专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2009152885A1 PARTICLE CLEANING OF OPTICAL ELEMENTS FOR MICROLITHOGRAPHY 审中-公开
标题翻译：光学元件的微粒清洁
公开(公告)号：WO2009152885A1
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：PCT/EP2009/001581
申请日：2009-03-06
申请人： CARL ZEISS SMT AG , ASML NETHERLANDS B.V. , EHM, Dirk, Heinrich , STORM, Arnoldus Jan , MOORS, Johannes Hubertus Josephina , CZAP, Almut , NAGEL, Mona , VAN DER DONCK, Jacques, Cor, Johan , STORTELDER, Jetske , SANDTKE, Marijn , CABALLERO, Maria, Isabel, Catalina , SCACCABAROZZI, Luigi , SCHMIDT, Stefan , KRAUS, Dieter , WIESNER, Stefan , KÖHLER, Stefan , CHUNG, Hin Yiu Anthony
发明人： EHM, Dirk, Heinrich , STORM, Arnoldus Jan , MOORS, Johannes Hubertus Josephina , CZAP, Almut , NAGEL, Mona , VAN DER DONCK, Jacques, Cor, Johan , STORTELDER, Jetske , SANDTKE, Marijn , CABALLERO, Maria, Isabel, Catalina , SCACCABAROZZI, Luigi , SCHMIDT, Stefan , KRAUS, Dieter , WIESNER, Stefan , KÖHLER, Stefan , CHUNG, Hin Yiu Anthony
IPC分类号： G03F7/20 , G21K1/00
CPC分类号： G03F7/70925 , B82Y10/00 , G03F7/7085 , G03F7/70916 , G03F7/70975 , G03F7/70983 , G21K1/062
摘要： An optical assembly serves the purpose of being mounted in a projection exposure apparatus (101) for EUV microlithography and comprises at least one vacuum chamber (70, 71, 68a), at least one optical element (6, 7; 65, 66; 63) arranged in the vacuum chamber (70, 71, 68a), the optical element (6, 7; 65, 66; 63) having an optical surface (18) which may be impinged upon by a useful beam bundle (3) of the projection exposure apparatus (101), and a cleaning device (72) for cleaning the optical surface (18). The cleaning device (72) is configured to perform particle cleaning of the optical surface (18) at a gas pressure within the vacuum chamber (70,71, 68a) which is higher than a vacuum pressure (p0) for performing an exposure operation with the projection exposure apparatus (101). The result is an optical assembly capable of providing optical elements having an optical surface which may be impinged upon by a useful beam bundle which can be cleaned reliably from foreign particles.
摘要翻译：光学组件用于安装在用于EUV微光刻的投影曝光设备（101）中，并且包括至少一个真空室（70,71,68a），至少一个光学元件（6,7; 65,66,63 ），所述光学元件（6,7; 65,66,63）具有光学表面（18），所述光学表面可被所述真空室（70,71,68a）的有用光束束（3）撞击投影曝光装置（101）和用于清洁光学表面（18）的清洁装置（72）。清洁装置（72）构造成在真空室（70,71,68a）内的气体压力下进行光学表面（18）的粒子清洁，该气体压力高于用于进行曝光操作的真空压力（p0）投影曝光装置（101）。其结果是能够提供光学元件的光学组件，该光学元件具有光学表面，该光学表面可以被可以被外界颗粒可靠地清洁的有用束束撞击。

2. 发明申请

WO2009121385A1 CLEANING MODULE AND EUV LITHOGRAPHY DEVICE WITH CLEANING MODULE 审中-公开
标题翻译：清洁模块和具有清洁模块的EUV光刻设备
公开(公告)号：WO2009121385A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/EP2008/009754
申请日：2008-11-19
申请人： CARL ZEISS SMT AG , EHM, Dirk, Heinrich , KALLER, Julian , SCHMIDT, Stefan , KRAUS, Dieter , WIESNER, Stefan , CZAP, Almut , CHUNG, Hin-Yiu, Anthony , KÖHLER, Stefan
发明人： EHM, Dirk, Heinrich , KALLER, Julian , SCHMIDT, Stefan , KRAUS, Dieter , WIESNER, Stefan , CZAP, Almut , CHUNG, Hin-Yiu, Anthony , KÖHLER, Stefan
IPC分类号： G03F7/20 , B08B7/00
CPC分类号： G03F7/70925 , B08B7/0035
摘要： In order to enable a more gentle cleaning of the optical elements of an EUV lithography device, a cleaning module for an EUV lithography device is suggested with a supply (206) for molecular hydrogen, a heating filament (210) and a line (212) for atomic and/or molecular hydrogen, in which cleaning module the line (212) has at least one bend with a bending angle of less than 120 degrees, the line (212) has a material on its inner surface which has a low recombination rate for atomic hydrogen and the supply (206) is of flared shape at its end which faces the heating filament (210). A gentler cleaning can also be achieved by exciting a cleaning gas by means of a cold cathode or a plasma as well as by filtering out charged particles by means of electrical and/or magnetic fields.
摘要翻译：为了能够对EUV光刻设备的光学元件进行更温和的清洁，建议用于分子氢的供应（206），加热灯丝（210）和线（212）的用于EUV光刻设备的清洁模块，对于原子和/或分子氢，其中线（212）的清洁模块具有弯曲角度小于120度的至少一个弯曲，线（212）在其内表面上具有低复合速率的材料对于原子氢，并且供应（206）在其面向加热丝（210）的端部处具有喇叭形形状。还可以通过借助于冷阴极或等离子体激发清洁气体以及通过电场和/或磁场过滤掉带电粒子来实现温和清洁。

3. 发明申请

WO2010115526A1 VERFAHREN ZUR KONTAMINATIONSVERMEIDUNG UND EUV-LITHOGRAPHIEANLAGE 审中-公开
标题翻译：方法预防污染和EUV光刻系统
公开(公告)号：WO2010115526A1
公开(公告)日：2010-10-14
申请号：PCT/EP2010/001908
申请日：2010-03-26
申请人： CARL ZEISS SMT AG , KRAUS, Dieter , EHM, Dirk, Heinrich , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang , WIESNER, Stefan , CZAP, Almut , KOEHLER, Stefan , CHUNG, Hin, Yiu, Anthony
发明人： KRAUS, Dieter , EHM, Dirk, Heinrich , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang , WIESNER, Stefan , CZAP, Almut , KOEHLER, Stefan , CHUNG, Hin, Yiu, Anthony
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70933 , G03F7/70041 , G03F7/70916
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Verhindern des Durchtretens von kontaminierenden gasförmigen Stoffen (18) durch eine Öffnung (17b) in einer Einhausung (4a) einer EUV-Lithographieanlage (1), wobei in der Einhausung (4a) mindestens ein optisches Element zur Führung von EUV-Strahlung (6) angeordnet ist, und wobei das Verfahren umfasst: Erzeugen mindestens eines die kontaminierenden Stoffe (18, 18') umlenkenden, insbesondere deren Strömungsrichtung (Z) entgegen gerichteten Gasstroms (21 a, 21 b) im Bereich der Öffnung (17b). Der Gasstrom (21 a, 21 b) und die EUV-Strahlung (6) werden gepulst erzeugt und die Pulsrate des Gasstroms (21 a, 21 b) wird in Abhängigkeit von der Pulsrate der unter Einwirkung der gepulsten EUV-Strahlung (6) freigesetzten kontaminierenden Stoffe (18, 18') festgelegt, wobei beide Pulsraten insbesondere gleich groß sind, und wobei sich im Bereich der Öffnung (17b) die Gaspulse zeitlich mit den Pulsen der kontaminierenden Stoffe (18, 18') überlappen. Die Erfindung betrifft auch eine EUV-Lithographieanlage, an der das Verfahren durchgeführt werden kann.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于通过EUV光刻设备（1），的壳体（图4a），其中，在所述壳体（4a）中的开口（17b）的至少一个光学元件的污染气态物质（18）的通过的防止用于引导 EUV辐射（6）设置，并且其中所述方法包括：生成所述污染物中的至少一个（18，18“）偏转，尤其是其流动方向（Z）相反方向的气体流（21 A，21 b）（在开口的区域中 17B）。的气体流（21，21 b）和极紫外辐射（6）产生的脉冲和所述气体流的脉冲率（21 A，21 B）是脉冲EUV辐射的作用下释放，脉冲速率的函数（6）污染物质（18，18“）固定，特别是两个脉冲率相等的尺寸，并且其中在所述开口的区域（17b）的与所述污染物质（18，18的脉冲在时间上的气体脉冲的”重叠）。本发明还涉及一种EUV光刻设备，其中，可以执行该方法。

4. 发明申请

WO2008034582A3 OPTICAL ARRANGEMENT, IN PARTICULAR PROJECTION EXPOSURE APPARATUS FOR EUV LITHOGRAPHY, AS WELL AS REFLECTIVE OPTICAL ELEMENT WITH REDUCED CONTAMINATION 审中-公开
公开(公告)号：WO2008034582A3
公开(公告)日：2008-03-27
申请号：PCT/EP2007/008113
申请日：2007-09-18
申请人： CARL ZEISS SMT AG , ASML NETHERLANDS B.V. , EHM, Dirk, Heinrich , MUELLENDER, Stephan , STEIN, Thomas , MOORS, Johannes, Hubertus, Josephina , WOLSCHRIJN, Bastiaan, Theodoor , KRAUS, Dieter , VERSLUIS, Richard , MEIJERINK, Marcus, Gerhardus, Hendrikus
发明人： EHM, Dirk, Heinrich , MUELLENDER, Stephan , STEIN, Thomas , MOORS, Johannes, Hubertus, Josephina , WOLSCHRIJN, Bastiaan, Theodoor , KRAUS, Dieter , VERSLUIS, Richard , MEIJERINK, Marcus, Gerhardus, Hendrikus
IPC分类号： G03F7/20 , G21K1/06
摘要： The invention relates to an optical arrangement, in particular a projection exposure apparatus (1) for EUV lithography, comprising: a housing (2) that encloses an interior space (15); at least one, in particular reflective, optical element (4 to 10, 12, 14.1 to 14.6) that is arranged in the housing (2); at least one vacuum generating unit (3) for generating a vacuum in the interior space (15) of the housing (2); and at least one vacuum housing (18, 18.1 to 18.10) that is arranged in the interior space (15) of the housing (2) and that encloses at least the optical surface (17, 17.1, 17.2) of the optical element (4 to 10, 12, 14.1 to 14.5), wherein a contamination reduction unit is associated with the vacuum housing (18.1 to 18.10), which contamination reduction unit reduces the partial pressure of contaminating substances, in particular of water and/or hydrocarbons, at least in close proximity to the optical surface (17, 17.1, 17.2) in relation to the partial pressure of the contaminating substances in the interior space (15).

5. 发明申请

WO2008107136A1 VERFAHREN ZUR MESSUNG DER AUSGASUNG SOWIE EUV-LITHOGRAPHIEVORRICHTUNG UND MESSAUFBAU 审中-公开
标题翻译：法测量脱气和EUV光刻设备和测量多达作者：
公开(公告)号：WO2008107136A1
公开(公告)日：2008-09-12
申请号：PCT/EP2008/001643
申请日：2008-03-03
申请人： CARL ZEISS SMT AG , ASML NETHERLANDS B.V. , KRAUS, Dieter , EHM, Dirk, Heinrich , WOLSCHRIJN, Bastiaan, Theodoor , MOORS, Johannes, Hubertus, Josephina
发明人： KRAUS, Dieter , EHM, Dirk, Heinrich , WOLSCHRIJN, Bastiaan, Theodoor , MOORS, Johannes, Hubertus, Josephina
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70916 , G03F7/70233 , G03F7/70925 , G03F7/70983
摘要： Vorgeschlagen wird ein Verfahren zur Messung der Ausgasung in EUV-Vakuumsystemen, insbesondere in EUV-Lithographievorrichtungen, durch Analyse des Restgases, bei dem vor der Analyse des Restgases die Ausgasung induziert wird. Es hat sich herausgestellt, dass gerade auch schwerflüchtige Kohlenwasserstoffe einen nicht zu vernachlässigenden Einfluss auf die Kontamination der optischen Komponenten (15, 16, 18, 19) bei Betriebsaufnahme einer EUV-Lithographievorrichtung (10) haben, sie aber bei herkömmlichen Verfahren nicht detektiert werden. Durch Induzierung von Ausgasung für die Restgasanalyse mit Hilfe einer Stimulierungseinheit (32, 34) zur Oberflächenaktivierung wird erreicht, dass auch schwerflüchtige Kohlenwasserstoffe in einer Konzentration im Restgas vorliegen, die über der Nachweisgrenze üblicher Restgasanalysatoren (31, 33) liegt. Dadurch wird erreicht, dass viel genauer prognostiziert werden kann, ob der Innenraum einer EUV-Lithographievorrichtung (10) rein genug ist, um den Betrieb aufnehmen zu können, ohne eine zu hohe Kontamination befürchten zu müssen. Somit wird effektiv eine höhere Sensitivität der Restgasanalyse erreicht.
摘要翻译：一种方法，提出了一种用于在EUV光刻设备测量EUV真空系统除气，尤其是由其中的残余气体的残余气体的脱气分析之前诱导分析。已经发现，特别是低挥发性烃对在操作接收EUV光刻设备（10）具有与光学组件（15，16，18，19）的污染具有不可忽略的影响，但它们没有在常规的方法来检测。通过用刺激单元（32，34），用于表面活化的方法诱导对残余气体分析脱气实现了甚至非挥发性烃存在于在残余气体中的浓度，这是上述现有的残余气体分析仪（31，33）的检测极限。这确保了可以更准确地EUV光刻设备（10）的内部是否是足够纯净的启动和运行，而无需过度的污染的恐惧预测。因此，残余气体分析的更高的灵敏度被有效地实现。

6. 发明申请

WO2009059614A1 METHOD FOR REMOVING A CONTAMINATION LAYER FROM AN OPTICAL SURFACE, METHOD FOR GENERATING A CLEANING GAS, AND CORRESPONDING CLEANING AND CLEANING... 审中-公开
标题翻译：从光学表面去除污染层的方法，用于产生清洁气体的方法以及相应的清洁和清洁方法
公开(公告)号：WO2009059614A1
公开(公告)日：2009-05-14
申请号：PCT/EP2007/009593
申请日：2007-11-06
申请人： CARL ZEISS SMT AG , ASML NETHERLANDS B.V. , STORM, Arnold , EHM, Dirk, Heinrich , MOORS, Johannes, Hubertus, Josephina , WOLSCHRIJN, Bastiaan, Theodoor , STEIN, Thomas , TE SLIGTE, Edwin
发明人： STORM, Arnold , EHM, Dirk, Heinrich , MOORS, Johannes, Hubertus, Josephina , WOLSCHRIJN, Bastiaan, Theodoor , STEIN, Thomas , TE SLIGTE, Edwin
IPC分类号： B08B7/00
CPC分类号： B08B5/02 , B08B7/00 , G03F7/70925
摘要： The invention relates to a method for at least partially removing a contamination layer (15) from an optical surface (14a) of an EUV-reflective optical element (14) by bringing a cleaning gas, preferably comprising atomic hydrogen, into contact with the contamination layer (15), the method comprising the steps of: directing a jet (20) of cleaning gas to the contamination layer (15) for removing material from the contamination layer (15), monitoring the contamination layer (15) for generating a signal indicative of the thickness of the contamination layer (15), and controlling the jet (20) of cleaning gas by moving the jet (20) of cleaning gas relative to the optical surface (14a) using the signal indicative of the thickness of the contamination layer (15) as a feedback signal, and to a corresponding cleaning arrangement (19 to 24). The invention further relates to a method for generating a jet (20) of cleaning gas, as well as to a corresponding cleaning gas generation arrangement.
摘要翻译：本发明涉及通过使清洁气体（优选包括原子氢）与污染物接触而至少部分地从EUV反射光学元件（14）的光学表面（14a）去除污染物层（15）的方法层（15），所述方法包括以下步骤：将清洁气体的喷嘴（20）引导到污染层（15）以从污染层（15）去除材料，监测污染层（15）以产生信号指示污染层（15）的厚度，以及通过使用指示污染物厚度的信号相对于光学表面（14a）移动清洁气体的喷嘴（20）来控制清洁气体的喷嘴（20）层（15）作为反馈信号，以及相应的清洁装置（19至24）。本发明还涉及一种用于产生清洁气体的喷嘴（20）的方法，以及相应的清洁气体产生装置。

7. 发明申请

WO2009128717A1 LITHOGRAPHIC APPARATUS COMPRISING AN INTERNAL SENSOR AND A MINI-REACTOR, AND METHOD FOR TREATING A SENSING SURFACE OF THE INTERNAL SENSOR 审中-公开
标题翻译：包含内部传感器和微型反应器的平面设备以及用于处理内部传感器的感测表面的方法
公开(公告)号：WO2009128717A1
公开(公告)日：2009-10-22
申请号：PCT/NL2009/050201
申请日：2009-04-15
申请人： ASML NETHERLANDS B.V. , CARL ZEISS SMT AG , MOORS, Johannes Hubertus Josephina , WOLSCHRIJN, Bastiaan Theodoor , EHM, Dirk, Heinrich
发明人： MOORS, Johannes Hubertus Josephina , WOLSCHRIJN, Bastiaan Theodoor , EHM, Dirk, Heinrich
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70933 , G03F7/70925 , G03F7/70975
摘要： A lithographic apparatus (1) includes a projection system (PS) constructed and arranged to project a beam of radiation (B) onto a target portion (C) of a substrate (W), an internal sensor (201) having a sensing surface (202), and a mini-reactor (210) movable with respect to the sensor (201). The mini-reactor includes an inlet (220) for a hydrogen containing gas (226), a hydrogen radical generator (260), and an outlet (230) for a hydrogen radical containing gas (266). The mini-reactor (210) is constructed and arranged to create a local mini-environment (255) comprising hydrogen radicals to treat the sensing surface (202).
摘要翻译：光刻设备（1）包括构造和布置成将辐射束（B）投射到基底（W）的目标部分（C）上的投影系统（PS），具有感测表面的内部传感器（201） 202）和可相对于传感器（201）移动的小型反应器（210）。微型反应器包括用于含氢气体（226）的入口（220），氢自由基产生器（260）和用于含氢气体气体（266）的出口（230）。小型反应器（210）被构造和布置成产生包括氢自由基的局部微环境（255），以处理感测表面（202）。

8. 发明申请

WO2008148516A2 REFLECTIVE OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR OPERATING AN EUV LITHOGRAPHY DEVICE 审中-公开
标题翻译：反射光学元件和操作EUV光刻设备的方法
公开(公告)号：WO2008148516A2
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：PCT/EP2008/004400
申请日：2008-06-03
申请人： CARL ZEISS SMT AG , ASML NETHERLANDS B.V. , EHM, Dirk, Heinrich , MOORS, Johannes, Hubertus, Josephina , WOLSCHRIJN, Bastiaan, Theodoor , MÜLLENDER, Stephan
发明人： EHM, Dirk, Heinrich , MOORS, Johannes, Hubertus, Josephina , WOLSCHRIJN, Bastiaan, Theodoor , MÜLLENDER, Stephan
IPC分类号： G21K1/06 , G02B5/08
CPC分类号： G21K1/062 , B82Y10/00 , G02B5/0858 , G02B5/0891
摘要： To reduce the negative influence of metallic contamination within an EUV lithography device on the reflectivity, a reflective optical element (50) for the extreme ultraviolet and soft x-ray wavelength ranges having a reflective surface is suggested, in which the reflective surface (59) has an uppermost layer (56) made of a material of the group consisting of zinc, manganese, silver, lead, tin, and their alloys. Further material from the group consisting of zinc, manganese, silver, lead, tin, and their alloys, which would accumulate during operation of the EUV lithography device on the reflective optical element (50) is converted into volatile compounds by adding atomic hydrogen.
摘要翻译：为了减少EUV光刻设备内的金属污染对反射率的负面影响，提出了一种具有反射表面的极紫外和软X射线波长范围的反射光学元件（50），其中反射表面（59）具有由锌，锰，银，铅，锡及其合金组成的组的材料制成的最上层（56）。在EUV光刻装置在反射型光学元件（50）的操作期间积聚的来自由锌，锰，银，铅，锡及其合金组成的组的其它材料通过加入原子氢转化为挥发性化合物。

9. 发明申请

WO2008061690A1 VERFAHREN ZUM ENTFERNEN VON KONTAMINATIONEN AUF OPTISCHEN OBERFLÄCHEN UND OPTISCHE ANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：方法污染对光学表面和光学装置的拆卸
公开(公告)号：WO2008061690A1
公开(公告)日：2008-05-29
申请号：PCT/EP2007/010003
申请日：2007-11-20
申请人： CARL ZEISS SMT AG , ASML NETHERLANDS B.V. , EHM, Dirk, Heinrich , MOORS, Johannes, Hubertus, Josephina , WOLSCHRIJN, Bastiaan, Theodoor , BANINE, Vadim , IVANOV, Vladimir Vitalevitch
发明人： EHM, Dirk, Heinrich , MOORS, Johannes, Hubertus, Josephina , WOLSCHRIJN, Bastiaan, Theodoor , BANINE, Vadim , IVANOV, Vladimir Vitalevitch
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70916 , G03F7/70925
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Entfernen von Kontaminationen auf optischen Oberflächen (26), die in einer Vakuum-Umgebung in einer optischen Anordnung, bevorzugt in einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV- Lithographie, angeordnet sind, umfassend die Schritte: Erzeugen einer molekularen Wasserstoff (18) und zumindest ein Inertgas (17) enthaltenden Restgasatmosphäre in der Vakuum-Umgebung, Erzeugen von Inertgas-Ionen (21 ) durch Ionisieren des Inertgases bevorzugt mittels EUV-Strahlung (20), und Erzeugen von atomarem Wasserstoff (27) durch Beschleunigen der InertgasIonen (21) in der Restgasatmosphäre zum Entfernen der Kontaminationen. Die Erfindung betrifft auch eine zugehörige optische Anordnung.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在光学装置中用于EUV光刻的投射曝光设备中除去在真空环境中的光学表面（26）上的污染，优选地被布置，其包括以下步骤：产生氢分子（18 ）和至少含有残留气体气氛中的真空环境中，通过优选电离惰性气体产生惰性气体（21）的惰性气体（17）（由通过加速惰性气体离子的EUV辐射20），并产生原子氢（27）的装置（ 21）在污染去除的残余气体环境。本发明还涉及相关联的光学装置。

10. 发明申请

WO2010081721A1 EUV LITHOGRAPHY SYSTEM AND CABLE FOR THE SAME 审中-公开
标题翻译： EUV光刻系统和电缆
公开(公告)号：WO2010081721A1
公开(公告)日：2010-07-22
申请号：PCT/EP2010/000212
申请日：2010-01-15
申请人： CARL ZEISS SMT AG , HOLGER, Fischer , EHM, Dirk, Heinrich , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang , KRAUS, Dieter
发明人： HOLGER, Fischer , EHM, Dirk, Heinrich , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang , KRAUS, Dieter
IPC分类号： G03F7/20 , H01B7/17
CPC分类号： G03F7/70916 , G03F7/7095 , G03F7/70983 , G03F7/70991
摘要： The invention relates to an EUV lithography system, comprising: an EUV light source for generating EUV radiation as well as at least one cable (33) running in a beam guidance chamber of the EUV lithography system. The cable (33) running in the beam guidance chamber is exposed in at least a subregion of its surface (33a) to the EUV radiation and the cable (33) consists at least at the subregion of its surface (33a) exposed to the EUV radiation of a material (34a) resistant to the EUV radiation. The invention also relates to a cable (33) for use in a beam guidance chamber of an EUV lithography system as well as to a method for installing a cable (33) in a beam guidance chamber of an EUV lithography system. In particular, the electrical conductor of the cable or insulation of the cable may be provided with a sheathing, e.g. in the form of a foil (34), which comprises at least one EUV-resistant layer.
摘要翻译：本发明涉及一种EUV光刻系统，包括：用于产生EUV辐射的EUV光源以及在EUV光刻系统的光束引导室中运行的至少一个光缆（33）。在光束引导室中延伸的电缆（33）至少在EUV辐射表面（33a）的一个子区域上，电缆（33）至少在其暴露于EUV的表面（33a）的亚区域辐射耐EUV辐射的材料（34a）。本发明还涉及一种用于EUV光刻系统的光束引导室中的电缆（33）以及用于在EUV光刻系统的光束引导室中安装电缆（33）的方法。特别地，电缆的电导体或电缆的绝缘体可以设置有护套，例如电缆。以箔（34）的形式，其包括至少一个耐EUV的层。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式