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1. 发明申请

WO2012161536A2 다층 샤워헤드 및 그 밀봉방법 审中-公开
标题翻译：多层淋浴头及其密封方法
公开(公告)号：WO2012161536A2
公开(公告)日：2012-11-29
申请号：PCT/KR2012/004125
申请日：2012-05-24
申请人： 한국생산기술연구원 , 변철수 , 김종석 , 정훈 , 김선창
发明人： 변철수 , 김종석 , 정훈 , 김선창
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45565
摘要： 본 발명은 윗판과 아랫판 사이에 설치되는 분리격판(130)에 의해 내부 빈공간이 상부공간과 하부공간으로 구분되는 샤워헤드 몸체에 상기 윗판, 분리격판(130), 및 아랫판 중 적어도 상기 분리격판(130)을 관통하도록 기체안내관(133)이 설치되는 경우에 상기 기체안내관(133)이 관통하는 상기 윗판, 분리격판(130), 또는 아랫판 위에 필러시트(160)를 올려놓고 브레이징 처리함으로써 상기 기체안내관(133)과 상기 기체안내관(133)이 관통하는 윗판, 분리격판(130), 또는 아랫판 사이의 틈을 밀봉시키는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：本发明涉及一种淋浴喷头，其具有淋浴喷头主体，其中内部空间通过介于上板和下板之间的分隔板（130）分成上部空间和下部空间。当气体引导管（133）布置成穿过上板，分隔板（130）和下板中的至少分隔板（130）时，填充片（160）设置在上板，分隔板（130）或气体导管（133）穿过的下板，然后填充片（160）钎焊。因此，气体导管133与导气管133穿过的上板，隔板130或下板之间的间隙被密封。

2. 发明申请

WO2010140778A3 막증착 진공장비용 샤워헤드 审中-公开
公开(公告)号：WO2010140778A3
公开(公告)日：2010-12-09
申请号：PCT/KR2010/003024
申请日：2010-05-13
申请人： (주)피에조닉스 , 한국생산기술연구원 , 변철수 , 한만철 , 정일용 , 이석우
发明人： 변철수 , 한만철 , 정일용 , 이석우
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/02
摘要： 반응기체 샤워헤드 모듈의 바닥으로부터 연결되는 반응기체 분사튜브의 길이를 짧게 형성할 수 있고, 하나의 반응기체 샤워헤드 모듈 내에서 서로 다른 두 종류의 반응기체를 분사지원 기체와 혼합하여 분사할 수 있도록 하는 막증착 진공장비용 샤워헤드를 개시한다. 본 발명의 막증착 진공장비용 샤워헤드는, 냉각 자켓 위에 반응기체 샤워헤드 모듈을 배치하고, 상기 반응기체 샤워헤드 모듈 위에 퍼지기체 샤워헤드 모듈을 배치하여, 상기 반응기체 샤워헤드 모듈의 분사튜브는 아래의 상기 냉각 자켓을 관통하고, 상기 퍼지기체 샤워헤드 모듈의 분사튜브는 아래의 상기 반응기체 샤워헤드 모듈을 관통하여 상기 냉각 자켓 위의 퍼지기체 재분배 공간으로 퍼지기체가 유입되도록 구성된다.

3. 发明申请

WO2014209017A1 확산핀을 가지는 전자소자 제조용 샤워 헤드 및 샤워 헤드 조립체 审中-公开
标题翻译：具有分散针制造的电子设备的淋浴头和淋浴头组件
公开(公告)号：WO2014209017A1
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：PCT/KR2014/005644
申请日：2014-06-25
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 변철수 , 정일용
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： C23C16/45574 , C23C16/45565
摘要： 샤워 헤드가 제공된다. 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 샤워 헤드는 복수의 분사공이 관통 형성된 일면 및 상기 일면에 대향하는 타면을 구비한 몸체; 상기 일면의 상기 복수의 분사공으로부터 상기 타면 측으로 돌출되어 단부가 상기 타면을 지지하며, 일측에 제 1 기체 유입공이 형성되고 내부에 상기 제 1 기체 유입공과 연결된 제 1 통로를 구비한 복수의 제 1 확산핀을 포함하며, 상기 타면과 상기 일면 사이로 유입된 기체가 상기 제 1 기체 유입공 및 상기 제 1 통로를 지나 바로 상기 복수의 분사공을 통하여 상기 몸체의 외부로 배출된다.
摘要翻译：提供淋浴头。根据本发明的一个示例性实施例的淋浴头包括：主体，其具有一侧，其具有穿过其中的多个喷射孔，并且另一侧面向一侧; 以及多个第一分散针，其从一侧的多个喷射孔突出到另一侧，使得其端部支撑另一侧，并且在其一侧上具有第一气体入口孔，并且设置有连接到其中在一侧和另一侧之间引入的气体通过使第一气体入口孔和第一通道通过多个喷孔而立即排放到主体的外部。

4. 发明申请

WO2016060429A1 화학기상장치용 반응챔버 审中-公开
标题翻译：化学蒸气装置的反应室
公开(公告)号：WO2016060429A1
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：PCT/KR2015/010757
申请日：2015-10-13
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 변철수 , 한만철
IPC分类号： C23C16/00
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4401 , C23C16/45519 , C23C16/45589 , C23C16/458 , C23C16/46
摘要： 화학기상장치용 반응챔버가 제공된다. 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 화학기상장치용 반응챔버는 내부공간을 갖는 하우징; 상기 내부공간에 배치되고 상부면에 기판이 로딩되는 서셉터; 상기 서셉터의 상부측에 위치하도록 상기 내부공간에 배치되고 공정가스를 상기 기판 측으로 분사하는 샤워헤드; 상,하부가 개방되고 소정의 높이를 갖는 중공형으로 구비되며, 상부테두리가 상기 샤워헤드의 둘레부에 위치하여 상기 기판 및 서셉터를 감싸도록 상기 내부공간 내에 배치되는 내부배럴; 및 상기 내부배럴과 동력전달수단을 매개로 연결되는 구동수단;을 포함하고, 상기 내부배럴은 상기 기판 및 서셉터의 교환시 상기 구동수단의 작동을 통해 상기 기판 또는 서셉터가 상기 내부배럴의 내측으로부터 노출되는 개방상태로 변경된다.
摘要翻译：提供了一种用于化学气相装置的反应室。根据本发明的一个示例性实施例的用于化学气相装置的反应室包括：具有内部空间的壳体; 设置在所述内部空间中并具有装载在其上侧的基板的感受体; 淋浴头，其设置在内部空间中，以便定位在基座上方并将处理气体喷射到基板; 中空的内筒具有开口的顶部和底部和预定高度，并且设置在内部空间内部以围绕基板和基座，其上边缘位于喷头周围; 以及通过动力传递装置的介质连接到内筒的驱动装置，其中在更换基底和基座时，内筒被改变到打开状态，其中基底或基座从内侧暴露于通过操作驱动装置的内桶。

5. 发明申请

WO2015122696A1 배기가스 처리를 위한 파우더 발생장치 审中-公开
标题翻译：用于处理排气的粉末生成装置
公开(公告)号：WO2015122696A1
公开(公告)日：2015-08-20
申请号：PCT/KR2015/001398
申请日：2015-02-12
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 변철수 , 최경락
IPC分类号： B01D45/04
CPC分类号： B01D45/04
摘要： 파우더 발생장치가 제공된다. 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 파우더 발생장치는 유입구 및 유출구를 갖추고 내부공간이 구비되는 하우징; 판상의 부재로 이루어지고 배기가스가 굴곡진 경로로 이동할 수 있도록 상기 내부공간에 서로 평행하게 이격 배치되는 복수 개의 차단판; 상기 차단판을 가열할 수 있도록 상기 내부공간에 배치되는 가열수단; 및 상기 내부공간의 하부측에 배치되어 배기가스가 상기 내부공간을 통과하면서 발생된 파우더를 포집하는 호퍼부;를 포함하고, 다수 개의 통공이 관통형성된 격판을 통해 상기 내부공간 및 호퍼부가 구획되고, 상기 복수 개의 차단판은 제1차단판 및 제2차단판을 포함하며, 상기 제1차단판 및 제2차단판이 서로 교번적으로 배열된다.
摘要翻译：提供一种发电装置。根据本发明的示例性实施例的粉末生成装置包括：具有入口和出口并且设置有内部空间的壳体; 多个屏蔽板，其由板状构件制成并且在内部空间中彼此平行地间隔开，使得废气可以在弯曲的路径中移动; 加热装置，其设置在所述内部空间中以能够加热所述屏蔽板; 以及设置在内部空间的下部的料斗部分，用于收集在废气通过内部空间时产生的粉末，其中内部空间和料斗部分被隔室分隔，多个通孔形成了多个屏蔽板，其中多个屏蔽板包括第一屏蔽板和第二屏蔽板，并且第一屏蔽板和第二屏蔽板彼此交替布置。

6. 发明授权

KR100450173B1 확산억제가스흐름과 확산억제수단을 이용한 화학기상증착방법 및 그 장치 有权
标题翻译： 확산억제가스흐름과확산억제수단을이용한화학기상증착방법및그장치
公开(公告)号：KR100450173B1
公开(公告)日：2004-09-30
申请号：KR1020020006957
申请日：2002-02-07
申请人： 변철수
发明人： 변철수
IPC分类号： H01L21/205
摘要： PURPOSE: A method and apparatus of chemical vapor deposition using diffusion suppressing gasses and devices are provided to improve deposition rate without increasing the quantity of source gas by using not only mutual diffusion-restraint effect between source and diffusion suppressing gas but a diffusion suppressing device. CONSTITUTION: When source gas used in CVD is supplied into a reaction chamber(3) filled up with diffusion suppressing gas, the diffusion boundary surface(B) is formed between source and diffusion suppressing gas. On this occasion, the density of source gas becomes much higher near susceptor(5) than the sidewall of the chamber. A diffusion suppressing device is installed in the chamber, enclosing the susceptor, to assist the diffusion boundary surface to remain stable. Source gas inlet(7) is installed in the apex of the diffusion suppressing device.
摘要翻译：目的：提供一种使用扩散抑制气体和装置的化学气相沉积方法和装置，以通过不仅利用源和扩散抑制气体之间的相互扩散抑制效应而扩大抑制装置来提高沉积速率而不增加源气体的量。构成：当在CVD中使用的源气体被供应到充满扩散抑制气体的反应室（3）中时，在源和扩散抑制气体之间形成扩散边界表面（B）。在此情况下，源气体的密度在腔室的侧壁附近变得比基座（5）高得多。扩散抑制装置安装在腔室中，封闭基座，以帮助扩散边界表面保持稳定。源气入口（7）安装在扩散抑制装置的顶点。

7. 实用新型

KR2019950000676Y1 조립식 책꽂이 失效
标题翻译：编织书
公开(公告)号：KR2019950000676Y1
公开(公告)日：1995-02-07
申请号：KR2019920007936
申请日：1992-05-09
申请人： 변철수 , 한호준
发明人： 변철수 , 한호준
IPC分类号： A47B65/00
摘要： 내용 없음.

8. 发明公开

KR1020030032796A 확산억제가스흐름과 확산억제수단을 이용한 화학기상증착방법 및 그 장치 有权
标题翻译：使用扩散抑制大气和器件的化学气相沉积的方法和装置
公开(公告)号：KR1020030032796A
公开(公告)日：2003-04-26
申请号：KR1020020006957
申请日：2002-02-07
申请人： 변철수
发明人： 변철수
IPC分类号： H01L21/205
摘要： PURPOSE: A method and apparatus of chemical vapor deposition using diffusion suppressing gasses and devices are provided to improve deposition rate without increasing the quantity of source gas by using not only mutual diffusion-restraint effect between source and diffusion suppressing gas but a diffusion suppressing device. CONSTITUTION: When source gas used in CVD is supplied into a reaction chamber(3) filled up with diffusion suppressing gas, the diffusion boundary surface(B) is formed between source and diffusion suppressing gas. On this occasion, the density of source gas becomes much higher near susceptor(5) than the sidewall of the chamber. A diffusion suppressing device is installed in the chamber, enclosing the susceptor, to assist the diffusion boundary surface to remain stable. Source gas inlet(7) is installed in the apex of the diffusion suppressing device.
摘要翻译：目的：提供使用扩散抑制气体和器件的化学气相沉积的方法和装置，不仅通过使用源扩散抑制气体之间的相互扩散抑制作用而且通过扩散抑制装置来提高沉积速率而不增加源气体的量。构成：当将用于CVD的源气体供给到填充有扩散抑制气体的反应室（3）时，扩散界面（B）形成在源极扩散抑制气体之间。在这种情况下，源气体的密度在基座（5）附近比室的侧壁高得多。扩散抑制装置安装在腔室中，包围基座，以辅助扩散边界表面保持稳定。源气体入口（7）安装在扩散抑制装置的顶点。

9. 实用新型

KR2019940001399Y1 철망 제조장치 无效
标题翻译：制造线束的装置
公开(公告)号：KR2019940001399Y1
公开(公告)日：1994-03-16
申请号：KR2019920002298
申请日：1992-02-14
申请人： 변철수
发明人： 변철수
IPC分类号： B21F27/00
摘要： 내용 없음.

10. 实用新型

KR2019930019469U 철망 제조장치 无效
公开(公告)号：KR2019930019469U
公开(公告)日：1993-09-23
申请号：KR2019920002298
申请日：1992-02-14
申请人： 변철수
发明人： 변철수
IPC分类号： B21F27/00

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