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1. 发明申请

WO2009071421A1 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR BEARBEITUNG VON OPTISCHEN ELEMENTEN MITTELS LASERABLATION 审中-公开
标题翻译：设备和方法处理光学元件的激光烧蚀
公开(公告)号：WO2009071421A1
公开(公告)日：2009-06-11
申请号：PCT/EP2008/065266
申请日：2008-11-11
申请人： CARL ZEISS SMT AG , FREIMANN, Rolf , STICKEL, Franz-Josef , ZIMMER, Klaus , BÖHME, Rico
发明人： FREIMANN, Rolf , STICKEL, Franz-Josef , ZIMMER, Klaus , BÖHME, Rico
IPC分类号： B23K26/36 , B23K26/40
CPC分类号： B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2203/50
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft Verfahren und Vorrichtungen zur Bearbeitung von optischen Elementen sowie derartige optische Elemente, wobei in der Vorrichtung eine Werkstückhalterung zur Aufnahme des zu bearbeitenden Werkstücks (1) und ein Bearbeitungslaser (4) zur Bereitstellung des für die Bearbeitung erforderlichen Bearbeitungslaserlichts sowie eine Dampferzeugungseinrichtung und/oder eine Einrichtung zur Metallbeschichtung vorgesehen sind, mit welcher vor der zu bearbeitenden Oberfläche des optischen Elements eine Dampfphase mit einem Abtragungsmittel erzeugt werden kann und/oder eine Metallschicht auf dem optischen Element abgeschieden werden kann. Weiterhin kann eine Erfassungseinrichtung zur Erfassung der zu bearbeitenden Oberfläche vorgesehen sein, wobei die Erfassungseinrichtung (8, 80, 180) so im Bezug zur zu bearbeitenden Oberfläche (2, 402) angeordnet ist, dass die Topographie der zu bearbeitenden Oberflächen während der Bearbeitung oder unmittelbar zwischen Bearbeitungsschritten ermittelbar ist.
摘要翻译：本发明涉及一种用于加工的光学元件和这样的光学元件，其中，在所述设备包括用于保持所述工件的工件夹持器的方法和装置被加工（1）和一个加工激光器（4），用于提供必要的用于处理加工用激光，和一个蒸汽发生装置，和或用于金属涂层的设备都是/设置有所述光学元件的被加工前的表面，可以用去除装置和/或可被沉积在光学元件上的金属层中产生的蒸气相。此外，检测装置可以被设置用于检测表面被处理，其中，待加工的检测装置（8，80，180），以便相对于所述表面（2，402）被布置成使得待加工期间立即加工的表面的形貌或可以在处理步骤之间来确定。

2. 发明申请

WO2011073937A2 ANLAGE UND VERFAHREN ZUR DOTIERUNG VON HALBLEITERMATERIALIEN 审中-公开
标题翻译：系统和方法掺杂半导体材料
公开(公告)号：WO2011073937A2
公开(公告)日：2011-06-23
申请号：PCT/IB2010/055871
申请日：2010-12-16
申请人： ROTH & RAU AG , BÖHME, Rico , HARTWIG, Lars , EBERT, Robby , MÜLLER, Mathias
发明人： BÖHME, Rico , HARTWIG, Lars , EBERT, Robby , MÜLLER, Mathias
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： B23K26/0676 , B23K26/0622 , B23K26/066 , B23K26/082 , B23K26/0821 , H01L21/223 , H01L21/2254 , H01L21/268 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung betrifft eine Anlage und ein Verfahren zur Dotierung von Substraten mit Laser, wobei bei dem Verfahren wenigstens ein Dotierstoff in Kontakt mit der Substratoberfläche ist und eine lokale Erwärmung der Substratoberfläche durch einen Laserstrahl erfolgt. Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Laserdotierprozess bereitzustellen, der es erlaubt, Substrate in hoher Geschwindigkeit zu dotieren, dabei eine geringe Versetzungsdichte an der Substratoberfläche zu erzeugen, eine gute elektrische Aktivierung von Dotanten zu erreichen und darüber hinaus die Option zu bieten, bestimmte Bereiche gezielt höher zu dotieren. Diese Aufgabe wird durch eine Anlage zur Dotierung von Substraten mit Laser gelöst, wobei die Anlage wenigstens einen Faserlaser mit einem Laserstrahl mit rundem Strahlquerschnitt und einer Scannereinheit aufweist, durch welche die Substratoberfläche mit einem Laserstrahl abrastbar ist, wobei das emittierte Licht des Faserlasers eine Wellenlänge im Bereich von 750 nm bis 3000 nm aufweist. Die Aufgabe wird ferner durch ein Verfahren zur Dotierung von Substraten gelöst, bei welchem wenigstens ein Dotierstoff in Kontakt mit der Substratoberfläche ist und eine lokale Erwärmung der Substratoberfläche durch einen Laserstrahl erfolgt, wobei ein Faserlaser mit einem Laserstrahl mit rundem Strahlquerschnitt erzeugt, welcher mit einer Scannereinheit über die Substratoberfläche geführt wird, wobei der Faserlaser Licht mit einer Wellenlänge von 750 nm bis 3000 nm ausstrahlt.
摘要翻译：本发明涉及一种用于使用激光和植物基底的掺杂方法，在该方法中至少一个掺杂剂与基板表面接触，并通过激光束进行的衬底表面的局部加热。本发明的目的是提供一种Laserdotierprozess其允许在掺杂高速底物，从而产生在基板表面上的低位错密度，以实现掺杂剂的良好的电激活，并且还提供的某些选项掺杂区目标较高。这个目的是通过用于与激光衬底的掺杂的植物解决，所述设备包括至少一个光纤激光器具有圆形光束的横截面和一个扫描单元，通过该基底表面是abrastbar用激光束，其中所述光纤激光器的发射的光具有的波长的激光束具有750纳米的范围内至3000nm。该目的通过一种用于基板的掺杂方法，其中至少一个掺杂剂与基板表面，然后通过使用光纤激光器的激光束在衬底表面的局部加热接触产生具有圆形光束的横截面的激光束，其被提供有扫描仪单元进一步实现被引导在衬底表面上，光纤激光器发射具有750纳米的波长的光至3000nm。

3. 发明申请

WO2011073937A9 ANLAGE UND VERFAHREN ZUR DOTIERUNG VON HALBLEITERMATERIALIEN 审中-公开
公开(公告)号：WO2011073937A9
公开(公告)日：2011-06-23
申请号：PCT/IB2010/055871
申请日：2010-12-16
申请人： INNOLAS SYSTEMS GMBH , BÖHME, Rico , HARTWIG, Lars , EBERT, Robby , MÜLLER, Mathias
发明人： BÖHME, Rico , HARTWIG, Lars , EBERT, Robby , MÜLLER, Mathias
IPC分类号： H01L21/268
摘要： Die Erfindung betrifft eine Anlage und ein Verfahren zur Dotierung von Substraten mit Laser, wobei bei dem Verfahren wenigstens ein Dotierstoff in Kontakt mit der Substratoberfläche ist und eine lokale Erwärmung der Substratoberfläche durch einen Laserstrahl erfolgt. Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Laserdotierprozess bereitzustellen, der es erlaubt, Substrate in hoher Geschwindigkeit zu dotieren, dabei eine geringe Versetzungsdichte an der Substratoberfläche zu erzeugen, eine gute elektrische Aktivierung von Dotanten zu erreichen und darüber hinaus die Option zu bieten, bestimmte Bereiche gezielt höher zu dotieren. Diese Aufgabe wird durch eine Anlage zur Dotierung von Substraten mit Laser gelöst, wobei die Anlage wenigstens einen Faserlaser mit einem Laserstrahl mit rundem Strahlquerschnitt und einer Scannereinheit aufweist, durch welche die Substratoberfläche mit einem Laserstrahl abrastbar ist, wobei das emittierte Licht des Faserlasers eine Wellenlänge im Bereich von 750 nm bis 3000 nm aufweist. Die Aufgabe wird ferner durch ein Verfahren zur Dotierung von Substraten gelöst, bei welchem wenigstens ein Dotierstoff in Kontakt mit der Substratoberfläche ist und eine lokale Erwärmung der Substratoberfläche durch einen Laserstrahl erfolgt, wobei ein Faserlaser mit einem Laserstrahl mit rundem Strahlquerschnitt erzeugt, welcher mit einer Scannereinheit über die Substratoberfläche geführt wird, wobei der Faserlaser Licht mit einer Wellenlänge von 750 nm bis 3000 nm ausstrahlt.

4. 发明申请

WO2012049281A2 VERFAHREN ZUR GALVANISCHEN ERZEUGUNG VON KONTAKTSTRUKTUREN AUF WAFERN FÜR DIE PRODUKTION VON SOLARZELLEN UND MODULEN 审中-公开
标题翻译：方法接触结构的晶片上的用于太阳能电池和组件生产GALVANIC生产
公开(公告)号：WO2012049281A2
公开(公告)日：2012-04-19
申请号：PCT/EP2011/067957
申请日：2011-10-14
申请人： ROTH & RAU AG , PETRI, Marc , BÖHME, Rico
发明人： PETRI, Marc , BÖHME, Rico
IPC分类号： H01L31/05
CPC分类号： H01L31/188 , C25D5/006 , C25D5/022 , C25D7/12 , C25D17/001 , C25D17/005 , H01L31/049 , Y02E10/50
摘要： Es wird ein Verfahren zur galvanischen Erzeugung von Kontaktstrukturen auf Wafern für die Produktion von Solarzellen und Modulen offenbart. Auf Wafern mit bereits aufgebrachter Rückseitenmetallisierung und mit Rückseitenkontakten, sowie geöffneten Flächen für die Kontaktstrukturen in der Antireflexions- und Passivierungsschicht der Vorderseite erfolgt eine Abdeckung der Rückseite. In den nachfolgenden galvanischen Schritten zur Erzeugung der Kontaktstrukturen auf der Vorderseite sind so die Rückseitenkontakte geschützt und werden nicht während des galvanischen Prozesses angegriffen.
摘要翻译：它公开了一种用于在晶片上用于制造太阳能电池和模块的电生产接触结构的方法。在具有施加的预后侧和后接触部件，以及用于在所述前侧的防反射和钝化的盖后发生接触结构的开放区域的晶片。在用于制造在后侧接触，使被保护的前接触结构和在电镀过程中不攻击随后的电镀步骤。

5. 发明申请

WO2011073937A3 ANLAGE UND VERFAHREN ZUR DOTIERUNG VON HALBLEITERMATERIALIEN 审中-公开
公开(公告)号：WO2011073937A3
公开(公告)日：2011-06-23
申请号：PCT/IB2010/055871
申请日：2010-12-16
申请人： ROTH & RAU AG , BÖHME, Rico , HARTWIG, Lars , EBERT, Robby , MÜLLER, Mathias
发明人： BÖHME, Rico , HARTWIG, Lars , EBERT, Robby , MÜLLER, Mathias
IPC分类号： H01L21/268
摘要： Die Erfindung betrifft eine Anlage und ein Verfahren zur Dotierung von Substraten mit Laser, wobei bei dem Verfahren wenigstens ein Dotierstoff in Kontakt mit der Substratoberfläche ist und eine lokale Erwärmung der Substratoberfläche durch einen Laserstrahl erfolgt. Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Laserdotierprozess bereitzustellen, der es erlaubt, Substrate in hoher Geschwindigkeit zu dotieren, dabei eine geringe Versetzungsdichte an der Substratoberfläche zu erzeugen, eine gute elektrische Aktivierung von Dotanten zu erreichen und darüber hinaus die Option zu bieten, bestimmte Bereiche gezielt höher zu dotieren. Diese Aufgabe wird durch eine Anlage zur Dotierung von Substraten mit Laser gelöst, wobei die Anlage wenigstens einen Faserlaser mit einem Laserstrahl mit rundem Strahlquerschnitt und einer Scannereinheit aufweist, durch welche die Substratoberfläche mit einem Laserstrahl abrastbar ist, wobei das emittierte Licht des Faserlasers eine Wellenlänge im Bereich von 750 nm bis 3000 nm aufweist. Die Aufgabe wird ferner durch ein Verfahren zur Dotierung von Substraten gelöst, bei welchem wenigstens ein Dotierstoff in Kontakt mit der Substratoberfläche ist und eine lokale Erwärmung der Substratoberfläche durch einen Laserstrahl erfolgt, wobei ein Faserlaser mit einem Laserstrahl mit rundem Strahlquerschnitt erzeugt, welcher mit einer Scannereinheit über die Substratoberfläche geführt wird, wobei der Faserlaser Licht mit einer Wellenlänge von 750 nm bis 3000 nm ausstrahlt.

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