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    • 7. 发明申请
    • METHOD FOR PRODUCING A MICROMECHANICAL COMPONENT, AND A COMPONENT PRODUCED ACCORDING TO SAID METHOD
    • 用于生产微机械结构和直线到组件MADE
    • WO0158803A3
    • 2002-03-14
    • PCT/DE0004673
    • 2000-12-28
    • BOSCH GMBH ROBERTFISCHER FRANKHEIN PETERGRAF ECKHARD
    • FISCHER FRANKHEIN PETERGRAF ECKHARD
    • B81B3/00B81C1/00B81C3/00G01P15/08G01P15/125H01L29/84
    • B81C1/00801B81B2203/0136B81B2203/0315B81C2201/0109B81C2201/053G01P15/0802G01P15/125G01P2015/0814
    • The invention relates to a method for producing a micromechanical component (100) that comprises at least one cavity (110) and one functional element (12) at least partially disposed in said cavity (110) and/or one functional layer (13a, 13b, 13c) at least partially disposed therein. The invention further relates to a micromechanical component (100) produced according to the inventive method. The aim of the invention is to reduce the production costs for such a micromechanical component. To this end, the functional element (12) and/or the functional layer (13a, 13b, 13c) is provided with a first protective layer (41; 71) at least in a zone that adjoins a first sacrificial coating (52) that temporarily occupies the space of the cavity (22) subsequently formed in one or more etching steps. The material of the first protective layer (41) is selected in such a manner that at least one etching method and/or etching agent etching or dissolving the first sacrificial coating (52) does substantially not corrode the first protective layer (41; 71) or corrodes it only at a reduced etching rate in relation to the first sacrificial coating (52).
    • 本发明涉及一种用于制造微机械部件(100)的方法,设置有至少一个腔(110)和一个至少在所述腔内部分(110)的功能元件(12)和/或至少部分地设置在其中功能层(13A, 13B,13C),以及根据根据有关独立权利要求的前序部分的方法(100)制备的微机械部件。 以降低制造成本,功能元件(12)和/或所述功能层(13A,13B,13C)是相邻于第一牺牲层(52)的区域中的至少该暂时形成在下面的一个或多个蚀刻步骤的空间 空腔(22)占据,其中第一保护层(41; 71)提供(图4;图7),其中,所述第一保护层(41)的材料被选择为使得至少一个第一牺牲层(52)或腐蚀性 。解析度蚀刻和/或蚀刻介质,所述第一保护层(41; 71)基本上仅与相对于所述第一牺牲层(52)蚀刻速度降低的接合或没有。
    • 10. 发明专利
    • Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mit seitlichen Anschlusspads
    • DE102013206597A1
    • 2014-10-16
    • DE102013206597
    • 2013-04-12
    • BOSCH GMBH ROBERT
    • GONSKA JULIANSCHARY TIMOBENZEL HUBERTGRAF ECKHARDBUSSE STEFAN
    • H01L21/78H01L21/283H01L21/58
    • Es werden Maßnahmen vorgeschlagen, durch die dickere Halbleiterbauelemente (10), deren Funktionalität (11) zumindest teilweise in der Bauelementvorderseite realisiert ist, wie z.B. mikromechanische Sensor- und Aktorbauelemente, mit seitlichen Anschlusspads (13) ausgestattet werden können, wobei die Position und Größe dieser Anschlusspads weitgehend unabhängig von der Größe der Bauelementseitenfläche vorgegeben werden können. Erfindungsgemäß werden sowohl die Funktionalität (11) der Halbleiterbauelemente (10) als auch die seitlichen Anschlusspads (13) im Waferverbund (100) angelegt. Dazu wird zunächst zumindest ein Abschnitt einer Seitenfläche jedes Halbleiterbauelements (10) durch einen ersten Trenchgraben (1) in der Vorderseite des Waferverbunds (100) definiert. Auf die so strukturierte Vorderseite des Waferverbunds (100) wird dann mindestens eine dielektrische Isolationsschicht (5) aufgebracht, und zwar insbesondere auf die Wandung des ersten Trenchgrabens (1). Dann wird mindestens eine elektrisch leitfähige Beschichtung (6) auf die dielektrische Isolationsschicht (5) aufgebracht, ebenfalls insbesondere im Bereich der Wandung des ersten Trenchgrabens (1). Zur Vereinzelung der Halbleiterbauelemente (10) wird mindestens ein zweiter Trenchgraben (2) in die Vorderseite des Waferverbunds (100) eingebracht, wobei die dielektrische Isolationsschicht (5) auf der Wandung des ersten Trenchgrabens (1) als seitliche Begrenzung für den zweiten Trenchgraben (2) genutzt wird. Die Halbleiterbauelemente (10) werden schließlich von der Rückseite ausgehend aus dem Waferverbund (100) herausgetrennt, wobei in der Rückseite des Waferverbunds (100) mindestens ein Schnitt (3) erzeugt wird, der in den zweiten Trenchgraben (2) mündet.