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1. 发明申请

WO02093122A3 SENSOR ARRANGEMENT, IN PARTICULAR MICRO-MECHANICAL SENSOR ARRANGEMENT 审中-公开
标题翻译：传感器装置，尤其是微机械传感器装置
公开(公告)号：WO02093122A3
公开(公告)日：2003-04-10
申请号：PCT/DE0201452
申请日：2002-04-19
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , RUDHARD JOACHIM , HEYERS KLAUS
发明人： RUDHARD JOACHIM , HEYERS KLAUS
IPC分类号： B81B3/00 , B81B7/00 , B81B7/02 , B81C3/00 , G01C19/56 , G01P1/02 , G01P9/04 , G01P15/08
CPC分类号： G01P15/0802 , B81B2201/0235 , B81C1/0023 , G01P1/023
摘要： The invention relates to a sensor arrangement (1), in particular a micro-mechanical sensor arrangement (1) and method for production thereof, comprising a sensor section (2), for delivering determined sensor signals and a cover section (3), arranged on the sensor section (2) to form a hermetically sealed inner sensor chamber (4). An analytical electronic device (30) may be integrated at least partly in the cover section (3) for an analysis of the sensor signals and may be connected electrically to a corresponding circuit device (20) in the sensor section (2).
摘要翻译：本发明提供了一种传感器组件（1），尤其是微机械传感器装置（1），和用于制备相同，具有用于提供特定的传感器信号（2）的传感器部的方法; 和盖部（3），其设置在传感器部（2），用于形成气密密封的内部传感器室（4），其特征在于，一个电子分析器（30）至少部分地集成，并用于评估传感器信号电连接到一个所述盖部（3）传感器部（2）的相应电路装置（20）是可连接的。

2. 发明申请

WO2008022841A3 METHOD FOR DETERMINING THE ROTATION SPEED OF A STARTER 审中-公开
标题翻译： METHOD FOR起动器确定速度
公开(公告)号：WO2008022841A3
公开(公告)日：2008-09-12
申请号：PCT/EP2007056980
申请日：2007-07-09
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , HEYERS KLAUS , GE JIE , TSAKIRIS APOSTOLOS
发明人： HEYERS KLAUS , GE JIE , TSAKIRIS APOSTOLOS
IPC分类号： H02P7/24 , G01B3/46
CPC分类号： H02P7/245 , F02N11/0844 , F02N11/0855 , F02N2200/041 , F02N2200/043 , F02N2200/044 , F02N2200/045 , Y02T10/48
摘要： The invention relates to a method for determining the rotation speed (n) of a starter (1) for starting internal combustion engines. The starter rotation speed (n) can be determined in a particularly simple and cost-effective manner by being calculated from various electrical variables (U 45 , U br ) and being calibrated by comparison with the internal combustion engine rotation speed.
摘要翻译：本发明涉及一种用于确定起动机（1）的速度（n）的用于内燃机的起动。起动转速（n）可被以特别简单和廉价的测定，通过从不同的电值来计算它（U _{45 ，U _{BR ），并通过与所述发动机速度对比被校准。}}

3. 发明申请

WO2006120180A3 STARTING DEVICE FOR INTERNAL COMBUSTION ENGINES IN MOTOR VEHICLES 审中-公开
标题翻译： STARTER用于机动车辆的内燃机
公开(公告)号：WO2006120180A3
公开(公告)日：2007-04-26
申请号：PCT/EP2006062124
申请日：2006-05-08
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , SCHMIDT KARL-OTTO , HARTMANN SVEN , HEYERS KLAUS , BOTZENHARD THOMAS , GERSCHWITZ WALTER , KUETTNER BIRGIT , GRELLSCHEID STEFFI , TSAKIRIS APOSTOLOS
发明人： SCHMIDT KARL-OTTO , HARTMANN SVEN , HEYERS KLAUS , BOTZENHARD THOMAS , GERSCHWITZ WALTER , KUETTNER BIRGIT , GRELLSCHEID STEFFI , TSAKIRIS APOSTOLOS
IPC分类号： F02N11/08 , F02N99/00 , F02N15/06 , H01H51/06
CPC分类号： F02N11/0855 , F02D2041/0095 , F02D2041/2027 , F02N11/0814 , F02N11/087 , F02N15/067 , H01H51/065
摘要： The invention relates to a starter device (10) for internal combustion engines (15) in motor vehicles with a controller (19), a starter relay (12), a starter pinion (13) and a starter motor (11), whereby on each start/stop process in the stop phase (first step) the starter relay engages the starter pinion in the toothed ring (14) of the engine and in the start phase (second step) the engine is turned over by the starter motor. According to the invention, the starter pinion (13) may be engaged as quietly as possible for a subsequent starting process on switching off the engine (10) and held in position until starting, whereby, in the first step of the starting process, the armature (28) of the starter relay (12) is withdrawn with reduced force to a position with open switch contact (18) and held there until the start of the second step, whereupon the armature (28) closes the switch contact (18) of the starter motor with full force.
摘要翻译：本发明涉及一种用于内燃发动机（15）在机动车中具有控制单元（19），起动器继电器（12），起动器的小齿轮（13）和起动器马达（11），在每次启动 - 停止操作的起动继电器起动装置（10）在停止阶段（第一阶段），在所述环形齿轮（14）的起动机小齿轮的机器的啮合，并且在起动阶段（第二阶段）的发动机正在起动马达曲柄。到用于随后的启动中，起动器的小齿轮（13）einzuspuren噪声尽可能的机器（10）的停止和有能够容纳开始，因此建议在起动器继电器的启动操作（28）的第一阶段到锚（12）推进和减小的力到位置仍处于打开状态的开关触点（18），以保持它在那里，直到所述电枢（28），用于具有完全强制关闭起动电动机的开关触点（18）的第二阶段的开始。

4. 发明申请

WO2006037711A3 SEMICONDUCTOR COMPONENT 审中-公开
标题翻译：半导体部件
公开(公告)号：WO2006037711A3
公开(公告)日：2006-07-13
申请号：PCT/EP2005054523
申请日：2005-09-12
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , FLOHRS PETER , GOERLACH ALFRED , URBACH PETER , FEILER WOLFGANG , QU NING , HEYERS KLAUS
发明人： FLOHRS PETER , GOERLACH ALFRED , URBACH PETER , FEILER WOLFGANG , QU NING , HEYERS KLAUS
IPC分类号： H01L29/8605 , H01L21/329
CPC分类号： H01L28/20 , G01K7/22 , H01L27/0802 , H01L29/8605 , H01L29/8611
摘要： The invention relates to a semiconductor element and to a method for producing a semiconductor element of this type, whose resistance behaviour is strongly dependent on the temperature. Said resistance behaviour is obtained by a special multi-layer structure of the semiconductor element, a layer being configured in such a way that several p-doped regions are present in an n-doped region, said regions being short-circuited on one face by means of a metallised layer. The semiconductor element can for example be used to reduce current spikes by being integrated into a conductor. When cold, the semiconductor component has a high resistance, which becomes significantly lower when the semiconductor component is heated as a result of the flowing current.
摘要翻译：本发明公开一种半导体器件及其制造具有电阻行为，这是高度依赖于温度这样的半导体器件的方法。此电阻器的行为，是由半导体器件，其中一个层被设计成使得多个p掺杂区的存在，例如，在n型掺杂的区域，该区域被短路通过金属化的手段在一侧的一个特殊的多层结构得到的。半导体器件可以被用于减少电流尖峰，例如，在那里它然后整合入的导体。在冷态下，半导体器件具有高电阻，其在半导体器件的加热后由于流过的电流是显著小。

5. 发明申请

WO9927325A2 THERMAL MEMBRANE SENSOR AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF 审中-公开
标题翻译：热膜传感器及其生产方法
公开(公告)号：WO9927325A2
公开(公告)日：1999-06-03
申请号：PCT/DE9803444
申请日：1998-11-23
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , HEYERS KLAUS , FREY WILHELM
发明人： HEYERS KLAUS , FREY WILHELM
IPC分类号： G01F1/68 , G01F1/684 , G01K7/02 , G01K7/16 , H01L35/34 , G01F
CPC分类号： G01F1/6845 , G01K7/028
摘要： The invention relates to a method for producing a membrane sensor, especially a thermal membrane sensor, over a silicon substrate (1). A thin layer (4) comprised of silicon carbide or silicon nitride is deposited over an area (2) made of porous silicon which is configured in the surface of the substrate (1). Openings (5, 7) are then formed in said silicon carbide or silicon nitride layer (4), said layer extending to the porous silicon layer (2), by means of a dry etching method. Afterwards, semiconductor and circuit-board structures (6) are implanted in the upper surface of the membrane layer (4) by means of lithographic steps and the sacrificial layer (2) comprised of porous silicon is then removed by a suitable solvent, for example ammoniac. As a result, a cavity (8) is produced underneath the membrane layer (4) which thermally decouples the sensor membrane from the substrate (1).
摘要翻译：本发明涉及一种用于在硅衬底（1）上，特别是热膜传感器上制造膜传感器的方法。在基板（1）区域的表面上形成碳化硅或氮化硅的薄层（4）（2）多孔硅的沉积，然后通过干法蚀刻开口（5,7）（在该碳化硅或氮化硅层4 ），其延伸到多孔氮化硅层（2）。随后，通过平版印刷步骤的半导体和导体轨道结构（6）注入到薄膜层的（4），然后该牺牲层（2）用合适的溶剂多孔硅的，例如上表面氨，删除。这在膜层（4）的下面形成将传感器膜与基板（1）热分离的空腔（8）。

6. 发明专利

DE102019212646A1 GRABENTRANSISTOR 未知
公开(公告)号：DE102019212646A1
公开(公告)日：2021-02-25
申请号：DE102019212646
申请日：2019-08-23
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： HEYERS KLAUS , SCHOLTEN DICK , ALSMEIER JAN-HENDRIK , FEILER WOLFGANG , BANZHAF CHRISTIAN TOBIAS , SCHWAIGER STEPHAN
IPC分类号： H01L29/78
摘要： Es wird ein Grabentransistor (100) bereitgestellt, aufweisend: ein Halbleitergebiet (2), eine in dem Halbleitergebiet (2) ausgebildete Grabenstruktur (1), eine Gate-Isolationsschicht (3, 4) und eine auf der Gate-Isolationsschicht (3, 4) ausgebildete elektrisch leitende Gateschicht (5) in der Grabenstruktur (1), und einen Gatekontakt (6), der mit der Gateschicht (5) in einem Randbereich (7a) des Grabentransistors (100) elektrisch leitend verbunden ist, wobei eine Dicke (8) der Gate-Isolationsschicht (3, 4) in dem Randbereich (7a) des Grabentransistors (100) größer ist als in einem aktiven Bereich (7b) des Grabentransistors (100).

7. 发明专利

DE102019207763A1 Transistorzelle mit einem implantierten, stromtragenden Gebiet 未知
公开(公告)号：DE102019207763A1
公开(公告)日：2020-12-03
申请号：DE102019207763
申请日：2019-05-27
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： HEYERS KLAUS , MARTINEZ-LIMIA ALBERTO , ALSMEIER JAN-HENDRIK , SCHWAIGER STEPHAN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/20 , H01L21/22 , H01L21/336 , H01L27/088 , H01L29/04
摘要： Transistorzelle (100) mit einem Halbleitersubstrat (101), das eine Vorderseite und eine Rückseite aufweist, wobei die Vorderseite der Rückseite gegenüberliegt, wobei auf der Vorderseite eine Epitaxieschicht (102) angeordnet ist, wobei auf der Epitaxieschicht (102) Kanalgebiete (103) angeordnet sind und auf den Kanalgebieten (103) Sourcegebiete (104) angeordnet sind, wobei sich ein Graben (105) und Feldabschirmgebiete (108) von der Vorderseite des Halbleitersubstrats (101) bis in die Epitaxieschicht (102) erstrecken, wobei die Feldabschirmgebiete (108) jeweils seitlich beabstandet zum Graben (105) angeordnet sind und der Graben (105) eine geringere Tiefe aufweist als die Feldabschirmgebiete (108), dadurch gekennzeichnet, dass ein implantiertes, stromtragendes Gebiet (112) mindestens unterhalb des Grabens (105) angeordnet ist.

8. 发明专利

DE102019201454A1 Halbleiter-Bauelement, Leistungsschalter, Steuergerät 未知
公开(公告)号：DE102019201454A1
公开(公告)日：2020-08-06
申请号：DE102019201454
申请日：2019-02-05
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： HEYERS KLAUS , MARTINEZ-LIMIA ALBERTO , BARTOLF HOLGER , GOERLACH ALFRED , FEILER WOLFGANG , SCHWAIGER STEPHAN
IPC分类号： H01L27/088
摘要： Es wird ein Halbleiter-Bauelement (1) mit einer Kaskodenschaltung aus einem SiC MOSFET aufweisend mindestens ein Sourcegebiet (9, 10) und mindestens ein Spreadinggebiet (11, 111) erster Dotierung und mindestens ein Bodygebiet (8, 108) zweiter Dotierung und mindestens einem SiC JFET in einer Zelle des Bauelements (1) beschrieben, wobei der SiC JFET mehrere vergrabene Schichten (12, 13, 14) aufweist, wobei zwei vergrabene Schichten (12, 13) Gebiete erster Dotierung (12.1, 12.3, 13.1, 13.3) und Gebiete zweiter Dotierung (12.2, 12.4, 13.2, 13.4) aufweisen und eine vergrabene Schicht (14) mit der ersten Dotierung dotiert ist und wobei in jeder Halbzelle der Zelle deren Gebiete zweiter Dotierung und das Sourcegebiet erster Dotierung (12.2, 12.4, 13.2, 13.4) des SiC JFET mit dem Sourcepotenzial des SiC MOSFET mindestens einmal verbunden sind und wobei in jeder Halbzelle der Zelle deren Gebiete zweiter Dotierung und das Sourcegebiet erster Dotierung (12.2, 12.4, 13.2, 13.4) des SiC JFET mit dem Sourcepotenzial des SiC MOSFET mindestens einmal verbunden sind, und wobei an die Sourcemetallisierung (2, 102) angeschlossene Kontaktgebiete (10, 110) mit zweiter Dotierung des SiC JFET und des SiC MOSFET mindestens eine vergrabene Schicht des SiC JFET vertikal überdecken.Ferner wird ein Leistungsschalter mit einem Halbleiter-Bauelement (1) vorgeschlagen.

9. 发明专利

DE102009027915A1 Halbleiteranordnung mit einem Siliziumcarbid-Substrat und Verfahren zu dessen Herstellung 未知
公开(公告)号：DE102009027915A1
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：DE102009027915
申请日：2009-07-22
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： HEYERS KLAUS , PECK MARCO
IPC分类号： H01L21/3063 , H01L21/308
摘要： Vorgeschlagen wird eine Halbleiteranordnung und ein Verfahren zur prozesstechnisch einfachen Herstellung einer lateralen elektrischen Isolation auf einem Siliziumcarbid-Substrat (1, 9). Das Verfahren ist für alle Randterminierungen von Leistungsbauelementen wie Schalter und Dioden, jedoch insbesondere für Schottky-Dioden (8), auf SiC geeignet. Durch elektrochemisches Ätzen wird bereichsweise eine poröse Siliziumcarbidschicht auf dem Substrat (1, 9) erzeugt, wobei die Ätzparameter und die Substratdotierung so gewählt werden, dass die porösen Bereiche (12, 13) mit einem vorgebbaren mittleren Verhältnis von Porendurchmesser und Porenwanddicke hergestellt werden. Die porösen Bereiche (12, 13) können durch eine thermische Oxidation in elektrisch isolierendes Siliziumdioxid umgewandelt werden oder die Porenwanddicke so dünn eingestellt, dass die porösen Bereiche selbst isolierend werden.

10. 发明专利

DE19829609B4 未知
公开(公告)号：DE19829609B4
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：DE19829609
申请日：1998-07-02
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： HEYERS KLAUS , ELSNER BERNHARD
IPC分类号： B81C1/00 , B81B3/00 , B81B7/02 , G12B1/00 , H01L21/822 , H01L25/04 , H01L27/06

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