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1. 发明申请

WO2012064050A2 화학적 리프트 오프 방법을 이용한 III족 질화물 기판의 제조방법 审中-公开
标题翻译：使用化学提升过程制造III类氮化物衬底的方法
公开(公告)号：WO2012064050A2
公开(公告)日：2012-05-18
申请号：PCT/KR2011/008370
申请日：2011-11-04
申请人： 한국광기술원 , 주진우 , 백종협 , 이승재 , 이상헌 , 정탁 , 전대우
发明人： 주진우 , 백종협 , 이승재 , 이상헌 , 정탁 , 전대우
IPC分类号： H01L21/20 , H01L33/00
CPC分类号： H01L21/02609 , H01L21/02381 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02647 , H01L21/02664 , H01L29/045 , H01L33/0079
摘要： 본 발명의 구체예에서 개시된 무극성 또는 반극성 III족 질화물 층은 각종 전자 소자의 기판 용도로 사용될 수 있는 바, 종래의 극성 III족 질화물 기판의 문제점을 완화 또는 해소할 수 있을 뿐만 아니라, 화학적 리프트 오프 방식에 의하여 제조될 수 있다.
摘要翻译：在本发明的具体实施例中公开的非极性或半极性III族氮化物层可以用于各种电子器件的基板，其中通过使用氮化物衬底的氮化物衬底来减轻或解决常规极性III族氮化物衬底的问题本发明，并且可以通过化学剥离工艺制造氮化物衬底。

2. 发明申请

WO2016163595A1 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법 审中-公开
标题翻译：氮化物半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2016163595A1
公开(公告)日：2016-10-13
申请号：PCT/KR2015/006689
申请日：2015-06-30
申请人： 한국광기술원
发明人： 이승재 , 최성철 , 백종협 , 전성란 , 김상묵 , 정태훈
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： C22C38/04 , H01L33/0075 , H01L33/22 , H01L33/32
摘要： 본 발명은 질화물계 반도체 발광소자의 정전기(Electrostatic Discharge: ESD) 내압특성을 개선할 수 있는 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 발광소자는, 상부면에 v-피트 구조를 갖는 제1전도성 반도체층에 전도성이 낮은 물질을 이용하여 평탄하게 형성되는 활성층과 제2전도성 반도체을 포함하거나 상부면에 v-피트 구조를 갖는 제1전도성 반도체층에 전도성이 낮은 물질을 이용하여 평탄화하고 활성층과 제2전도성 반도체층의 인접면에 v피트 구조를 가짐으로써, v피트 영역은 임계두께 이상이 되어 전도성이 매우 낮아서 전류의 이동이 차단되는 반면에, 그 이외 영역은 임계두께 이하를 가져 상부로 전류의 이동이 가능하여 누설전류 및 기타 소자의 내구성을 강화시키면서도 관통전위에 의해 발생되는 비발광 재결합을 줄여 광도 저하를 최소화할 수 있는 효과가 있다.
摘要翻译：本发明涉及氮化物半导体发光器件及其制造方法，其可以改善氮化物半导体发光器件的静电放电（ESD）内压特性。本发明的发光装置包括使用低导电性材料在其上表面上具有v凹坑结构的第一导电半导体层上形成的有源层，以及第二导电半导体或者在第二导电半导体层和有源层之间的接触表面上具有使用低导电性材料形成的V阱结构，在第一导电半导体层上具有v阱结构其上表面。因此，v坑区域的厚度等于或大于临界厚度，因此具有非常低的导电性，从而防止电流流动，而剩余区域的厚度等于或小于临界厚度，因此电流可以向上流动。因此，本发明具有减少电流泄漏和强化其它元件的耐久性的效果，同时减少由穿透位错产生的非辐射复合，从而使发光度降低最小化。本发明涉及氮化物半导体发光器件及其制造方法，其可以改善氮化物半导体发光器件的静电放电（ESD）内压特性。本发明的发光装置包括使用低导电性材料在其上表面上具有v凹坑结构的第一导电半导体层上形成的有源层，以及第二导电半导体或者在第二导电半导体层和有源层之间的接触表面上具有使用低导电性材料形成的V阱结构，在第一导电半导体层上具有v阱结构其上表面。

3. 发明申请

WO2011115414A3 다중발광소자 및 이를 제조하는 방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2011115414A3
公开(公告)日：2011-09-22
申请号：PCT/KR2011/001813
申请日：2011-03-15
申请人： 한국광기술원 , 전성란 , 김재범 , 이승재
发明人： 전성란 , 김재범 , 이승재
IPC分类号： H01L33/08
摘要： 본 발명은 다중발광소자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 기판 상에 위치한 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치한 제1형 반도체층; 상기 제1형 반도체층 상에 위치하되, 상기 제1형 반도체층의 일부가 노출되도록 패턴화된 제1활성층; 상기 제1활성층에 의해 노출된 제1형 반도체층 상에 위치한 제2활성층; 및 상기 제1활성층 및 제2활성층 상에 위치하는 제2형 반도체층;을 포함하며, 상기 제1활성층과 제2활성층은 수평적으로 반복하여 배치되는 다중발광소자 및 이를 제조하는 방법을 제공한다. 이와 같이 본 발명에 따른 다중발광소자는 제1활성층과 제2활성층을 수평적으로 반복 배치함으로써, 발광 효율 손실이 적으면서 다중 파장을 발광할 수 있다.

4. 发明公开

KR1020160144520A 반도체 발광소자 및 그 제조방법 无效
标题翻译：一种半导体发光元件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160144520A
公开(公告)日：2016-12-19
申请号：KR1020150079730
申请日：2015-06-05
申请人： 한국광기술원
发明人： 정태훈 , 백종협 , 전성란 , 정성훈 , 오화섭 , 이승재 , 송영호 , 민판기 , 이광재
IPC分类号： H01L33/22 , H01L21/205 , H01L51/00
摘要： 반도체발광소자및 그제조방법이개시된다. 본발명에따른반도체발광소자제조방법은, 기판상에제1질화물반도체층을형성하는단계; 제1 질화물반도체층상에제2 질화물반도체층을형성하는단계; 제2 질화물반도체층상에브이피트(V-pit)층을형성하는단계; 브이피트층상에활성층을형성하는단계; 및활성층상에제3 질화물반도체층을형성하는단계를포함한다.

5. 发明公开

KR1020160081376A 질화물 반도체 발광소자 无效
标题翻译：氮化物半导体发光器件
公开(公告)号：KR1020160081376A
公开(公告)日：2016-07-08
申请号：KR1020140195131
申请日：2014-12-31
申请人： 한국광기술원
发明人： 정태훈 , 백종협 , 이상헌 , 전성란 , 정탁 , 오화섭 , 이승재 , 주진우 , 정성훈 , 이광재 , 민판기
IPC分类号： H01L33/12
CPC分类号： H01L33/12
摘要： 질화물반도체발광소자가개시된다. 본발명에서는, 결함완화층의하부또는, 결함완화층의내부에 AlN 또는 AlGaN으로구성되는삽입층이배치되어결정결함의진행을차단한다.
摘要翻译：公开了一种氮化物半导体发光器件。在本发明中，由AlN或AlGaN构成的插入层设置在缺陷缓和层的下部或缺陷缓和层的内部，以阻止晶体缺陷的进行。氮化物半导体发光器件包括：衬底的上部的缓冲层; 氮化物半导体层，设置在所述缓冲层的上部，并且以预定的第一温度生长; 所述缺陷弛豫层设置在所述缓冲层和所述氮化物半导体层之间，以阻止所述晶体缺陷的进行; 并且所述插入层设置在所述缓冲层和所述缺陷弛豫层之间，以阻止所述晶体缺陷的进行。

6. 发明授权

KR101617525B1 플렉서블 ＬＥＤ 및 그 제조방법 有权
标题翻译：柔性LED及其制造方法
公开(公告)号：KR101617525B1
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：KR1020140069361
申请日：2014-06-09
申请人： 한국광기술원
发明人： 정탁 , 박형조 , 오화섭 , 정태훈 , 이승재 , 이윤석 , 김자연 , 정성훈 , 주진우 , 이상헌 , 백종협
IPC分类号： H01L33/12 , H01L33/64 , H01L33/36
摘要： 본발명은 LED 소자가잘 구부러지도록유연성을갖는플렉서블 LED 및그 제조방법을제공하는것을목적으로한다. 이를위해본 발명은제 1 도전성반도체층과, 활성층과, 제 2 도전성반도체층과, 반사부가적층되고, 상기제 1 도전성반도체층에제 1 전극이설치되며, 상기반사부에제 2 전극이설치되고, 상기반사부에열을방출하는방열부가설치되며, 상기방열부에잘 구부러지는유연성을갖는플렉서블기판을설치한것을특징으로한다. 따라서본 발명은 LED 소자가잘 구부러지도록유연성을갖는장점이있다.

7. 发明公开

KR1020150134842A GaN 박막을 포함한 이종 기판, 이의 제조방법, 이를 구비하는 발광 소자 및 이의 제조방법 无效
标题翻译：具有薄膜的异型衬底，其制造方法，发光装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150134842A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：KR1020140062159
申请日：2014-05-23
申请人： 한국광기술원
发明人： 주진우 , 이승재 , 백종협 , 박형조 , 정탁 , 김윤석 , 오화섭 , 정태훈 , 김자연 , 정성훈 , 이상헌
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32
摘要： 본발명은 GaN 박막을포함한이종기판에에피층을성장시킴으로써, 버퍼를개재시키지않은상태에서에피층을형성할수 있으므로, 결정성이향상되며, 저렴하게제작할수 있는 GaN 박막을포함한이종기판, 이의제조방법, 이를구비하는발광소자및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의일 측면에따른 GaN 박막을포함한이종기판은, 이종기판인베이스기판; 및상기베이스기판의적어도일면에서로이격되어형성되는다수의 GaN(Gallium Nitride) 박막으로이루어지는것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明涉及具有GaN薄膜的异质衬底，其制造方法，包括该GaN薄膜的发光器件及其制造方法。可以通过在包括GaN薄膜的异质衬底上形成外延层来形成外延层而不插入缓冲层，从而提高结晶度。外延层可以低成本制造。根据本发明的一个方面的具有GaN薄膜的异质衬底包括：作为异质衬底的基底衬底; 和氮化镓（GaN）薄膜，其在基底基板的至少一个表面上彼此分离。

8. 发明公开

KR1020150123034A 질화물 박막 및 그 제조방법 有权
标题翻译：硝酸盐薄膜及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150123034A
公开(公告)日：2015-11-03
申请号：KR1020140049354
申请日：2014-04-24
申请人： 한국광기술원
发明人： 이승재 , 전성란 , 주진우 , 박형조 , 정탁 , 김윤석 , 오화섭 , 정태훈 , 김자연 , 정성훈 , 이상헌 , 백종협
IPC分类号： C30B25/02 , C30B29/38
CPC分类号： C30B25/02 , C30B29/38 , H01L33/0066 , H01L33/12
摘要： 질화물박막및 그제조방법이개시된다. 본발명의질화물박막은, 실리콘기판을반응로내에서고온의제1온도로가열하고, 상기반응로내에수소를주입하고, 상기실리콘기판을상기제1온도보다낮은제2온도로냉각하고, 상기반응로내에수소를일정하게주입하면서, 트리메틸알루미늄(TMA)를소정시간주입하고, 상기반응로내에수소및 TMA를일정하게주입하면서, 암모니아(NH)를소정시간주입하고, 상기반응로내에수소, TMA 및 NH를일정하게주입하면서, 상기실리콘기판을상기제1온도로가열하여제조한다.
摘要翻译：公开了一种氮化物薄膜及其制造方法。本发明的氮化物薄膜通过以下步骤制备：在反应炉中以高温的第一温度加热硅树脂基材; 将氢气送入反应炉; 在低于第一温度的第二温度下冷却硅树脂基材; 均匀地将氢气进料到反应炉中; 喂三甲基铝（TMA）一段时间; 在反应炉中均匀加入氢气和TMA; 在一段时间内喂氨（NH_3）并在第一温度下加热硅基片，同时在反应炉中均匀加入氢，TMA和NH_3。

9. 发明授权

KR101562928B1 발광 다이오드 및 그 제조방법 有权
标题翻译：发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR101562928B1
公开(公告)日：2015-10-23
申请号：KR1020140054577
申请日：2014-05-08
申请人： 한국광기술원
发明人： 오화섭 , 이승재 , 주진우 , 박형조 , 정탁 , 김윤석 , 이상헌 , 정태훈 , 김자연 , 정성훈 , 백종협
IPC分类号： H01L33/08
CPC分类号： H01L33/08 , H01L33/50
摘要： 본발명은기판양면에에피구조를성장시켜발광출력을향상시킬수 있으며, 단일의발광다이오드를사용하여이중발광스펙트럼을구현할수 있는발광다이오드및 그제조방법에관한것이다. 본발명의실시예에따른발광다이오드는, 기판의일면에형성되며, 공급되는전자및 정공의재결합에따라생성되며, 제 1 스펙트럼을갖는제 1 광을출력하는제 1 에피층; 및상기기판의타면에형성되며, 상기제 1 광의일부를흡수하여, 제 2 스펙트럼을갖는제 2 광을출력하는제 2 에피층으로구성된다.
摘要翻译：发光二极管及其制造方法技术领域本发明涉及一种发光二极管及其制造方法，其能够通过使用单个发光二极管实现双重发光光谱，并且通过在基板的两侧生长外延结构来提高发光输出。根据本发明的实施例的发光二极管包括通过电子和被供应的孔的复合而形成在衬底的一侧上的第一外延层，并且输出具有第一光谱的第一光 ; 并且形成在所述基板的另一侧上的第二外延层部分地吸收所述第一光，并输出具有第二光谱的第二光。

10. 发明授权

KR101494331B1 플립 칩 구조의 질화물 반도체 발광소자 有权
标题翻译： FLIP芯片型氮化物半导体发光器件
公开(公告)号：KR101494331B1
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：KR1020130153661
申请日：2013-12-11
申请人： 한국광기술원
发明人： 이상헌 , 백종협 , 정태훈 , 정성훈 , 이승재 , 김자연 , 주진우 , 오화섭 , 박형조 , 정탁
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/62 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/10 , H01L33/20 , H01L33/62
摘要： 본 개시(Disclosure)는 전류 확산 특성을 개선하는 전극구조를 가지는 플립 칩 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 본 개시의 일 실시형태에 따른 플립 칩 질화물 반도체 발광소자는, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층; 상기 제1 반도체층 위에 적층되며, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층; 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 개재되어 전자와 정공의 재결합에 의해 광자를 생성하는 활성층; 상기 제2 반도체층 위에 형성되며, 서로 전기적으로 절연되도록 형성되며, 각각 상기 제1,2 반도체층에 전기적으로 접속되는 제1,2 전극영역; 및 상기 제2 반도체층 및 상기 활성층의 관통하여 상기 제1 반도체층에 이르도록 형성되며, 상기 제1 전극영역과 상기 제1 반도체층을 전기적으로 접속시키는 복수의 비아홀;로서, 상기 제1 전극영역 내에 위치되는 적어도 하나의 제1 비아홀;과 상기 제1 전극영역 바깥에 위치되는 적어도 하나의 제2 비아홀;을 가지는 복수의 비아홀;을 포함한다.
摘要翻译：本发明涉及倒装芯片型氮化物半导体发光器件。所公开的涉及具有改善的电流扩散特性的电极结构的倒装芯片型氮化物半导体发光器件。根据本发明的实施例，倒装芯片型氮化物半导体发光器件包括：具有第一导电性的第一半导体层; 具有不同于所述第一导电性的第二导电性的第二半导体层; 有源层，其设置在第一和第二半导体层之间，并通过将电子与孔重新组合而产生光子; 第一和第二电极区域，形成在第二半导体层上，被形成为彼此电绝缘并分别与第一和第二半导体层电连接; 通过穿透第二半导体层和有源层而形成为到达第一半导体的多个通孔，电连接第一电极区域和第一半导体层，并且包括至少一个位于第一半导体层内的第一通孔电极和位于第一电极区域外部的至少一个第二通孔。

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