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1. 发明专利

DE102013206597A1 Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mit seitlichen Anschlusspads 未知
公开(公告)号：DE102013206597A1
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：DE102013206597
申请日：2013-04-12
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： GONSKA JULIAN , SCHARY TIMO , BENZEL HUBERT , GRAF ECKHARD , BUSSE STEFAN
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/283 , H01L21/58
摘要： Es werden Maßnahmen vorgeschlagen, durch die dickere Halbleiterbauelemente (10), deren Funktionalität (11) zumindest teilweise in der Bauelementvorderseite realisiert ist, wie z.B. mikromechanische Sensor- und Aktorbauelemente, mit seitlichen Anschlusspads (13) ausgestattet werden können, wobei die Position und Größe dieser Anschlusspads weitgehend unabhängig von der Größe der Bauelementseitenfläche vorgegeben werden können. Erfindungsgemäß werden sowohl die Funktionalität (11) der Halbleiterbauelemente (10) als auch die seitlichen Anschlusspads (13) im Waferverbund (100) angelegt. Dazu wird zunächst zumindest ein Abschnitt einer Seitenfläche jedes Halbleiterbauelements (10) durch einen ersten Trenchgraben (1) in der Vorderseite des Waferverbunds (100) definiert. Auf die so strukturierte Vorderseite des Waferverbunds (100) wird dann mindestens eine dielektrische Isolationsschicht (5) aufgebracht, und zwar insbesondere auf die Wandung des ersten Trenchgrabens (1). Dann wird mindestens eine elektrisch leitfähige Beschichtung (6) auf die dielektrische Isolationsschicht (5) aufgebracht, ebenfalls insbesondere im Bereich der Wandung des ersten Trenchgrabens (1). Zur Vereinzelung der Halbleiterbauelemente (10) wird mindestens ein zweiter Trenchgraben (2) in die Vorderseite des Waferverbunds (100) eingebracht, wobei die dielektrische Isolationsschicht (5) auf der Wandung des ersten Trenchgrabens (1) als seitliche Begrenzung für den zweiten Trenchgraben (2) genutzt wird. Die Halbleiterbauelemente (10) werden schließlich von der Rückseite ausgehend aus dem Waferverbund (100) herausgetrennt, wobei in der Rückseite des Waferverbunds (100) mindestens ein Schnitt (3) erzeugt wird, der in den zweiten Trenchgraben (2) mündet.

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