE PHOTOVOLTAIQUE, PLAQUETTE DE SILICIUM OBTENUE 审中-公开
标题翻译：用于机械地刻印包含光伏电池和结晶硅膜的硅波的装置和方法
公开(公告)号：WO2011134999A1
公开(公告)日：2011-11-03
申请号：PCT/EP2011/056660
申请日：2011-04-27
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES , GARANDET, Jean-Paul , BANCILLON, Jacky , FEDERZONI, Luc , PIROT, Marc
发明人： GARANDET, Jean-Paul , BANCILLON, Jacky , FEDERZONI, Luc , PIROT, Marc
IPC分类号： H01L21/00 , H01L31/18 , H01L31/0236
CPC分类号： H01L21/67092 , H01L31/02363 , Y02E10/50 , Y10S977/902 , Y10T83/0304 , Y10T428/24355
摘要： L'invention concerne une nouvelle solution de texturation de plaquettes de silicium (4) destinées à constituer des cellules photovoltaïques PV. On peut obtenir des plaquettes de silicium dont la surface comprend des motifs de gravage uniformes de profondeur comprise entre 5 et 50 μm.
摘要翻译：本发明涉及用于纹理化旨在包括光伏（PV）电池的硅晶片（4）的新颖解决方案。可以生产硅晶片，其表面包括深度在5和50μm之间的均匀雕刻图案。

5. 发明申请

WO2012049300A1 ELABORATION DE SILICIUM POLYCRISTALLIN PAR FRITTAGE NATUREL POUR APPLICATIONS PHOTOVOLTAÏQUES 审中-公开
标题翻译：通过自然烧结生产多晶硅，用于光伏应用
公开(公告)号：WO2012049300A1
公开(公告)日：2012-04-19
申请号：PCT/EP2011/068007
申请日：2011-10-14
申请人： INSTITUT POLYTECHNIQUE DE GRENOBLE , COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES , UNIVERSITE JOSEPH FOURIER , LEBRUN, Jean-Marie , MISSIEN, Jean-Michel , PASCAL, Céline , GARANDET, Jean-Paul , SERVANT, Florence
发明人： LEBRUN, Jean-Marie , MISSIEN, Jean-Michel , PASCAL, Céline , GARANDET, Jean-Paul , SERVANT, Florence
IPC分类号： B22F3/10 , C01B33/037 , H01L31/0368 , H01L31/18
CPC分类号： C03B32/00 , C01B33/037 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , H01L31/03682 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要： Procédé de frittage de silicium, sans ajout d'une force extérieure, comportant un positionnement d'un échantillon de silicium dans un four puis un traitement thermique de cet échantillon à au moins une température et au moins une pression partielle d'espèces oxydantes pour contrôler l'épaisseur d'une couche d'oxyde de silicium à sa surface.
摘要翻译：本发明涉及硅烧结工艺，其中没有外加力，其包括将硅样品定位在炉中，然后至少在一定温度和至少一氧化物质的分压下对该样品进行热处理，以便控制其表面上的氧化硅层的厚度。

6. 发明授权

EP2507417B1 DISPOSITIF DE CONTRÔLE DE L'ÉTAT D'AVANCEMENT DE LA CRISTALLISATION D'UN BAIN DE MATÉRIAU FONDU DANS UN PROCÉDÉ DE SOLIDIFICATION DIRIGÉE UTILISANT LES ULTRASONS 有权
标题翻译： DEVICE用于监控KRISTALLISIERUNGSFORTSCHRITTS甲熔浴在定向凝固过程中超声波
公开(公告)号：EP2507417B1
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：EP10785415.0
申请日：2010-11-30
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives , Centre National de la Recherche Scientifique
发明人： GARANDET, Jean-Paul , BOTTON, Valery , SALVI, Charles
IPC分类号： C30B11/00 , C30B35/00 , C30B28/06 , C30B29/06
CPC分类号： C30B11/006 , C30B28/06 , C30B29/06 , C30B35/00

7. 发明授权

EP2507416B1 DISPOSITIF DE GUIDAGE D'ONDES ULTRASONORES ADAPTE A UNE UTILISATION DANS UN FOUR DE SOLIDIFICATION DIRIGÉE DU SILICIUM 有权
标题翻译：超声波导使用的烤箱中LOOKING FOR凝固硅
公开(公告)号：EP2507416B1
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：EP10784797.2
申请日：2010-11-30
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives , Centre National de la Recherche Scientifique
发明人： GARANDET, Jean-Paul , BOTTON, Valery , CAMEL, Denis , DREVET, Béatrice
IPC分类号： C30B11/00 , C30B29/06 , C30B28/06 , C30B35/00
CPC分类号： C30B11/006 , C30B11/007 , C30B28/06 , C30B29/06

8. 发明公开

EP2507416A1 DISPOSITIF DE GUIDAGE D'ONDES ULTRASONORES ADAPTE A UNE UTILISATION DANS UN FOUR DE SOLIDIFICATION DIRIGÉE DU SILICIUM 有权
标题翻译：超声波导使用的烤箱中LOOKING FOR凝固硅
公开(公告)号：EP2507416A1
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：EP10784797.2
申请日：2010-11-30
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives , Centre National de la Recherche Scientifique
发明人： GARANDET, Jean-Paul , BOTTON, Valery , CAMEL, Denis , DREVET, Béatrice
IPC分类号： C30B11/00 , C30B29/06 , C30B28/06 , C30B35/00
CPC分类号： C30B11/006 , C30B11/007 , C30B28/06 , C30B29/06
摘要： The invention relates to an ultrasonic waveguide device (1) suitable for use in a silicon crystallization furnace and intended to be partially inserted into the crystallization chamber of said furnace through an opening provided in the wall of the chamber. Said device includes: a waveguide (2) made of crystalline silica, including a wave entry surface (11), a wave exit surface (12) and a lateral surface (10) connecting the entry surface and the exit surface; a structure (3) made of graphite or silicon carbide, which at least partly surrounds the lateral surface of the waveguide; an intermediate powder layer (4) made of silicon nitride or silicon carbide, which covers at least those parts of the lateral surface of the waveguide that are surrounded by the structure (3).

9. 发明公开

EP2326607A2 MATERIAU A ARCHITECTURE MULTICOUCHE, DEDIE A UNE MISE EN CONTACT AVEC DU SILICIUM LIQUIDE 有权转让
标题翻译：多层材料FOR USE与液体硅接触
公开(公告)号：EP2326607A2
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：EP09741365.2
申请日：2009-09-03
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives , Centre National de la Recherche Scientifique
发明人： GARANDET, Jean-Paul , CAMEL, Denis , DREVET, Béatrice , EUSTATHOPOULOS, Nicolas , ISRAEL, Rana
IPC分类号： C04B35/573 , C04B35/80
CPC分类号： C04B35/573 , C04B35/806 , C04B41/009 , C04B41/5059 , C04B41/87 , C04B2235/422 , C04B2235/425 , C04B2235/5436 , C04B2235/656 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/662 , C04B2235/728 , C04B2235/77 , C04B2235/95 , C30B11/002 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y10T428/24521 , Y10T428/24996 , Y10T428/249961 , Y10T428/249967 , Y10T428/249969 , Y10T428/249974 , C04B41/4517 , C04B41/4523 , C04B41/4556 , C04B35/522 , C04B38/00
摘要： The present invention relates to novel materials intended for being contacted with liquid silicon and having a multilayer architecture, the intermediate layer of which is formed by a silicon carbide matrix containing at least one carbon nodule. The invention also relates to the method for preparing said materials.

10. 发明公开

EP2507417A1 DISPOSITIF DE CONTRÔLE DE L'ÉTAT D'AVANCEMENT DE LA CRISTALLISATION D'UN BAIN DE MATÉRIAU FONDU DANS UN PROCÉDÉ DE SOLIDIFICATION DIRIGÉE UTILISANT LES ULTRASONS 有权
标题翻译： DEVICE用于监控KRISTALLISIERUNGSFORTSCHRITTS甲熔浴在定向凝固过程中超声波
公开(公告)号：EP2507417A1
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：EP10785415.0
申请日：2010-11-30
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives , Centre National de la Recherche Scientifique
发明人： GARANDET, Jean-Paul , BOTTON, Valery , SALVI, Charles
IPC分类号： C30B11/00 , C30B35/00 , C30B28/06 , C30B29/06
CPC分类号： C30B11/006 , C30B28/06 , C30B29/06 , C30B35/00
摘要： The invention relates to a device for monitoring the progress of crystallization of a bath of molten material carried out within an insulating chamber of a crystallization furnace according to a directional solidification process. Said device comprises an ultrasound source including n sets (n being an integer ≥1), each set including a transducer capable of emitting an ultrasonic wave, connected to a waveguide capable of guiding the ultrasonic wave, produced by means of said transducer, toward the vapor-liquid interface of the liquid bath; an ultrasound detector including at least 2n sets, each set including a waveguide connected to a transducer capable of detecting an ultrasonic wave, said waveguide being capable of guiding an ultrasonic wave toward said transducer. Each source and each detector are placed above the vapor-liquid interface of the liquid bath in separate positions such that the ultrasonic wave produced by means of a source transducer impinges on the vapor-liquid interface at an acute angle relative to the normal to said interface and that said ultrasonic wave, reflected by the vapor-liquid interface at the same acute angle, is detected by a detector transducer. The transducers are located outside the chamber and the waveguides pass through the wall of said chamber. The waveguides include a wave entry surface and a wave exit surface, a lateral surface connecting said two surfaces, the surface of the waveguide pointing toward the interior of the chamber being covered with a porous layer.

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