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1. 发明授权

KR101552968B1 CIGS 박막 제조방법, 이를 이용한 박막 태양전지 제조방법 및 박막 태양전지 有权
标题翻译： CIGS CIGS薄膜制造方法及其在薄膜太阳能电池中的应用
公开(公告)号：KR101552968B1
公开(公告)日：2015-09-14
申请号：KR1020130158514
申请日：2013-12-18
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 김태원 , 박재철 , 이영준 , 이전량 , 이승현
IPC分类号： H01L31/0445 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 본발명은 grain boundary 결함문제를보완할수 있으므로박막태양전지소자의변환효율을높일수 있는 CIGS 박막제조방법, 이를이용한박막태양전지제조방법및 박막태양전지에관한것이다.본발명의 CIGS 박막제조방법은기판을스퍼터링장치내에안착시키는기판안착단계; 및단일공정스퍼터링으로 CIGS 단일타겟을스퍼터링시켜상기기판위에 (112) 방향으로배향되게 CIGS 박막을증착시키는 CIGS 박막증착단계를포함한다.

2. 发明公开

KR1020150071458A CIGS 박막 제조방법, 이를 이용한 박막 태양전지 제조방법 및 박막 태양전지 有权
标题翻译： CIGS薄膜的制造方法及其对薄膜太阳能电池的应用
公开(公告)号：KR1020150071458A
公开(公告)日：2015-06-26
申请号：KR1020130158514
申请日：2013-12-18
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 김태원 , 박재철 , 이영준 , 이전량 , 이승현
IPC分类号： H01L31/0445 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0445 , H01L31/18
摘要： 본발명은 grain boundary 결함문제를보완할수 있으므로박막태양전지소자의변환효율을높일수 있는 CIGS 박막제조방법, 이를이용한박막태양전지제조방법및 박막태양전지에관한것이다. 본발명의 CIGS 박막제조방법은기판을스퍼터링장치내에안착시키는기판안착단계; 및단일공정스퍼터링으로 CIGS 단일타켓을스퍼터링시켜상기기판위에 CIGS 박막을증착시키는 CIGS 박막증착단계를포함한다.
摘要翻译：本发明涉及一种能够补偿晶界缺陷问题并提高薄膜太阳能电池的转换效率的CIGS薄膜的制造方法，使用该方法的薄膜太阳能电池的制造方法，以及薄膜太阳能电池。根据本发明，CIGS薄膜制造方法包括：将基板安装在溅射装置上的基板安装工序; 以及CIGS薄膜沉积步骤，通过单个溅射工艺溅射单个CIGS靶，以将CIGS薄膜沉积在衬底上。

3. 发明公开

KR1020130079084A 탄탈륨-인듐-아연-옥사이드계 아몰퍼스 산화물 합성방법 有权
标题翻译： TA-IN-ZN-O无定形氧化物，其制备方法和包含其的场效应晶体
公开(公告)号：KR1020130079084A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：KR1020120042735
申请日：2012-04-24
申请人： 한국생산기술연구원 , 오병윤
发明人： 김광영 , 오병윤 , 이영준 , 김주형 , 허기석 , 박재철
IPC分类号： C01G35/00 , C01G15/00 , C01G9/00 , H01L51/30
摘要： PURPOSE: A tantalum-indium-zinc-oxide amorphous oxide, a method of synthesizing the oxide, and a field effect transistor comprising a channel layer containing the oxide are provided to be used as a semiconductor thin film by adding a tantalum oxide (Ta2O5) material into an InZnO semiconductor material as an electric charge suppressing and network stabilizing agent. CONSTITUTION: A tantalum-indium-zinc-oxide (Ta-In-Zn-O) amorphous oxide contains indium-zinc-tantalum. The content of Ta/ (Ta+In+Zn) is 5-15 at%. The Ta-In-Zn-O amorphous oxide has 80% or more permeability and 10^18/cm^3 or less electric carrier concentration. A method of synthesizing the Ta-In-Zn-O amorphous oxide comprises the steps of: preparing IZO by mixing In2O3 and ZnO at the mixing ratio of 50 wt%; and depositing the Ta-In-Zn-O amorphous oxide simultaneously with IZO and Ta2O5 as targets. The depositing step further comprises a step of controlling the power of Ar/O2 and Ta2O5 targets. The electric property of the Ta-In-Zn-O amorphous oxide is controlled by changing the composition ratios based on the power control.
摘要翻译：目的：提供一种钽 - 铟 - 锌 - 氧化物非晶氧化物，一种合成该氧化物的方法和一种包含含有该氧化物的沟道层的场效应晶体管，用于通过添加氧化钽（Ta 2 O 5）作为半导体薄膜，材料作为电荷抑制和网络稳定剂的InZnO半导体材料。构成：钽 - 铟 - 氧化锌（Ta-In-Zn-O）无定形氧化物含有铟 - 锌 - 钽。 Ta /（Ta + In + Zn）的含量为5〜15原子％。 Ta-In-Zn-O无定形氧化物具有80％或更高的磁导率和10 ^ 18 / cm 3或更低的载流子浓度。合成Ta-In-Zn-O无定形氧化物的方法包括以下步骤：以50重量％的混合比例混合In 2 O 3和ZnO; 并且与IZO和Ta 2 O 5同时沉积Ta-In-Zn-O无定形氧化物作为靶。沉积步骤还包括控制Ar / O 2和Ta 2 O 5靶的功率的步骤。通过根据功率控制改变组成比来控制Ta-In-Zn-O非晶氧化物的电性能。

4. 发明授权

KR101462498B1 CIGS 흡수층 제조방법, 이를 이용한 박막 태양전지 제조방법 및 박막 태양전지 有权
标题翻译： CIGS吸收层的制备方法及其对薄膜太阳能电池的应用
公开(公告)号：KR101462498B1
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：KR1020130158516
申请日：2013-12-18
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 김태원 , 박재철 , 이영준 , 이전량 , 이승현
IPC分类号： H01L31/0445 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/18 , H01L31/0445
摘要： 본 발명은 공정단가를 줄이고, 박막 태양전지의 효율을 높일 수 있는 CIGS 흡수층 제조방법 및 이를 이용한 박막 태양전지 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 CIGS 흡수층 제조방법은 스퍼터링 장치 내에 기판을 안착시키는 기판 안착단계; 상기 기판 위에 몰리브덴을 증착시켜 배면전극을 형성하는 배면전극 형성단계; Cu-Se 스퍼터링 타겟을 스퍼터링시켜 상기 배면전극 위에 Cu-Se 박막을 증착시키는 Cu-Se 박막 증착단계; 상기 Cu-Se 박막을 액상화시키는 액상화 단계; 및 단일 공정 스퍼터링을 이용하여 CIGS 단일 타겟을 스퍼터링시켜 Cu-Se 액상 위에 CIGS 박막을 증착시키는 CIGS 박막 증착단계를 포함한다.
摘要翻译：本发明涉及能够降低加工成本并提高薄型太阳能电池的效率的CIGS吸收层制造方法以及使用其的薄型太阳能电池制造方法。本发明的CIGS吸收层制造方法包括：使基板沉积在溅射装置中的基板沉降步骤; 后电极形成步骤，通过在所述衬底上沉积钼形成后电极; Cu-Se薄膜沉积步骤，通过溅射Cu-Se溅射靶在后电极上沉积Cu-Se薄膜; 液化Cu-Se薄膜的液化步骤; 以及CIGS薄膜沉积步骤，其通过使用单一工艺溅射通过溅射CIGS单个靶而在Cu-Se液体上沉积CIGS薄膜。

5. 发明公开

KR1020130131130A 탄탈륨-인듐-아연-옥사이드계 아몰퍼스 산화물, 상기 산화물 합성방법 및 상기 산화물을 포함하여 형성된 채널층을 구비한 전계효과 트랜지스터 无效
标题翻译： TA-IN-ZN-O无定形氧化物，其制备方法和包含其的场效应晶体
公开(公告)号：KR1020130131130A
公开(公告)日：2013-12-03
申请号：KR1020120054960
申请日：2012-05-23
申请人： 한국생산기술연구원 , 오병윤
发明人： 김광영 , 오병윤 , 이영준 , 김주형 , 허기석 , 박재철
IPC分类号： C01G35/00 , C01G15/00 , C01G9/00 , H01L51/05
摘要： The present invention relates to an amorphous oxide and a transistor with a field effect using the same, and more specifically, to TA-IN-ZN-O amorphous oxide, method for preparing the same, and transistor which has channel layer including TA-IN-ZN-O amorphous oxide and provides field effect, wherein the TA-IN-ZN-O amorphous oxide is synthesized in an amorphous state by controlling charge density by adding tantalum to a material including indium and zinc.
摘要翻译：本发明涉及一种非晶氧化物和具有场效应的晶体管，更具体地说，涉及一种TA-IN-ZN-O无定形氧化物及其制备方法，以及具有包含TA-IN -ZN-O无定形氧化物并提供场效应，其中TA-IN-ZN-O无定形氧化物通过在包括铟和锌的材料中添加钽来控制电荷密度，以非晶状态合成。

6. 发明授权

KR101480908B1 탄탈륨-인듐-아연-옥사이드계 아몰퍼스 산화물 합성방법 有权
标题翻译：制备Ta-In-Zn-O无定形氧化物的方法
公开(公告)号：KR101480908B1
公开(公告)日：2015-01-13
申请号：KR1020120042735
申请日：2012-04-24
申请人： 한국생산기술연구원 , 오병윤
发明人： 김광영 , 오병윤 , 이영준 , 김주형 , 허기석 , 박재철
IPC分类号： C01G35/00 , C01G15/00 , C01G9/00 , H01L51/30
摘要： 본 발명은 아몰퍼스 산화물 및 그것을 이용한 전계효과 트랜지스터에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 인듐, 아연 함유물에 탄탈룸을 함유하여 전하의 농도를 제어하여 비정질 상태로 합성한 Ta-In-Zn-O계 아몰퍼스 산화물, 상기 산화물 합성방법 및 상기 산화물을 포함하여 형성된 채널층을 구비한 전계효과 트랜지스터에 관한 것이다.

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