基本信息:
- 专利标题： 확산억제가스흐름과 확산억제수단을 이용한 화학기상증착방법 및 그 장치
- 专利标题（英）：Methods and Apparatuses of Chemical Vapor Deposition using diffusion suppressing gasses and devices
- 专利标题（中）：확산억제가스흐름과확산억제수단을이용한화학기상증착방법및그장치
- 申请号：KR1020020006957 申请日：2002-02-07
- 公开(公告)号：KR100450173B1 公开(公告)日：2004-09-30
- 发明人： 변철수
- 申请人： 변철수
- 申请人地址： 서울특별시 강남구 남부순환로***길 **, 도곡한신아파트 *-*** (도곡동)
- 专利权人： 변철수
- 当前专利权人： 변철수
- 当前专利权人地址： 서울특별시 강남구 남부순환로***길 **, 도곡한신아파트 *-*** (도곡동)
- 代理人： 김종수
- 优先权： KR1020010064337 2001-10-18
- 主分类号： H01L21/205
- IPC分类号： H01L21/205
摘要：
PURPOSE: A method and apparatus of chemical vapor deposition using diffusion suppressing gasses and devices are provided to improve deposition rate without increasing the quantity of source gas by using not only mutual diffusion-restraint effect between source and diffusion suppressing gas but a diffusion suppressing device. CONSTITUTION: When source gas used in CVD is supplied into a reaction chamber(3) filled up with diffusion suppressing gas, the diffusion boundary surface(B) is formed between source and diffusion suppressing gas. On this occasion, the density of source gas becomes much higher near susceptor(5) than the sidewall of the chamber. A diffusion suppressing device is installed in the chamber, enclosing the susceptor, to assist the diffusion boundary surface to remain stable. Source gas inlet(7) is installed in the apex of the diffusion suppressing device.
摘要（中）：
目的：提供一种使用扩散抑制气体和装置的化学气相沉积方法和装置，以通过不仅利用源和扩散抑制气体之间的相互扩散抑制效应而扩大抑制装置来提高沉积速率而不增加源气体的量。 构成：当在CVD中使用的源气体被供应到充满扩散抑制气体的反应室（3）中时，在源和扩散抑制气体之间形成扩散边界表面（B）。 在此情况下，源气体的密度在腔室的侧壁附近变得比基座（5）高得多。 扩散抑制装置安装在腔室中，封闭基座，以帮助扩散边界表面保持稳定。 源气入口（7）安装在扩散抑制装置的顶点。
公开/授权文献:
- KR1020030032796A 확산억제가스흐름과 확산억제수단을 이용한 화학기상증착방법 및 그 장치 公开/授权日：2003-04-26
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |
| ----------------H01L21/205 | .....应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积 |