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1. 发明申请

WO2006037711A3 SEMICONDUCTOR COMPONENT 审中-公开
标题翻译：半导体部件
公开(公告)号：WO2006037711A3
公开(公告)日：2006-07-13
申请号：PCT/EP2005054523
申请日：2005-09-12
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , FLOHRS PETER , GOERLACH ALFRED , URBACH PETER , FEILER WOLFGANG , QU NING , HEYERS KLAUS
发明人： FLOHRS PETER , GOERLACH ALFRED , URBACH PETER , FEILER WOLFGANG , QU NING , HEYERS KLAUS
IPC分类号： H01L29/8605 , H01L21/329
CPC分类号： H01L28/20 , G01K7/22 , H01L27/0802 , H01L29/8605 , H01L29/8611
摘要： The invention relates to a semiconductor element and to a method for producing a semiconductor element of this type, whose resistance behaviour is strongly dependent on the temperature. Said resistance behaviour is obtained by a special multi-layer structure of the semiconductor element, a layer being configured in such a way that several p-doped regions are present in an n-doped region, said regions being short-circuited on one face by means of a metallised layer. The semiconductor element can for example be used to reduce current spikes by being integrated into a conductor. When cold, the semiconductor component has a high resistance, which becomes significantly lower when the semiconductor component is heated as a result of the flowing current.
摘要翻译：本发明公开一种半导体器件及其制造具有电阻行为，这是高度依赖于温度这样的半导体器件的方法。此电阻器的行为，是由半导体器件，其中一个层被设计成使得多个p掺杂区的存在，例如，在n型掺杂的区域，该区域被短路通过金属化的手段在一侧的一个特殊的多层结构得到的。半导体器件可以被用于减少电流尖峰，例如，在那里它然后整合入的导体。在冷态下，半导体器件具有高电阻，其在半导体器件的加热后由于流过的电流是显著小。

2. 发明申请

WO2012076231A2 GENERATOR DEVICE FOR SUPPLYING VOLTAGE TO A MOTOR VEHICLE 审中-公开
标题翻译：发电设备供电机动车
公开(公告)号：WO2012076231A2
公开(公告)日：2012-06-14
申请号：PCT/EP2011068298
申请日：2011-10-20
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , SPITZ RICHARD , GOERLACH ALFRED , TOLKSDORF CAROLIN
发明人： SPITZ RICHARD , GOERLACH ALFRED , TOLKSDORF CAROLIN
IPC分类号： H01L29/861 , H02M7/06
CPC分类号： H02M7/219 , H01L29/1095 , H01L29/456 , H01L29/51 , H01L29/7802 , H01L29/7813 , H01L29/861 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to a generator device for supplying voltage to a motor vehicle, which generator device is equipped with at least one rectifier element for rectifying an alternating voltage which is made available by a generator. The rectifier element has an n-type channel MOS field-effect transistor in which the gate, body region and source region are permanently electrically connected to one another and in which the drain region serves as a cathode.
摘要翻译：本发明涉及一种用于机动车辆的电源，其配备有至少一个整流元件，用于整流由发电机提供的交流电压的发电装置。整流元件包括一个n沟道MOS场效应晶体管的栅极连接，主体区和源极区电连接在一起牢固且其中所述漏极区域用作阴极。

3. 发明申请

WO0052738A3 METHOD FOR PRODUCING HIGHLY DOPED SEMICONDUCTOR COMPONENTS 审中-公开
标题翻译：生产高染料半导体组分的方法
公开(公告)号：WO0052738A3
公开(公告)日：2000-12-21
申请号：PCT/DE0000546
申请日：2000-02-25
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , SPITZ RICHARD , GOERLACH ALFRED , WILL BARBARA , UEBBING HELGA , RIEKERT ROLAND , ADAMSKI CHRISTIAN
发明人： SPITZ RICHARD , GOERLACH ALFRED , WILL BARBARA , UEBBING HELGA , RIEKERT ROLAND , ADAMSKI CHRISTIAN
IPC分类号： H01L21/225 , H01L21/329
CPC分类号： H01L29/66136 , H01L21/2255
摘要： The invention relates to a method for producing semiconductor components. At least one highly doped area is introduced into a wafer. A solid glass layer (2; 4; 2, 3; 4, 5) which is provided with a doping agent is mounted on at least one of the two sides of a semiconductor wafer (1). In a further step, the wafer is heated to high temperatures in such a way that the doping agent leaves the glass layer and penetrates deep into the wafer in order to produce the at least one doped area (10; 11). In a further step, the glass layer is removed. The inventive method is used for producing homogeneous, highly doped areas. Said areas can be introduced through the two sides of the wafer and can have different doping types.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造半导体部件的方法，其中至少一个掺杂区被引入到晶片中，其中在半导体晶片（1）的两侧中的至少一侧上形成设置有掺杂剂的固体玻璃层（2,4,2,3,4），5），在另一步骤中，晶片被加热到高温，使得来自玻璃层的掺杂剂深入到晶片中以产生至少一个掺杂区域（10,11），并且在进一步的步骤中，玻璃层被删除。该方法用于产生均匀的高掺杂区域，其中这些区域也可以在晶片的两侧引入并且可以具有不同的掺杂类型。

4. 发明申请

WO2011015396A3 RECTIFIER ARRANGEMENT 审中-公开
标题翻译：整流器布置
公开(公告)号：WO2011015396A3
公开(公告)日：2011-04-21
申请号：PCT/EP2010058081
申请日：2010-06-09
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , WOHLFARTH MICHAEL , GOERLACH ALFRED
发明人： WOHLFARTH MICHAEL , GOERLACH ALFRED
IPC分类号： H02M7/06 , H01L29/872
CPC分类号： H02M7/06
摘要： The invention relates to a rectifier arrangement, particularly for a generator, having a bridge arrangement with a prescribable number of rectifier elements, wherein at least one rectifier element (D1+ - D6-) is a rectifier element having a characteristic curve independent of a blocking voltage at least in a prescribable range, and one of the negative diodes (D1+ - D6-) comprises a greater blocking saturation current than the associated positive diode, for example, and at least one of the negative diodes is placed at a location in the rectifier at which the temperature is increased.
摘要翻译：特别是用于发电机更高的整流器布置，与具有预先确定的数量的整流元件，其中至少一个整流器元件的电桥装置（D1 + - - D6）是具有至少阻断电压无关的预定义区域中的特性，并且，例如，负二极管中的一个（D6-D1 +）一整流元件包括比相应的正二极管，并且其中被放置在整流器的一个点的负二极管中的至少一个，其中所述温度增加反向饱和电流。

5. 发明申请

WO02084840A2 DIODE ARRANGEMENT COMPRISING ZENER DIODES AND A GENERATOR 审中-公开
标题翻译：二极管，齐纳二极管和发电机装置
公开(公告)号：WO02084840A2
公开(公告)日：2002-10-24
申请号：PCT/DE0201387
申请日：2002-04-13
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , SPITZ RICHARD , TOPP RAINER , GOERLACH ALFRED , HAUSMANN HOLGER
发明人： SPITZ RICHARD , TOPP RAINER , GOERLACH ALFRED , HAUSMANN HOLGER
IPC分类号： H02M7/06 , H02J7/00
CPC分类号： H02M7/062
摘要： The invention relates to a diode arrangement (10) and a generator (20), using zener diodes (2-7). Said diode arrangement (10) comprises alternating voltage terminal connectors (U, V, W) and direct voltage terminal connectors (B+, B-). Said zener diodes (2-7) are used in the direction of transmission in order to rectify an alternating voltage applied to the alternating voltage terminals (U, V, W), a lower limit (8) being provided for the zener voltage of the zener diodes (2-7). Said lower limit (8) of the zener voltage is lower than a lower pre-defined direct voltage (11).
摘要翻译：它提出了一种二极管装置（10）和发电机（20），所述齐纳二极管（2-7）中使用，并且其中所述二极管装置（10）的交流电压连接（U，V，W）和直流端子（B +，B-），其中齐纳二极管（2-7），用于在交流电压的连接（U，V，W）整流施加的交流电压可以在向前的方向进行操作，对于齐纳二极管的齐纳电压（2-7）提供的下限（8），其中，所述下限（8）的齐纳电压小于下规定的直流电压（11）设置的。

6. 发明专利

JPH10163503A INTEGRATED VERTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT 失效
公开(公告)号：JPH10163503A
公开(公告)日：1998-06-19
申请号：JP31526697
申请日：1997-11-17
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： MICHEL HARTMUT , FLOHRS PETER , PLUNTKE CHRISTIAN DR , GOERLACH ALFRED , MINDL ANTON DR , QU NING DR
IPC分类号： H01L23/58 , H01L29/80 , H01L29/8605
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To enable an integrated vertical semiconductor element on an n-type substrate to supply a quantity of electricity correlated with the potential at a rear-side region. SOLUTION: In a vertically positioned transistor, a hole 20 exists in a logical well 5 and has a front-side area 1 doped with an n-type dopant at a low concentration. The hole 20 can be electrically contacted through a hole tap 21 and a hole metallic contact 22. The logical well 5 can be contacted preferably with logical well taps 11 and logical tap terminals 12 symmetrically with respect to the hole 20. In this case, the well 5 is normally set at a grounding potential. A potential is impressed upon a contact C in the rear-side region. Therefore, an electric current flows to the hole metallic contact 22 in the front-side area 1 from the rear-side area. The potential is positive and higher than that at the contact 22.

7. 发明专利

DE102019206148A1 Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements 未知
公开(公告)号：DE102019206148A1
公开(公告)日：2020-11-05
申请号：DE102019206148
申请日：2019-04-30
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： MARTINEZ-LIMIA ALBERTO , BARTOLF HOLGER , GOERLACH ALFRED , FEILER WOLFGANG , SCHWAIGER STEPHAN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/161 , H01L29/20
摘要： Halbleiterbauelement (200, 300, 400) mit einem Halbleitersubstrat (201, 301, 401), das eine erste Seite aufweist auf der eine Epitaxieschicht (202, 302, 402) angeordnet ist, wobei auf der Epitaxieschicht (202, 302, 402) bereichsweise Bodygebiete (203, 303, 403) angeordnet sind und auf den Bodygebieten (203, 303, 403) Sourcegebiete (204, 304, 404) angeordnet sind, wobei sich eine Vielzahl erster Gräben (205, 305, 405) und eine Vielzahl zweiter Gräben (206, 306, 406) ausgehend von den Sourcegebieten (204, 304, 404) bis in die Epitaxieschicht (202, 302, 402) erstrecken, wobei die ersten Gräben (205, 305, 405) eine größere Tiefe aufweisen als die zweiten Gräben (206, 306, 406), wobei sich jeweils ein zweiter Graben (206, 306, 406) bereichsweise in einen ersten Graben (205, 305, 405) erstreckt, dadurch gekennzeichnet, dass auf einer Grabenoberfläche der ersten Gräben (205, 305, 405) jeweils eine Schicht mit einer ersten Dotierung angeordnet ist, wobei die ersten Gräben (205, 305, 405) mit einem ersten Material (207, 307, 407) verfüllt sind, das eine zweite Dotierung aufweist, wobei die erste Dotierung einen höheren Wert aufweist als die zweite Dotierung.

8. 发明专利

DE102004063180B4 Verfahren zum Herstellen von Halbleiterchips aus einem Siliziumwafer und damit hergestellte Halbleiterbauelemente 未知
公开(公告)号：DE102004063180B4
公开(公告)日：2020-02-06
申请号：DE102004063180
申请日：2004-12-29
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： SPITZ RICHARD , GOERLACH ALFRED , HAHN FRIEDERIKE
IPC分类号： H01L21/78
摘要： Verfahren zum Herstellen von Halbleiterchips (2) aus einem Siliziumwafer (1), der eine Vielzahl von Halbleiterchips (2) umfasst, wobei in der Waferoberfläche Sollbruchstellen (14) erzeugt werden und der Siliziumwafer (1) entlang der Sollbruchstellen (14) gebrochen wird, um die Halbleiterchips (2) zu vereinzeln, dadurch gekennzeichnet, dass die Orientierung der Sollbruchstellen (14) bezüglich der Kristallstruktur des Siliziumwafers (1) derart gewählt wird, dass sie parallel zu (111)-Kristallflächen verlaufen, die sich leicht brechen lassen.

9. 发明专利

DE102013226334B4 Schaltungsträger mit einem sinterverbundenen Halbleiterbaustein 未知
公开(公告)号：DE102013226334B4
公开(公告)日：2019-04-25
申请号：DE102013226334
申请日：2013-12-18
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： ZOLLER HUBERT , GOERLACH ALFRED , KNUPFER THOMAS , KALICH THOMAS
IPC分类号： H01L23/48
摘要： Schaltungsträger (1, 10) mit einem massiv ausgebildeten Halbeiterbaustein (2, 3), wobei der Halbleiterbaustein (2, 3) wenigstens einen einen Oberflächenbereich des Halbleiterbausteins bildenden elektrischen Anschluss (4, 5, 6, 16) aufweist, wobei der Anschluss (4, 5, 6, 16) mittels wenigstens eines gesinterten elektrischen Verbindungsmittels mit einem elektrischen Kontakt (7, 8, 20, 21) stoffschlüssig verbunden ist, wobei der Kontakt (7, 8, 20, 21) und der Halbleiterbaustein (2, 3) jeweils einen Fügepartner für das Verbindungsmittel bilden, wobei das Verbindungsmittel zwischen dem Anschluss (4, 5, 6, 16) und dem Kontakt (7, 8, 20, 21) durch wenigstens zwei in ihrer flachen Erstreckung einander kontaktierenden Sinterschichten (9, 11, 12, 13, 16, 19, 23, 24, 25) gebildet ist, wobei ein thermischer Ausdehnungskoeffizient wenigstens einer der Sinterschichten (9, 11, 12, 13, 16, 19, 23, 24, 25) zwischen dem Ausdehnungskoeffizienten des Fügepartners (7, 8, 2, 3, 20, 21) und dem Ausdehnungskoeffizienten der zu der Sinterschicht (9, 11, 12, 13, 16, 19, 23, 24, 25) benachbarten Sinterschicht (9, 11, 12, 13, 16, 19, 23, 24, 25) liegt, wobei wenigstens eine Sinterschicht (9, 11, 12, 13, 16, 19, 23, 24, 25) Füllpartikel (15) aufweist, welche ausgebildet sind, beim Versintern keine Legierung mit einem Sintermetall der Sinterschicht (9, 11, 12, 13, 16, 19, 23, 24, 25) auszubilden und in der gesinterten Schicht als Füllpartikel (15) erhalten zu bleiben, wobei ein Ausdehnungskoeffizient der Füllpartikel (15) sich von dem Ausdehnungskoeffizient des Sintermetalls unterscheidet, und wobei die Füllpartikel (15) durch ein Halbleitermaterial gebildet sind.

10. 发明专利

DE102017212673A1 Halbleiteranordnung mit einer PIN-Diode 未知
公开(公告)号：DE102017212673A1
公开(公告)日：2019-01-24
申请号：DE102017212673
申请日：2017-07-24
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： GOERLACH ALFRED , FEILER WOLFGANG
IPC分类号： H01L29/868
摘要： Es wird eine Halbleiteranordnung mit einer PIN-Diode mit einer stark n-dotierten Schicht (1), einer auf der stark n-dotierten Schicht (1) angeordneten schwach n-dotierten Schicht (2) und einer auf der schwach n-dotierten Schicht (2) angeordneten p-dotierten Schicht (3) vorgeschlagen, wobei die p-dotierte Schicht (3) mit einer ersten Metallisierung (5) einen ohmschen Kontakt bildet und die stark n-dotierte Schicht (1) einen ohmschen Kontakt zu einer zweiten Metallisierung (7) bildet. Bei einem Betrieb in Vorwärtsrichtung erfolgt eine Hochinjektion bei der die schwach n-dotierte Schicht (2) mit Ladungsträgern überflutet wird. In der schwach n-dotierten Schicht (2) sind mindestens zwei Grabenstrukturen (4) eingebracht, wobei die Grabenstrukturen (4) auf einer mit der n-dotierten Oberfläche in Kontakt stehenden Oberfläche eine dielektrische Schicht (6) aufweisen. Die mit der dielektrischen Schicht (6) in Kontakt stehende Oberfläche (10) der schwach n-dotierten Schicht (2) weist eine erhöhte Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit für Ladungsträger auf.

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