专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2009152885A1 PARTICLE CLEANING OF OPTICAL ELEMENTS FOR MICROLITHOGRAPHY 审中-公开
标题翻译：光学元件的微粒清洁
公开(公告)号：WO2009152885A1
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：PCT/EP2009/001581
申请日：2009-03-06
申请人： CARL ZEISS SMT AG , ASML NETHERLANDS B.V. , EHM, Dirk, Heinrich , STORM, Arnoldus Jan , MOORS, Johannes Hubertus Josephina , CZAP, Almut , NAGEL, Mona , VAN DER DONCK, Jacques, Cor, Johan , STORTELDER, Jetske , SANDTKE, Marijn , CABALLERO, Maria, Isabel, Catalina , SCACCABAROZZI, Luigi , SCHMIDT, Stefan , KRAUS, Dieter , WIESNER, Stefan , KÖHLER, Stefan , CHUNG, Hin Yiu Anthony
发明人： EHM, Dirk, Heinrich , STORM, Arnoldus Jan , MOORS, Johannes Hubertus Josephina , CZAP, Almut , NAGEL, Mona , VAN DER DONCK, Jacques, Cor, Johan , STORTELDER, Jetske , SANDTKE, Marijn , CABALLERO, Maria, Isabel, Catalina , SCACCABAROZZI, Luigi , SCHMIDT, Stefan , KRAUS, Dieter , WIESNER, Stefan , KÖHLER, Stefan , CHUNG, Hin Yiu Anthony
IPC分类号： G03F7/20 , G21K1/00
CPC分类号： G03F7/70925 , B82Y10/00 , G03F7/7085 , G03F7/70916 , G03F7/70975 , G03F7/70983 , G21K1/062
摘要： An optical assembly serves the purpose of being mounted in a projection exposure apparatus (101) for EUV microlithography and comprises at least one vacuum chamber (70, 71, 68a), at least one optical element (6, 7; 65, 66; 63) arranged in the vacuum chamber (70, 71, 68a), the optical element (6, 7; 65, 66; 63) having an optical surface (18) which may be impinged upon by a useful beam bundle (3) of the projection exposure apparatus (101), and a cleaning device (72) for cleaning the optical surface (18). The cleaning device (72) is configured to perform particle cleaning of the optical surface (18) at a gas pressure within the vacuum chamber (70,71, 68a) which is higher than a vacuum pressure (p0) for performing an exposure operation with the projection exposure apparatus (101). The result is an optical assembly capable of providing optical elements having an optical surface which may be impinged upon by a useful beam bundle which can be cleaned reliably from foreign particles.
摘要翻译：光学组件用于安装在用于EUV微光刻的投影曝光设备（101）中，并且包括至少一个真空室（70,71,68a），至少一个光学元件（6,7; 65,66,63 ），所述光学元件（6,7; 65,66,63）具有光学表面（18），所述光学表面可被所述真空室（70,71,68a）的有用光束束（3）撞击投影曝光装置（101）和用于清洁光学表面（18）的清洁装置（72）。清洁装置（72）构造成在真空室（70,71,68a）内的气体压力下进行光学表面（18）的粒子清洁，该气体压力高于用于进行曝光操作的真空压力（p0）投影曝光装置（101）。其结果是能够提供光学元件的光学组件，该光学元件具有光学表面，该光学表面可以被可以被外界颗粒可靠地清洁的有用束束撞击。

2. 发明申请

WO2009033639A2 METHOD FOR CLEANING VACUUM CHAMBERS AND VACUUM CHAMBERS 审中-公开
标题翻译：清洁真空室和真空室的方法
公开(公告)号：WO2009033639A2
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：PCT/EP2008/007384
申请日：2008-09-10
申请人： CARL ZEISS SMT AG , KRAUS, Dieter , EHM, Dirk Heinrich
发明人： KRAUS, Dieter , EHM, Dirk Heinrich
IPC分类号： A61L2/10 , G03F7/20 , A61L2/08
CPC分类号： A61L2/10 , A61L2/087 , A61L2202/23 , G03F7/70916
摘要： In order to be able to clean and, if appropriate, also passivate a vacuum chamber (30) efficiently from contamination, it comprises a radiation source (31), which can in particular generate high-energy radiation (32). The irradiation is carried out with gradually increasing energy. In order to protect a multilayer mirror (35) against contamination during the irradiation, a protection element (37) is provided, which is mounted in a displaceable manner on a rail (39) and can be displaced out of a basic position (P2) into a protection position (P1) in front of the multilayer mirror (35).
摘要翻译：为了能够清洁，并且如果合适，还有效地从真空室（30）中被污染，其包括辐射源（31），其可以特别地产生高能辐射（32）。照射是用逐渐增加的能量进行的。为了在照射期间保护多层反射镜（35）免受污染，提供保护元件（37），其以可移位的方式安装在轨道（39）上并且可以从基本位置（P2）移出，进入多层反射镜（35）前面的保护位置（P1）。

3. 发明申请

WO2010043398A1 EUV- LITHOGRAPHIEVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM BEARBEITEN EINES OPTISCHEN ELEMENTS 审中-公开
标题翻译： EUV光刻设备和方法处理的光学元件的
公开(公告)号：WO2010043398A1
公开(公告)日：2010-04-22
申请号：PCT/EP2009/007411
申请日：2009-10-15
申请人： CARL ZEISS SMT AG , SINGER, Wolfgang , KWAN, Yim-Bun-Patrick , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang , EHM, Dirk Heinrich , KRAUS, Dieter , WIESNER, Stefan , KÖHLER, Stefan , CZAP, Almut , CHUNG, Hin Yiu Anthony
发明人： SINGER, Wolfgang , KWAN, Yim-Bun-Patrick , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang , EHM, Dirk Heinrich , KRAUS, Dieter , WIESNER, Stefan , KÖHLER, Stefan , CZAP, Almut , CHUNG, Hin Yiu Anthony
IPC分类号： G03F7/20 , G03F1/00
CPC分类号： G03F7/70925 , G03F1/82 , G03F1/86 , G03F7/70733 , G03F7/7085 , G03F7/70866
摘要： Die Erfindung betrifft eine EUV-Lithographievorrichtung, umfassend: eine Beleuchtungseinrichtung zum Beleuchten einer Maske an einer Beleuchtungsposition in der EUV-Lithographievorrichtung, sowie eine Projektionseinrichtung zur Abbildung einer an der Maske vorgesehenen Struktur auf ein lichtempfindliches Substrat. Die EUV-Lithographievorrichtung weist eine Bearbeitungseinrichtung (15) zur bevorzugt ortsaufgelösten Bearbeitung eines optischen Elements (6a), insbesondere der Maske, an einer Bearbeitungsposition in der EUV-Lithographievorrichtung auf. Zur Aktivierung mindestens eines Gasbestandteils des Gasstroms (27) umfasst die Bearbeitungseinrichtung (15) eine Strahlungsquelle zur Erzeugung von Strahlung, einen Teilchengenerator (30) zur Erzeugung eines Teilchenstrahls, insbesondere eines Elektronenstrahls (30a), und/oder einen Hochfrequenzgenerator.
摘要翻译：本发明涉及一种EUV光刻设备，包括：用于在EUV光刻设备的照射位置照射的掩模的照明装置，以及投影装置，用于一设置在掩模图案在感光性基板上进行成像。 EUV光刻设备包括用于光学元件（6a）中的优选空间分辨加工，尤其是掩模的处理装置（15），在EUV光刻设备中的处理位置。为了激活气体流（27）的处理装置中的至少一种气体组分（15）包括用于产生辐射的辐射源，用于产生粒子束，特别是电子束（30A）和/或高频率发生器的粒子发生器（30）。

4. 发明申请

WO2009121385A1 CLEANING MODULE AND EUV LITHOGRAPHY DEVICE WITH CLEANING MODULE 审中-公开
标题翻译：清洁模块和具有清洁模块的EUV光刻设备
公开(公告)号：WO2009121385A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/EP2008/009754
申请日：2008-11-19
申请人： CARL ZEISS SMT AG , EHM, Dirk, Heinrich , KALLER, Julian , SCHMIDT, Stefan , KRAUS, Dieter , WIESNER, Stefan , CZAP, Almut , CHUNG, Hin-Yiu, Anthony , KÖHLER, Stefan
发明人： EHM, Dirk, Heinrich , KALLER, Julian , SCHMIDT, Stefan , KRAUS, Dieter , WIESNER, Stefan , CZAP, Almut , CHUNG, Hin-Yiu, Anthony , KÖHLER, Stefan
IPC分类号： G03F7/20 , B08B7/00
CPC分类号： G03F7/70925 , B08B7/0035
摘要： In order to enable a more gentle cleaning of the optical elements of an EUV lithography device, a cleaning module for an EUV lithography device is suggested with a supply (206) for molecular hydrogen, a heating filament (210) and a line (212) for atomic and/or molecular hydrogen, in which cleaning module the line (212) has at least one bend with a bending angle of less than 120 degrees, the line (212) has a material on its inner surface which has a low recombination rate for atomic hydrogen and the supply (206) is of flared shape at its end which faces the heating filament (210). A gentler cleaning can also be achieved by exciting a cleaning gas by means of a cold cathode or a plasma as well as by filtering out charged particles by means of electrical and/or magnetic fields.
摘要翻译：为了能够对EUV光刻设备的光学元件进行更温和的清洁，建议用于分子氢的供应（206），加热灯丝（210）和线（212）的用于EUV光刻设备的清洁模块，对于原子和/或分子氢，其中线（212）的清洁模块具有弯曲角度小于120度的至少一个弯曲，线（212）在其内表面上具有低复合速率的材料对于原子氢，并且供应（206）在其面向加热丝（210）的端部处具有喇叭形形状。还可以通过借助于冷阴极或等离子体激发清洁气体以及通过电场和/或磁场过滤掉带电粒子来实现温和清洁。

5. 发明申请

WO2008034582A3 OPTICAL ARRANGEMENT, IN PARTICULAR PROJECTION EXPOSURE APPARATUS FOR EUV LITHOGRAPHY, AS WELL AS REFLECTIVE OPTICAL ELEMENT WITH REDUCED CONTAMINATION 审中-公开
公开(公告)号：WO2008034582A3
公开(公告)日：2008-03-27
申请号：PCT/EP2007/008113
申请日：2007-09-18
申请人： CARL ZEISS SMT AG , ASML NETHERLANDS B.V. , EHM, Dirk, Heinrich , MUELLENDER, Stephan , STEIN, Thomas , MOORS, Johannes, Hubertus, Josephina , WOLSCHRIJN, Bastiaan, Theodoor , KRAUS, Dieter , VERSLUIS, Richard , MEIJERINK, Marcus, Gerhardus, Hendrikus
发明人： EHM, Dirk, Heinrich , MUELLENDER, Stephan , STEIN, Thomas , MOORS, Johannes, Hubertus, Josephina , WOLSCHRIJN, Bastiaan, Theodoor , KRAUS, Dieter , VERSLUIS, Richard , MEIJERINK, Marcus, Gerhardus, Hendrikus
IPC分类号： G03F7/20 , G21K1/06
摘要： The invention relates to an optical arrangement, in particular a projection exposure apparatus (1) for EUV lithography, comprising: a housing (2) that encloses an interior space (15); at least one, in particular reflective, optical element (4 to 10, 12, 14.1 to 14.6) that is arranged in the housing (2); at least one vacuum generating unit (3) for generating a vacuum in the interior space (15) of the housing (2); and at least one vacuum housing (18, 18.1 to 18.10) that is arranged in the interior space (15) of the housing (2) and that encloses at least the optical surface (17, 17.1, 17.2) of the optical element (4 to 10, 12, 14.1 to 14.5), wherein a contamination reduction unit is associated with the vacuum housing (18.1 to 18.10), which contamination reduction unit reduces the partial pressure of contaminating substances, in particular of water and/or hydrocarbons, at least in close proximity to the optical surface (17, 17.1, 17.2) in relation to the partial pressure of the contaminating substances in the interior space (15).

6. 发明申请

WO2010022815A1 DETECTION OF CONTAMINATING SUBSTANCES IN AN EUV LITHOGRAPHY APPARATUS 审中-公开
标题翻译：在EUV光刻设备中检测污染物质
公开(公告)号：WO2010022815A1
公开(公告)日：2010-03-04
申请号：PCT/EP2009/004811
申请日：2009-07-03
申请人： CARL ZEISS SMT AG , KRAUS, Dieter , EHM, Dirk Heinrich , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang
发明人： KRAUS, Dieter , EHM, Dirk Heinrich , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang
IPC分类号： G03F7/20 , H01J49/00
CPC分类号： G03F7/70916 , G03F7/7085 , G03F7/70983
摘要： The invention relates to an EUV lithography apparatus (1), comprising: a housing (1a) enclosing an interior (15), at least one reflective optical element (5, 6, 8, 9, 10, 14.1 to 14.6) arranged in the interior (15), a vacuum generating unit (1b) for generating a residual gas atmosphere in the interior (15), and also a residual gas analyzer (18a, 18b) for detecting at least one contaminating substance (17a) in the residual gas atmosphere. The residual gas analyzer (18a) has a storage device (21) for storing the contaminating substance (17a). The invention also relates to a method for detecting at least one contaminating substance by residual gas analysis of a residual gas atmosphere of an EUV lithography apparatus (1) having a housing (1a) having an interior (15), in which at least one reflective optical element (5, 6, 8, 9, 10, 14.1 to 14.6), is arranged, wherein the contaminating substance (17a) is stored in a storage device (21) in order to carry out the residual gas analysis.
摘要翻译：本发明涉及一种EUV光刻设备（1），包括：一个封装内部（15）的外壳（1a），至少一个反射光学元件（5,6,8,9,10,14.1至14.6）内部（15），用于在内部（15）中产生残余气体气氛的真空发生单元（1b），以及用于检测残留气体中的至少一种污染物质（17a）的残留气体分析器（18a，18b）大气层。残留气体分析器（18a）具有用于储存污染物质（17a）的储存装置（21）。本发明还涉及一种用于通过具有具有内部（15）的壳体（1a）的EUV光刻设备（1）的残余气体气体的残余气体分析来检测至少一种污染物质的方法，其中至少一个反射配置光学元件（5,6,8,9,10,14.1至14.6），其中污染物质（17a）被存储在存储装置（21）中以便进行残留气体分析。

7. 发明申请

WO2009115370A1 REINIGUNGSMODUL, EUV-LITHOGRAPHIEVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZU IHRER REINIGUNG 审中-公开
标题翻译：清理模块，EUV光刻设备和方法清洁
公开(公告)号：WO2009115370A1
公开(公告)日：2009-09-24
申请号：PCT/EP2009/051330
申请日：2009-02-05
申请人： CARL ZEISS SMT AG , HEMBACHER, Stefan , KRAUS, Dieter , EHM, Dirk Heinrich , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang , KÖHLER, Stefan , CZAP, Almut , WIESNER, Stefan , CHUNG, Hin Yiu Anthony
发明人： HEMBACHER, Stefan , KRAUS, Dieter , EHM, Dirk Heinrich , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang , KÖHLER, Stefan , CZAP, Almut , WIESNER, Stefan , CHUNG, Hin Yiu Anthony
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70925
摘要： Um eine schonendere Reinigung von optischen Komponenten (35) innerhalb einer EUV- Lithographievorrichtung zu erlauben, wird ein Reinigungsmodul für eine EUV- Lithographievorrichtung mit einer Zuleitung für molekularen Wasserstoff und einem Heizdraht zur Herstellung von atomarem Wasserstoff und Wasserstoffionen zu Reinigungszwecken vorgeschlagen, bei dem in Strömungsrichtung des Wasserstoffs (31, 32) hinter dem Heizdraht (29) Mittel (33) zum Anlegen eines elektrischen und/oder magnetischen Feldes angeordnet sind. Die Mittel können als Umlenkeinheit sowie als Filtereinheit und/oder Beschleunigungseinheit für den Ionenstrahl (32) ausgebildet sein.
摘要翻译：以允许EUV光刻设备内的光学部件（35）的更温和的清洁，为具有用于分子氢和用于生产原子氢和氢离子用于纯化目的的加热丝的入口EUV光刻设备中的清洁模块，建议，其中，在流动方向上氢（31，32）中的加热丝的后面（29）包括装置（33）被设置用于施加电场和/或磁场。该装置可以被形成为一个偏转单元，以及一个过滤器单元和/或加速度单元，用于将离子束（32）。

8. 发明申请

WO2008107136A1 VERFAHREN ZUR MESSUNG DER AUSGASUNG SOWIE EUV-LITHOGRAPHIEVORRICHTUNG UND MESSAUFBAU 审中-公开
标题翻译：法测量脱气和EUV光刻设备和测量多达作者：
公开(公告)号：WO2008107136A1
公开(公告)日：2008-09-12
申请号：PCT/EP2008/001643
申请日：2008-03-03
申请人： CARL ZEISS SMT AG , ASML NETHERLANDS B.V. , KRAUS, Dieter , EHM, Dirk, Heinrich , WOLSCHRIJN, Bastiaan, Theodoor , MOORS, Johannes, Hubertus, Josephina
发明人： KRAUS, Dieter , EHM, Dirk, Heinrich , WOLSCHRIJN, Bastiaan, Theodoor , MOORS, Johannes, Hubertus, Josephina
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70916 , G03F7/70233 , G03F7/70925 , G03F7/70983
摘要： Vorgeschlagen wird ein Verfahren zur Messung der Ausgasung in EUV-Vakuumsystemen, insbesondere in EUV-Lithographievorrichtungen, durch Analyse des Restgases, bei dem vor der Analyse des Restgases die Ausgasung induziert wird. Es hat sich herausgestellt, dass gerade auch schwerflüchtige Kohlenwasserstoffe einen nicht zu vernachlässigenden Einfluss auf die Kontamination der optischen Komponenten (15, 16, 18, 19) bei Betriebsaufnahme einer EUV-Lithographievorrichtung (10) haben, sie aber bei herkömmlichen Verfahren nicht detektiert werden. Durch Induzierung von Ausgasung für die Restgasanalyse mit Hilfe einer Stimulierungseinheit (32, 34) zur Oberflächenaktivierung wird erreicht, dass auch schwerflüchtige Kohlenwasserstoffe in einer Konzentration im Restgas vorliegen, die über der Nachweisgrenze üblicher Restgasanalysatoren (31, 33) liegt. Dadurch wird erreicht, dass viel genauer prognostiziert werden kann, ob der Innenraum einer EUV-Lithographievorrichtung (10) rein genug ist, um den Betrieb aufnehmen zu können, ohne eine zu hohe Kontamination befürchten zu müssen. Somit wird effektiv eine höhere Sensitivität der Restgasanalyse erreicht.
摘要翻译：一种方法，提出了一种用于在EUV光刻设备测量EUV真空系统除气，尤其是由其中的残余气体的残余气体的脱气分析之前诱导分析。已经发现，特别是低挥发性烃对在操作接收EUV光刻设备（10）具有与光学组件（15，16，18，19）的污染具有不可忽略的影响，但它们没有在常规的方法来检测。通过用刺激单元（32，34），用于表面活化的方法诱导对残余气体分析脱气实现了甚至非挥发性烃存在于在残余气体中的浓度，这是上述现有的残余气体分析仪（31，33）的检测极限。这确保了可以更准确地EUV光刻设备（10）的内部是否是足够纯净的启动和运行，而无需过度的污染的恐惧预测。因此，残余气体分析的更高的灵敏度被有效地实现。

9. 发明申请

WO2010115526A1 VERFAHREN ZUR KONTAMINATIONSVERMEIDUNG UND EUV-LITHOGRAPHIEANLAGE 审中-公开
标题翻译：方法预防污染和EUV光刻系统
公开(公告)号：WO2010115526A1
公开(公告)日：2010-10-14
申请号：PCT/EP2010/001908
申请日：2010-03-26
申请人： CARL ZEISS SMT AG , KRAUS, Dieter , EHM, Dirk, Heinrich , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang , WIESNER, Stefan , CZAP, Almut , KOEHLER, Stefan , CHUNG, Hin, Yiu, Anthony
发明人： KRAUS, Dieter , EHM, Dirk, Heinrich , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang , WIESNER, Stefan , CZAP, Almut , KOEHLER, Stefan , CHUNG, Hin, Yiu, Anthony
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70933 , G03F7/70041 , G03F7/70916
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Verhindern des Durchtretens von kontaminierenden gasförmigen Stoffen (18) durch eine Öffnung (17b) in einer Einhausung (4a) einer EUV-Lithographieanlage (1), wobei in der Einhausung (4a) mindestens ein optisches Element zur Führung von EUV-Strahlung (6) angeordnet ist, und wobei das Verfahren umfasst: Erzeugen mindestens eines die kontaminierenden Stoffe (18, 18') umlenkenden, insbesondere deren Strömungsrichtung (Z) entgegen gerichteten Gasstroms (21 a, 21 b) im Bereich der Öffnung (17b). Der Gasstrom (21 a, 21 b) und die EUV-Strahlung (6) werden gepulst erzeugt und die Pulsrate des Gasstroms (21 a, 21 b) wird in Abhängigkeit von der Pulsrate der unter Einwirkung der gepulsten EUV-Strahlung (6) freigesetzten kontaminierenden Stoffe (18, 18') festgelegt, wobei beide Pulsraten insbesondere gleich groß sind, und wobei sich im Bereich der Öffnung (17b) die Gaspulse zeitlich mit den Pulsen der kontaminierenden Stoffe (18, 18') überlappen. Die Erfindung betrifft auch eine EUV-Lithographieanlage, an der das Verfahren durchgeführt werden kann.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于通过EUV光刻设备（1），的壳体（图4a），其中，在所述壳体（4a）中的开口（17b）的至少一个光学元件的污染气态物质（18）的通过的防止用于引导 EUV辐射（6）设置，并且其中所述方法包括：生成所述污染物中的至少一个（18，18“）偏转，尤其是其流动方向（Z）相反方向的气体流（21 A，21 b）（在开口的区域中 17B）。的气体流（21，21 b）和极紫外辐射（6）产生的脉冲和所述气体流的脉冲率（21 A，21 B）是脉冲EUV辐射的作用下释放，脉冲速率的函数（6）污染物质（18，18“）固定，特别是两个脉冲率相等的尺寸，并且其中在所述开口的区域（17b）的与所述污染物质（18，18的脉冲在时间上的气体脉冲的”重叠）。本发明还涉及一种EUV光刻设备，其中，可以执行该方法。

10. 发明申请

WO2010081721A1 EUV LITHOGRAPHY SYSTEM AND CABLE FOR THE SAME 审中-公开
标题翻译： EUV光刻系统和电缆
公开(公告)号：WO2010081721A1
公开(公告)日：2010-07-22
申请号：PCT/EP2010/000212
申请日：2010-01-15
申请人： CARL ZEISS SMT AG , HOLGER, Fischer , EHM, Dirk, Heinrich , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang , KRAUS, Dieter
发明人： HOLGER, Fischer , EHM, Dirk, Heinrich , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang , KRAUS, Dieter
IPC分类号： G03F7/20 , H01B7/17
CPC分类号： G03F7/70916 , G03F7/7095 , G03F7/70983 , G03F7/70991
摘要： The invention relates to an EUV lithography system, comprising: an EUV light source for generating EUV radiation as well as at least one cable (33) running in a beam guidance chamber of the EUV lithography system. The cable (33) running in the beam guidance chamber is exposed in at least a subregion of its surface (33a) to the EUV radiation and the cable (33) consists at least at the subregion of its surface (33a) exposed to the EUV radiation of a material (34a) resistant to the EUV radiation. The invention also relates to a cable (33) for use in a beam guidance chamber of an EUV lithography system as well as to a method for installing a cable (33) in a beam guidance chamber of an EUV lithography system. In particular, the electrical conductor of the cable or insulation of the cable may be provided with a sheathing, e.g. in the form of a foil (34), which comprises at least one EUV-resistant layer.
摘要翻译：本发明涉及一种EUV光刻系统，包括：用于产生EUV辐射的EUV光源以及在EUV光刻系统的光束引导室中运行的至少一个光缆（33）。在光束引导室中延伸的电缆（33）至少在EUV辐射表面（33a）的一个子区域上，电缆（33）至少在其暴露于EUV的表面（33a）的亚区域辐射耐EUV辐射的材料（34a）。本发明还涉及一种用于EUV光刻系统的光束引导室中的电缆（33）以及用于在EUV光刻系统的光束引导室中安装电缆（33）的方法。特别地，电缆的电导体或电缆的绝缘体可以设置有护套，例如电缆。以箔（34）的形式，其包括至少一个耐EUV的层。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式