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    • 3. 发明申请
    • 나노입자 형성방법 및 이를 이용한 플래시 메모리 소자 제조방법
    • 形成纳米颗粒的方法和使用其制造闪速存储器件的方法
    • WO2011105871A2
    • 2011-09-01
    • PCT/KR2011/001395
    • 2011-02-28
    • 한양대학교 산학협력단김태환정재훈육종민이정용
    • 김태환정재훈육종민이정용
    • B82B3/00
    • B82Y40/00H01L21/28273H01L29/42332H01L29/7881
    • 본 발명은 스퍼터링을 이용하여 밀도와 크기의 조절이 용이한 나노입자 형성방법과 이를 이용한 플래시 메모리 소자 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 나노입자 형성방법은 기판 상에 M 1 의 산화물로 이루어진 다결정(polycrystal) 산화막을 형성하는 다결정 산화막 형성단계와, 다결정 산화막 상에 플라즈마에 의해 활성화된 M 2 및 M 2 의 산화물 중 적어도 하나를 공급하여 M 1 나노입자가 함유되어 있는 M 2 의 산화물로 이루어진 산화막을 기판 상에 형성하는 나노입자 형성단계를 갖는다. 그리고 M 1 과 M 2 는 실리콘(Si), 저머늄(Ge) 및 금속으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나이고, M 1 과 M 2 는 서로 다르다.
    • 本发明涉及一种用于形成纳米颗粒的方法,其使用溅射方法来容易地调节纳米颗粒的密度和尺寸,以及使用该方法制造闪速存储器件的方法。 根据本发明的形成纳米颗粒的方法包括:形成多晶氧化物膜的步骤,其包括在基板上形成由M1的氧化物制成的多晶氧化物膜; 以及提供由等离子体活化的M2和/或多晶氧化物膜上的M2的氧化物的纳米颗粒形成步骤,以在衬底上形成由氧化物M2制成的氧化膜,其中氧化物 的M2含有M1纳米颗粒,其中M1和M2各自为选自硅(Si),锗(Ge)和金属的一种元素,并且其中M1和M2彼此不同。
    • 5. 发明申请
    • 다양한 종류의 나노입자를 함유한 적층형 유기-무기 하이브리드 태양전지 및 그 제조방법
    • 含有各种类型的纳米颗粒的有机/无机混合太阳能电池及其制造方法
    • WO2011090300A2
    • 2011-07-28
    • PCT/KR2011/000342
    • 2011-01-18
    • 한양대학교 산학협력단김태환정재훈
    • 김태환정재훈
    • H01L31/042
    • H01L31/0725H01L27/302H01L31/035281H01L31/0384H01L51/426Y02E10/50
    • 다양한 종류의 나노입자를 함유한 적층형 유기-무기 하이브리드 태양전지 및 그 제조방법을 제공한다. 적층형 유기-무기 하이브리드 태양전지는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 위치하고 제1 반도체 나노입자 및 제1 전도성 고분자를 함유하는 제1 광활성층, 상기 제1 광활성층 상에 위치하는 그래핀층, 상기 그래핀층 상에 위치하고 제2 반도체 나노입자 및 제2 전도성 고분자를 함유하는 제2 광활성층 및 상기 제2 광활성층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하며, 상기 제1 반도체 나노입자와 상기 제2 반도체 나노입자는 서로 다른 밴드갭을 갖는다. 본 발명에 따르면, 광활성층의 광흡수 대역을 확장할 수 있으며, 태양전지의 발열을 최대한 줄이고 광흡수율을 극대화할 수 있다. 또한, 그래핀층의 도입으로 광활성층의 적층 과정에서 발생할 수 있는 하부 광활성층의 침식을 방지하고, 소자의 직렬 저항에 의한 전력 손실을 줄이는 한편, 태양광의 입사량 손실을 최소화할 수 있다.
    • 提供含有各种类型的纳米颗粒的串联有机/无机混合太阳能电池及其制造方法。 串联有机/无机混合太阳能电池包括:第一电极; 形成在第一电极上并含有第一半导体纳米颗粒和第一导电聚合物的第一光活性层; 形成在第一光活性层上的石墨烯层; 形成在所述石墨烯层上并且包含第二半导体纳米颗粒和第二导电聚合物的第二光敏层; 以及形成在所述第二光敏层上的第二电极,其中所述第一半导体纳米颗粒和所述第二半导体纳米颗粒具有不同的带隙。 根据本发明,可以延长光活性层的光吸收带宽,并且可以尽可能地减少来自太阳能电池的发热量,并且可以使光吸收最大化。 此外,石墨烯层用于防止在光活性层的层叠期间可能发生的较低光活性层的腐蚀,以减少由元件的串联电阻引起的功率损耗,并且使入射的太阳光的损失最小化。
    • 6. 发明申请
    • p-i-n 나노선을 이용한 태양전지
    • 太阳能电池使用P-I-N NANOWIRES
    • WO2011005013A2
    • 2011-01-13
    • PCT/KR2010/004395
    • 2010-07-06
    • 한양대학교 산학협력단김태환유주형정재훈이재석박원일
    • 김태환유주형정재훈이재석박원일
    • H01L31/042
    • H01L31/03529H01L31/035281Y02E10/50
    • 본 발명은 넓은 파장 영역대의 태양광을 광 손실 없이 효율적으로 흡수하여 광발전시킬 수 있으며, 공정이 간단한고 공정비용이 저렴한 p-i-n 나노선을 이용한 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 따른 p-i-n 나노선을 이용한 태양전지는 반도 체층과 광기전력층을 구비한다. 광기전력층은 반도체층의 상방으로 길게 뻗은 형상 으로 형성되며 진성(intrinsic) 반도체 물질로 이루어진 코어(core)-나노선 (nanowire)과, 코어-나노선의 외부를 감싸도록 형성되며 반도체 물질로 이루어진 셀(shell)-나노선으로 이루어진 반도체 구조물을 구비한다. 반도체층을 이루는 반 도체 물질은 n-형(n-type)이고, 셀-나노선을 이루는 반도체 물질은 p-형(p-type)이 거나, 반도체층을 이루는 반도체 물질은 p-형이고, 셀-나노선을 이루는 반도체 물 질은 n-형이다.
    • 本发明涉及一种使用p-i-n纳米线的太阳能电池,其能够有效地吸收宽波长范围内的太阳光而不会损失光并产生光伏电力,并且涉及简单的工艺并且具有低的工艺成本。 使用根据本发明的p-i-n纳米线的太阳能电池包括半导体层和光伏层。 光电转换层包括由半导体层向上延伸并由本征半导体材料构成的芯 - 纳米线构成的半导体结构,以及覆盖芯 - 纳米线的外部的壳 - 纳米线,其由半导体材料 。 形成半导体层的半导体材料是n型,形成电池 - 纳米线的半导体材料是p型。 或者,形成半导体层的半导体材料为p型,形成电池 - 纳米线的半导体材料为n型。
    • 8. 发明申请
    • 그래핀 박막과 나노 입자를 이용한 광검출기 및 그 제조 방법
    • 使用石墨薄膜和纳米颗粒的光电转换器及其制造方法
    • WO2011025216A2
    • 2011-03-03
    • PCT/KR2010/005631
    • 2010-08-24
    • 한양대학교 산학협력단김태환정재훈손동익이정민양희연박원일
    • 김태환정재훈손동익이정민양희연박원일
    • H01L31/0248B82B1/00
    • H01L31/035209H01L31/112H01L51/428
    • 그래핀 박막과 나노 입자를 이용한 광검출기 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 광검출기는, 기상 탄소 공급원을 이용한 그래핀 증착을 통해 제작한 시트 형상의 그래핀 박막; 및 상기 그래핀 박막 위에 형성되며 상기 그래핀 박막의 전극 영역을 정의하도록 패터닝되어 있고 매트릭스 물질 없이 나노 입자로 이루어진 나노 입자층을 포함한다. 이러한 광검출기는 그래핀 박막을 채널 및 전극으로 사용하고 나노 입자를 광기전력 물질(자외선에 의한 광기전력으로 전자-정공쌍을 형성)로 사용하는 수평형 구조이며 매우 간단한 구조이므로 저비용으로 제조할 수 있어 생산성이 높을 뿐만 아니라, 그래핀 박막을 포함함에 따라 저전력화할 수 있다.
    • 提供了使用石墨烯薄膜和纳米颗粒的光电检测器及其制造方法。 本发明的光电检测器包括:通过使用蒸气碳源沉积石墨烯而生产的片状石墨烯薄膜; 以及形成在所述石墨烯薄膜上并且被图案化以限定所述石墨烯薄膜的电极区域并且由不含基质材料的纳米颗粒组成的纳米颗粒层。 上述光检测器具有其中使用石墨烯薄膜作为通道和作为电极的平面结构,并且使用纳米颗粒作为光伏材料(通过由紫外线产生的光电子势力形成电子 - 空穴对 射线)。 本发明的光检测器具有非常简单的结构,可以低成本地制造,从而提高生产率。 此外,本发明的光检测器包括所述石墨烯薄膜,因此可以以低功耗工作。