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    • 2. 发明申请
    • HYBRID PHOTONIC CRYSTAL FIBER
    • 混合光电晶体纤维
    • WO2012168400A1
    • 2012-12-13
    • PCT/EP2012/060851
    • 2012-06-08
    • UNIVERSITE LILLE 1 - SCIENCES ET TECHNOLOGIES DE LILLEQUIQUEMPOIS, YvesBOUWMANS, GéraudBETOURNE, AurélieBIGOT, LaurentDOUAY, Marc
    • QUIQUEMPOIS, YvesBOUWMANS, GéraudBETOURNE, AurélieBIGOT, LaurentDOUAY, Marc
    • G02B6/02
    • G02B6/03611G02B6/02347G02B6/03622
    • The hybrid photonic crystal fiber comprises a single core (4) having a refractive index (n core ) and surrounded by a cladding (1), the cladding (1) comprising a background material having a refractive index (n1), high index inclusions (2) and low index inclusions (3) embedded in said background material (1); said high index inclusions (2) comprise solid inclusions having a refractive index (n 2 ) that is higher than the refractive index (n 1 ) of the background material (1) and higher than the refractive index (n core ) of the core (4), the difference (n 2 -n core ) between the refractive index (n 2 ) of said high index solid inclusions and the refractive index (n core ) of the core (4) being preferably not more than 0.05; said low index inclusions (3) have a refractive index (n 3 ) that is lower than the refractive index (n core ) of the core (4); all the high index inclusions (2) form one inner ring (HIR) or two concentric inner rings (HIR 1 ; HIR 2 ) surrounding the core (4), and all the low index inclusions (3) form two or more concentric outer rings (LIR 1 ; LIR 2 ) surrounding said inner ring of high index inclusions (2) or surrounding said two concentric inner rings of high index inclusions (2); an index-guided core mode (TIR mode) exists for wavelengths higher than a wavelength cutoff value λο, that can be between 400nm and 1800nm, and a bandgap guided core mode within the first band gap exists at least at wavelengths lower than said wavelength cutoff value.
    • 混合光子晶体光纤包括具有折射率(ncore)并被包层(1)包围的单芯(4),包层(1)包括具有折射率(n1),高折射率夹杂物(2)的背景材料 )和嵌入所述背景材料(1)中的低折射率夹杂物(3); 所述高折射率夹杂物(2)包括折射率(n2)高于背景材料(1)的折射率(n1)并高于芯体(4)的折射率(ncore)的固体夹杂物, 所述高折射率固体夹杂物的折射率(n2)与芯(4)的折射率(ncore)之间的差(n2-ncore)优选为0.05以下; 所述低折射率夹杂物(3)的折射率(n3)低于芯体(4)的折射率(ncore); 所有高折射率夹杂物(2)形成围绕芯(4)的一个内环(HIR)或两个同心内圈(HIR1; HIR2),并且所有低折射率夹杂物(3)形成两个或更多个同心外圈(LIR1 ; LIR2)围绕所述高折射率夹杂物(2)的所述内环或围绕所述高指数夹杂物(2)的所述两个同心内圈; 对于高于波长截止值Δθ的波长,可以在400nm和1800nm之间存在折射率引导的核心模式(TIR模式),并且第一带隙内的带隙引导核心模式至少存在于比所述波长低的波长 截止值。
    • 4. 发明申请
    • MONOLITHES DE SILICE DE HAUTE PURETÉ ET SON PROCÉDÉ DE SYNTHÈSE
    • 高纯二氧化硅单体及其合成方法
    • WO2010040910A1
    • 2010-04-15
    • PCT/FR2009/001177
    • 2009-10-01
    • UNIVERSITE DES SCIENCES ET TECHNOLOGIES DE LILLECENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)BOUAZAOUI, MohammedCAPOEN, BrunoEL HAMZAOUI, HichamBIGOT, LaurentBOUWANS, Géraud
    • BOUAZAOUI, MohammedCAPOEN, BrunoEL HAMZAOUI, HichamBIGOT, LaurentBOUWANS, Géraud
    • C03B19/12C03C1/00C03C3/06
    • C03B19/12C03B37/016C03B2201/04C03B2203/42C03C1/006C03C3/06
    • La présente invention se rapporte à un procédé de synthèse d'un monolithe de silice selon un procédé dit « sol-gel » comportant les étapes suivantes : • hydrolyse d'un alkoxyde de silicium pour former un précurseur hydrolyse suivie d'une condensation dudit précurseur hydrolyse en présence d'un solvant organique, en présence d'eau et d'un catalyseur basique pour former des amas oligomériques contenant plusieurs atomes de silicium; • dispersion desdits amas oligomériques dans une solution pour former un sol; • polymérisation du sol pour obtenir un gel par un premier traitement thermique, à une température inférieure à la température d' ébullition des constituants du sol; • séchage du gel par un second traitement thermique comportant une exposition du gel à environ 900C pendant au moins 24 heures suivi d'un accroissement de température sous vide entre environ 900C et environ 1800C, ledit accroissement de température étant compris entre 0,1 °C/min et 5 °C/min; • transformation du gel en xérogel par un troisième traitement thermique, ledit traitement thermique comportant un maintien à une température de séchage comprise entre 850 et 10000C durant au moins une heure; • déshydratation et densification du xérogel jusqu'à obtention du monolithe de silice par un quatrième traitement thermique, ledit quatrième traitement thermique comprenant un maintien à une température supérieure à 1100° durant au moins une heure. La présente invention se rapporte aussi à un monolithe silice obtenu par le procédé de l' invention, ayant une concentration en groupes -OH inférieure à 1 ppm. La présente invention divulgue aussi l'utilisation du monolithe de l'invention pour la réalisation de fibres optiques.
    • 本发明涉及根据已知为“溶胶 - 凝胶法”的方法合成二氧化硅整料的方法,该方法包括以下步骤:水解硅烷醇以形成水解前体,然后冷凝 所述水解前体在有机溶剂的存在下,在水和碱性催化剂存在下,以形成含有若干个硅原子的低聚簇; 将所述低聚物簇分散在溶液中以形成溶胶; 在低于溶胶成分的沸点的温度下通过第一次热处理获得凝胶的溶胶的聚合; 通过第二热处理干燥凝胶,包括将凝胶暴露于约90℃至少24小时,然后在真空下在约90℃至约180℃之间升高温度,所述温度升高为 在0.1℃/分钟和5℃/分钟之间; 通过第三次热处理将凝胶转化为干凝胶,所述热处理包括在850至1000℃之间的干燥温度下保持至少1小时; 通过第四次热处理获得干凝胶的脱水和致密化,直到获得二氧化硅整料,所述第四热处理包括在1100℃以上的温度下保持至少1小时。 本发明还涉及通过本发明的方法得到的二氧化硅石墨,其浓度小于1ppm。 本发明还公开了本发明的整料用于生产光纤的用途。