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1. 发明申请

WO2013010806A1 OPTICAL ASSEMBLY WITH SUPPRESSION OF DEGRADATION 审中-公开
标题翻译：光学组件抑制降解
公开(公告)号：WO2013010806A1
公开(公告)日：2013-01-24
申请号：PCT/EP2012/063101
申请日：2012-07-05
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang , EHM, Dirk Heinrich , WALTER, Markus
发明人： SCHMIDT, Stefan-Wolfgang , EHM, Dirk Heinrich , WALTER, Markus
IPC分类号： G03F7/20 , G21K1/06
CPC分类号： G03F7/70883 , G03F7/70891 , G03F7/70916 , G03F7/70925 , G03F7/70983
摘要： The invention relates to an optical assembly, in particular a projection exposure apparatus for EUV lithography, comprising: a beam generating system for generating radiation (6) at an operating wavelength,at least one optical element (13, 14) which is subjected to the radiation (6) and is arranged in a residual gas atmosphere, and a feed device for feeding at least one gaseous constituent into the residual gas atmosphere in order to suppress a degradation of the surface (14a) of the optical element (14) that is induced by the radiation, wherein either a beam diameter (d) of the radiation (6) at the surface of the optical element, in particular at the surfaces of all optical elements of the optical assembly, lies above a threshold value (d c ) so that a suppression of the degradation by the gaseous constituent is effective, or the beam diameter (d) at the surface (14a) of the optical element (14) lies below the threshold value (d c ) so that a reduction of the effectiveness of the suppression of degradation occurs,and at least one further device (25, 27) for the improved suppression of the degradation of the surface (14a) is assigned to the optical element (14).The invention also relates to an associated method for operating an optical assembly.
摘要翻译：本发明涉及一种光学组件，特别是用于EUV光刻的投影曝光设备，包括：用于产生工作波长的辐射（6）的光束产生系统，至少一个光学元件（13,14）辐射（6）并且设置在残留气体气氛中，以及用于将至少一种气态成分供给到残留气体气氛中的进料装置，以便抑制光学元件（14）的表面（14a）的劣化，其特征在于光学组件的所有光学元件的表面处的辐射（6）的光束直径（d）在光学元件的表面处，特别是在阈值（dc）之上，所以光束直径（d）抑制气态组分的降解是有效的，或者光学元件（14）的表面（14a）处的光束直径（d）低于阈值（dc），使得降低 suppres 并且至少一个用于改善对表面（14a）的降解的抑制的装置（25,27）被分配给光学元件（14）。本发明还涉及一种用于操作光学组件。

2. 发明申请

WO2013174398A1 RETICLE, RETICLE-CHUCK, RETICLE POSITIONING SYSTEM AND OPTICAL SYSTEM 审中-公开
标题翻译：反馈，伪装，虚拟定位系统和光学系统
公开(公告)号：WO2013174398A1
公开(公告)日：2013-11-28
申请号：PCT/EP2012/002159
申请日：2012-05-22
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , BECKER, Moritz , EHM, Dirk Heinrich , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang , BUTSCHER, Vera , IHL, Thomas
发明人： BECKER, Moritz , EHM, Dirk Heinrich , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang , BUTSCHER, Vera , IHL, Thomas
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/707 , G03F1/38
摘要： A reticle (18) for use in a microlithographic projection exposure apparatus, comprises a reticle body (42) containing a pattern (16) and reticle coupling means (36), by means of which the reticle body (42) can be detachably coupled with a reticle-chuck (30). The reticle coupling means (36) are adapted such that the coupling of the reticle (18) with the reticle-chuck (30) can be effected by magnetic forces. Further, a Reticle-chuck (30) is provided which comprises a support unit (60) and chuck coupling means (38), by means of which a reticle (18) can be detachably coupled with the support unit (60). The chuck coupling means (38) are adapted such that the coupling of the reticle (18) with the support unit (60) can be effected by magnetic forces. Furthermore, a reticle positioning system (28) is described, wherein such a reticle (18) and such a reticle-chuck (30) are coupled to form a chuck-unit (32). Finally, an optical system having an illumination device (12) for illuminating an optical reticle (18) containing a pattern (16) and a projection objective (14) for imaging the reticle pattern (16) is provided with such a reticle positioning system (28).
摘要翻译：一种用于微光刻投影曝光设备的掩模版（18），包括一个包含图案（16）和标线片耦合装置（36）的标线本体（42），通过该掩模体（42）可以将标线本体（42）可拆卸地与标线盘卡盘（30）。标线片耦合装置（36）适于使得光罩（18）与光罩卡盘（30）的耦合可以通过磁力来实现。此外，提供了一种标线卡盘（30），其包括支撑单元（60）和卡盘联接装置（38），通过该卡盘联接装置可以将分划板（18）可拆卸地联接到支撑单元（60）。卡盘联接装置（38）适于使得光罩（18）与支撑单元（60）的联接可以通过磁力来实现。此外，描述了一个掩模版定位系统（28），其中这种掩模版（18）和这种光罩卡盘（30）联接以形成卡盘单元（32）。最后，具有用于照射包含图案（16）的光学掩模版（18）的照明装置（12）和用于使掩模图案（16）成像的投影物镜（14）的光学系统设置有这样的掩模版定位系统 28）。

3. 发明申请

WO2012028569A1 PROJECTION EXPOSURE APPARATUS 审中-公开
标题翻译：投影曝光装置
公开(公告)号：WO2012028569A1
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：PCT/EP2011/064796
申请日：2011-08-29
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , EHM, Dirk Heinrich , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang , DIER, Oliver
发明人： EHM, Dirk Heinrich , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang , DIER, Oliver
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70191 , G03F7/70891 , G21K1/062 , H05B6/10
摘要： The invention relates to a projection exposure apparatus (11) for semiconductor lithography comprising optical elements (1, 18), wherein at least one of the optical elements (1) has means (2) for contactlessly producing electric currents in the optical element (1) which are suitable for heating the at least one optical element (1) at least in regions.
摘要翻译：本发明涉及一种用于包括光学元件（1,18）的半导体光刻的投影曝光设备（11），其中至少一个光学元件（1）具有用于在光学元件（1）中非接触地产生电流的装置（2）），其适于至少在区域中加热所述至少一个光学元件（1）。

4. 发明申请

WO2011029761A1 OPTICAL ARRANGEMENT IN A PROJECTION EXPOSURE APPARATUS FOR EUV LITHOGRAPHY 审中-公开
标题翻译：投影曝光装置的光学布置
公开(公告)号：WO2011029761A1
公开(公告)日：2011-03-17
申请号：PCT/EP2010/062819
申请日：2010-09-01
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , EHM, Dirk Heinrich , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang , DENGEL, Guenther
发明人： EHM, Dirk Heinrich , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang , DENGEL, Guenther
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70933 , G03F7/70808 , G03F7/70825 , G03F7/70916 , G03F7/70983
摘要： The present invention concerns an optical arrangement, in particular in a projection exposure apparatus for EUV lithography. In an aspect an optical arrangement has a housing (100, 200, 550, 780) in which at least one optical element (810,821,822,830,840) is arranged, and at least one subhousing (811, 823, 824, 831, 841) which is arranged within said housing and which surrounds at least one beam incident on the optical element in operation of the optical system, wherein the internal space of the subhousing is in communication with the external space of the subhousing by way of at least one opening, wherein provided in the region of the opening is at least one flow guide portion (861-867) which deflects a flushing gas flow passing through the opening from the internal space to the external space of the subhousing, at least once in its direction.
摘要翻译：本发明涉及一种光学装置，特别是在用于EUV光刻的投影曝光装置中。在一个方面，光学装置具有其中布置有至少一个光学元件（810,821,822,830,840）的壳体（100,200,550,780），以及布置有至少一个子座（811,823,824,831,841）在所述壳体内并且围绕在所述光学系统的操作中入射到所述光学元件上的至少一个光束，其中所述底座的内部空间通过至少一个开口与所述底座的外部空间连通，其中设置在开口的区域是至少一个流动引导部分（861-867），其将从内部空间通过开口的冲洗气体流向副井孔的外部空间偏转至少一个方向。

5. 发明申请

WO2011092020A2 ARRANGEMENT FOR USE IN A PROJECTION EXPOSURE TOOL FOR MICROLITHOGRAPHY HAVING A REFLECTIVE OPTICAL ELEMENT 审中-公开
标题翻译：用于具有反射光学元件的微结构的投影曝光工具中的布置
公开(公告)号：WO2011092020A2
公开(公告)日：2011-08-04
申请号：PCT/EP2011/000385
申请日：2011-01-28
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , ASML NETHERLANDS B.V. , EHM, Dirk Heinrich , VAN KAMPEN, Maarten , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang , BANINE, Vadim Yevgenyevich , LOOPSTRA, Erik
发明人： EHM, Dirk Heinrich , VAN KAMPEN, Maarten , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang , BANINE, Vadim Yevgenyevich , LOOPSTRA, Erik
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70891 , G01J1/58 , G02B5/0891 , G03F7/70316 , G03F7/70558 , G03F7/7085 , G03F7/70958
摘要： An arrangement for use in a projection exposure tool (100) for microlithography comprises a reflective optical element (10; 110) and a radiation detector (30; 32; 130). The reflective optical element (10; 110) comprises a carrier element (12) guaranteeing the mechanical strength of the optical element (10; 110) and a reflective coating (18) disposed on the carrier element (12) for reflecting a use radiation (20a). The carrier element (12) is made of a material which upon interaction with the use radiation (20a) emits a secondary radiation (24) the wavelength of which differs from the wavelength of the use radiation (20a), and the radiation detector (30; 32; 130) is configured to detect the secondary radiation (24).
摘要翻译：用于微光刻的投影曝光工具（100）中的布置包括反射光学元件（10; 110）和辐射检测器（30; 32; 130）。反射光学元件（10; 110）包括保证光学元件（10; 110）的机械强度的载体元件（12）和设置在载体元件（12）上的反射涂层（18），用于反射使用辐射 20A）。载体元件（12）由与使用辐射（20a）相互作用发射其波长与使用辐射（20a）的波长不同的次级辐射（24）和辐射探测器（30）的材料制成 ; 32; 130）被配置为检测所述次级辐射（24）。

6. 发明申请

WO2010022815A1 DETECTION OF CONTAMINATING SUBSTANCES IN AN EUV LITHOGRAPHY APPARATUS 审中-公开
标题翻译：在EUV光刻设备中检测污染物质
公开(公告)号：WO2010022815A1
公开(公告)日：2010-03-04
申请号：PCT/EP2009/004811
申请日：2009-07-03
申请人： CARL ZEISS SMT AG , KRAUS, Dieter , EHM, Dirk Heinrich , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang
发明人： KRAUS, Dieter , EHM, Dirk Heinrich , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang
IPC分类号： G03F7/20 , H01J49/00
CPC分类号： G03F7/70916 , G03F7/7085 , G03F7/70983
摘要： The invention relates to an EUV lithography apparatus (1), comprising: a housing (1a) enclosing an interior (15), at least one reflective optical element (5, 6, 8, 9, 10, 14.1 to 14.6) arranged in the interior (15), a vacuum generating unit (1b) for generating a residual gas atmosphere in the interior (15), and also a residual gas analyzer (18a, 18b) for detecting at least one contaminating substance (17a) in the residual gas atmosphere. The residual gas analyzer (18a) has a storage device (21) for storing the contaminating substance (17a). The invention also relates to a method for detecting at least one contaminating substance by residual gas analysis of a residual gas atmosphere of an EUV lithography apparatus (1) having a housing (1a) having an interior (15), in which at least one reflective optical element (5, 6, 8, 9, 10, 14.1 to 14.6), is arranged, wherein the contaminating substance (17a) is stored in a storage device (21) in order to carry out the residual gas analysis.
摘要翻译：本发明涉及一种EUV光刻设备（1），包括：一个封装内部（15）的外壳（1a），至少一个反射光学元件（5,6,8,9,10,14.1至14.6）内部（15），用于在内部（15）中产生残余气体气氛的真空发生单元（1b），以及用于检测残留气体中的至少一种污染物质（17a）的残留气体分析器（18a，18b）大气层。残留气体分析器（18a）具有用于储存污染物质（17a）的储存装置（21）。本发明还涉及一种用于通过具有具有内部（15）的壳体（1a）的EUV光刻设备（1）的残余气体气体的残余气体分析来检测至少一种污染物质的方法，其中至少一个反射配置光学元件（5,6,8,9,10,14.1至14.6），其中污染物质（17a）被存储在存储装置（21）中以便进行残留气体分析。

7. 发明申请

WO2009115370A1 REINIGUNGSMODUL, EUV-LITHOGRAPHIEVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZU IHRER REINIGUNG 审中-公开
标题翻译：清理模块，EUV光刻设备和方法清洁
公开(公告)号：WO2009115370A1
公开(公告)日：2009-09-24
申请号：PCT/EP2009/051330
申请日：2009-02-05
申请人： CARL ZEISS SMT AG , HEMBACHER, Stefan , KRAUS, Dieter , EHM, Dirk Heinrich , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang , KÖHLER, Stefan , CZAP, Almut , WIESNER, Stefan , CHUNG, Hin Yiu Anthony
发明人： HEMBACHER, Stefan , KRAUS, Dieter , EHM, Dirk Heinrich , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang , KÖHLER, Stefan , CZAP, Almut , WIESNER, Stefan , CHUNG, Hin Yiu Anthony
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70925
摘要： Um eine schonendere Reinigung von optischen Komponenten (35) innerhalb einer EUV- Lithographievorrichtung zu erlauben, wird ein Reinigungsmodul für eine EUV- Lithographievorrichtung mit einer Zuleitung für molekularen Wasserstoff und einem Heizdraht zur Herstellung von atomarem Wasserstoff und Wasserstoffionen zu Reinigungszwecken vorgeschlagen, bei dem in Strömungsrichtung des Wasserstoffs (31, 32) hinter dem Heizdraht (29) Mittel (33) zum Anlegen eines elektrischen und/oder magnetischen Feldes angeordnet sind. Die Mittel können als Umlenkeinheit sowie als Filtereinheit und/oder Beschleunigungseinheit für den Ionenstrahl (32) ausgebildet sein.
摘要翻译：以允许EUV光刻设备内的光学部件（35）的更温和的清洁，为具有用于分子氢和用于生产原子氢和氢离子用于纯化目的的加热丝的入口EUV光刻设备中的清洁模块，建议，其中，在流动方向上氢（31，32）中的加热丝的后面（29）包括装置（33）被设置用于施加电场和/或磁场。该装置可以被形成为一个偏转单元，以及一个过滤器单元和/或加速度单元，用于将离子束（32）。

8. 发明申请

WO2010043398A1 EUV- LITHOGRAPHIEVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM BEARBEITEN EINES OPTISCHEN ELEMENTS 审中-公开
标题翻译： EUV光刻设备和方法处理的光学元件的
公开(公告)号：WO2010043398A1
公开(公告)日：2010-04-22
申请号：PCT/EP2009/007411
申请日：2009-10-15
申请人： CARL ZEISS SMT AG , SINGER, Wolfgang , KWAN, Yim-Bun-Patrick , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang , EHM, Dirk Heinrich , KRAUS, Dieter , WIESNER, Stefan , KÖHLER, Stefan , CZAP, Almut , CHUNG, Hin Yiu Anthony
发明人： SINGER, Wolfgang , KWAN, Yim-Bun-Patrick , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang , EHM, Dirk Heinrich , KRAUS, Dieter , WIESNER, Stefan , KÖHLER, Stefan , CZAP, Almut , CHUNG, Hin Yiu Anthony
IPC分类号： G03F7/20 , G03F1/00
CPC分类号： G03F7/70925 , G03F1/82 , G03F1/86 , G03F7/70733 , G03F7/7085 , G03F7/70866
摘要： Die Erfindung betrifft eine EUV-Lithographievorrichtung, umfassend: eine Beleuchtungseinrichtung zum Beleuchten einer Maske an einer Beleuchtungsposition in der EUV-Lithographievorrichtung, sowie eine Projektionseinrichtung zur Abbildung einer an der Maske vorgesehenen Struktur auf ein lichtempfindliches Substrat. Die EUV-Lithographievorrichtung weist eine Bearbeitungseinrichtung (15) zur bevorzugt ortsaufgelösten Bearbeitung eines optischen Elements (6a), insbesondere der Maske, an einer Bearbeitungsposition in der EUV-Lithographievorrichtung auf. Zur Aktivierung mindestens eines Gasbestandteils des Gasstroms (27) umfasst die Bearbeitungseinrichtung (15) eine Strahlungsquelle zur Erzeugung von Strahlung, einen Teilchengenerator (30) zur Erzeugung eines Teilchenstrahls, insbesondere eines Elektronenstrahls (30a), und/oder einen Hochfrequenzgenerator.
摘要翻译：本发明涉及一种EUV光刻设备，包括：用于在EUV光刻设备的照射位置照射的掩模的照明装置，以及投影装置，用于一设置在掩模图案在感光性基板上进行成像。 EUV光刻设备包括用于光学元件（6a）中的优选空间分辨加工，尤其是掩模的处理装置（15），在EUV光刻设备中的处理位置。为了激活气体流（27）的处理装置中的至少一种气体组分（15）包括用于产生辐射的辐射源，用于产生粒子束，特别是电子束（30A）和/或高频率发生器的粒子发生器（30）。

9. 发明申请

WO2010115526A1 VERFAHREN ZUR KONTAMINATIONSVERMEIDUNG UND EUV-LITHOGRAPHIEANLAGE 审中-公开
标题翻译：方法预防污染和EUV光刻系统
公开(公告)号：WO2010115526A1
公开(公告)日：2010-10-14
申请号：PCT/EP2010/001908
申请日：2010-03-26
申请人： CARL ZEISS SMT AG , KRAUS, Dieter , EHM, Dirk, Heinrich , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang , WIESNER, Stefan , CZAP, Almut , KOEHLER, Stefan , CHUNG, Hin, Yiu, Anthony
发明人： KRAUS, Dieter , EHM, Dirk, Heinrich , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang , WIESNER, Stefan , CZAP, Almut , KOEHLER, Stefan , CHUNG, Hin, Yiu, Anthony
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70933 , G03F7/70041 , G03F7/70916
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Verhindern des Durchtretens von kontaminierenden gasförmigen Stoffen (18) durch eine Öffnung (17b) in einer Einhausung (4a) einer EUV-Lithographieanlage (1), wobei in der Einhausung (4a) mindestens ein optisches Element zur Führung von EUV-Strahlung (6) angeordnet ist, und wobei das Verfahren umfasst: Erzeugen mindestens eines die kontaminierenden Stoffe (18, 18') umlenkenden, insbesondere deren Strömungsrichtung (Z) entgegen gerichteten Gasstroms (21 a, 21 b) im Bereich der Öffnung (17b). Der Gasstrom (21 a, 21 b) und die EUV-Strahlung (6) werden gepulst erzeugt und die Pulsrate des Gasstroms (21 a, 21 b) wird in Abhängigkeit von der Pulsrate der unter Einwirkung der gepulsten EUV-Strahlung (6) freigesetzten kontaminierenden Stoffe (18, 18') festgelegt, wobei beide Pulsraten insbesondere gleich groß sind, und wobei sich im Bereich der Öffnung (17b) die Gaspulse zeitlich mit den Pulsen der kontaminierenden Stoffe (18, 18') überlappen. Die Erfindung betrifft auch eine EUV-Lithographieanlage, an der das Verfahren durchgeführt werden kann.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于通过EUV光刻设备（1），的壳体（图4a），其中，在所述壳体（4a）中的开口（17b）的至少一个光学元件的污染气态物质（18）的通过的防止用于引导 EUV辐射（6）设置，并且其中所述方法包括：生成所述污染物中的至少一个（18，18“）偏转，尤其是其流动方向（Z）相反方向的气体流（21 A，21 b）（在开口的区域中 17B）。的气体流（21，21 b）和极紫外辐射（6）产生的脉冲和所述气体流的脉冲率（21 A，21 B）是脉冲EUV辐射的作用下释放，脉冲速率的函数（6）污染物质（18，18“）固定，特别是两个脉冲率相等的尺寸，并且其中在所述开口的区域（17b）的与所述污染物质（18，18的脉冲在时间上的气体脉冲的”重叠）。本发明还涉及一种EUV光刻设备，其中，可以执行该方法。

10. 发明申请

WO2010081721A1 EUV LITHOGRAPHY SYSTEM AND CABLE FOR THE SAME 审中-公开
标题翻译： EUV光刻系统和电缆
公开(公告)号：WO2010081721A1
公开(公告)日：2010-07-22
申请号：PCT/EP2010/000212
申请日：2010-01-15
申请人： CARL ZEISS SMT AG , HOLGER, Fischer , EHM, Dirk, Heinrich , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang , KRAUS, Dieter
发明人： HOLGER, Fischer , EHM, Dirk, Heinrich , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang , KRAUS, Dieter
IPC分类号： G03F7/20 , H01B7/17
CPC分类号： G03F7/70916 , G03F7/7095 , G03F7/70983 , G03F7/70991
摘要： The invention relates to an EUV lithography system, comprising: an EUV light source for generating EUV radiation as well as at least one cable (33) running in a beam guidance chamber of the EUV lithography system. The cable (33) running in the beam guidance chamber is exposed in at least a subregion of its surface (33a) to the EUV radiation and the cable (33) consists at least at the subregion of its surface (33a) exposed to the EUV radiation of a material (34a) resistant to the EUV radiation. The invention also relates to a cable (33) for use in a beam guidance chamber of an EUV lithography system as well as to a method for installing a cable (33) in a beam guidance chamber of an EUV lithography system. In particular, the electrical conductor of the cable or insulation of the cable may be provided with a sheathing, e.g. in the form of a foil (34), which comprises at least one EUV-resistant layer.
摘要翻译：本发明涉及一种EUV光刻系统，包括：用于产生EUV辐射的EUV光源以及在EUV光刻系统的光束引导室中运行的至少一个光缆（33）。在光束引导室中延伸的电缆（33）至少在EUV辐射表面（33a）的一个子区域上，电缆（33）至少在其暴露于EUV的表面（33a）的亚区域辐射耐EUV辐射的材料（34a）。本发明还涉及一种用于EUV光刻系统的光束引导室中的电缆（33）以及用于在EUV光刻系统的光束引导室中安装电缆（33）的方法。特别地，电缆的电导体或电缆的绝缘体可以设置有护套，例如电缆。以箔（34）的形式，其包括至少一个耐EUV的层。

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