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    • 6. 发明申请
    • DETECTION OF CONTAMINATING SUBSTANCES IN AN EUV LITHOGRAPHY APPARATUS
    • 在EUV光刻设备中检测污染物质
    • WO2010022815A1
    • 2010-03-04
    • PCT/EP2009/004811
    • 2009-07-03
    • CARL ZEISS SMT AGKRAUS, DieterEHM, Dirk HeinrichSCHMIDT, Stefan-Wolfgang
    • KRAUS, DieterEHM, Dirk HeinrichSCHMIDT, Stefan-Wolfgang
    • G03F7/20H01J49/00
    • G03F7/70916G03F7/7085G03F7/70983
    • The invention relates to an EUV lithography apparatus (1), comprising: a housing (1a) enclosing an interior (15), at least one reflective optical element (5, 6, 8, 9, 10, 14.1 to 14.6) arranged in the interior (15), a vacuum generating unit (1b) for generating a residual gas atmosphere in the interior (15), and also a residual gas analyzer (18a, 18b) for detecting at least one contaminating substance (17a) in the residual gas atmosphere. The residual gas analyzer (18a) has a storage device (21) for storing the contaminating substance (17a). The invention also relates to a method for detecting at least one contaminating substance by residual gas analysis of a residual gas atmosphere of an EUV lithography apparatus (1) having a housing (1a) having an interior (15), in which at least one reflective optical element (5, 6, 8, 9, 10, 14.1 to 14.6), is arranged, wherein the contaminating substance (17a) is stored in a storage device (21) in order to carry out the residual gas analysis.
    • 本发明涉及一种EUV光刻设备(1),包括:一个封装内部(15)的外壳(1a),至少一个反射光学元件(5,6,8,9,10,14.1至14.6) 内部(15),用于在内部(15)中产生残余气体气氛的真空发生单元(1b),以及用于检测残留气体中的至少一种污染物质(17a)的残留气体分析器(18a,18b) 大气层。 残留气体分析器(18a)具有用于储存污染物质(17a)的储存装置(21)。 本发明还涉及一种用于通过具有具有内部(15)的壳体(1a)的EUV光刻设备(1)的残余气体气体的残余气体分析来检测至少一种污染物质的方法,其中至少一个反射 配置光学元件(5,6,8,9,10,14.1至14.6),其中污染物质(17a)被存储在存储装置(21)中以便进行残留气体分析。
    • 9. 发明申请
    • VERFAHREN ZUR KONTAMINATIONSVERMEIDUNG UND EUV-LITHOGRAPHIEANLAGE
    • 方法预防污染和EUV光刻系统
    • WO2010115526A1
    • 2010-10-14
    • PCT/EP2010/001908
    • 2010-03-26
    • CARL ZEISS SMT AGKRAUS, DieterEHM, Dirk, HeinrichSCHMIDT, Stefan-WolfgangWIESNER, StefanCZAP, AlmutKOEHLER, StefanCHUNG, Hin, Yiu, Anthony
    • KRAUS, DieterEHM, Dirk, HeinrichSCHMIDT, Stefan-WolfgangWIESNER, StefanCZAP, AlmutKOEHLER, StefanCHUNG, Hin, Yiu, Anthony
    • G03F7/20
    • G03F7/70933G03F7/70041G03F7/70916
    • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Verhindern des Durchtretens von kontaminierenden gasförmigen Stoffen (18) durch eine Öffnung (17b) in einer Einhausung (4a) einer EUV-Lithographieanlage (1), wobei in der Einhausung (4a) mindestens ein optisches Element zur Führung von EUV-Strahlung (6) angeordnet ist, und wobei das Verfahren umfasst: Erzeugen mindestens eines die kontaminierenden Stoffe (18, 18') umlenkenden, insbesondere deren Strömungsrichtung (Z) entgegen gerichteten Gasstroms (21 a, 21 b) im Bereich der Öffnung (17b). Der Gasstrom (21 a, 21 b) und die EUV-Strahlung (6) werden gepulst erzeugt und die Pulsrate des Gasstroms (21 a, 21 b) wird in Abhängigkeit von der Pulsrate der unter Einwirkung der gepulsten EUV-Strahlung (6) freigesetzten kontaminierenden Stoffe (18, 18') festgelegt, wobei beide Pulsraten insbesondere gleich groß sind, und wobei sich im Bereich der Öffnung (17b) die Gaspulse zeitlich mit den Pulsen der kontaminierenden Stoffe (18, 18') überlappen. Die Erfindung betrifft auch eine EUV-Lithographieanlage, an der das Verfahren durchgeführt werden kann.
    • 本发明涉及一种方法,用于通过EUV光刻设备(1),的壳体(图4a),其中,在所述壳体(4a)中的开口(17b)的至少一个光学元件的污染气态物质(18)的通过的防止用于引导 EUV辐射(6)设置,并且其中所述方法包括:生成所述污染物中的至少一个(18,18“)偏转,尤其是其流动方向(Z)相反方向的气体流(21 A,21 b)(在开口的区域中 17B)。 的气体流(21,21 b)和极紫外辐射(6)产生的脉冲和所述气体流的脉冲率(21 A,21 B)是脉冲EUV辐射的作用下释放,脉冲速率的函数(6) 污染物质(18,18“)固定,特别是两个脉冲率相等的尺寸,并且其中在所述开口的区域(17b)的与所述污染物质(18,18的脉冲在时间上的气体脉冲的”重叠)。 本发明还涉及一种EUV光刻设备,其中,可以执行该方法。