基本信息:
- 专利标题： 화학적 리프트 오프 방법을 이용한 III족 질화물 기판의 제조방법
- 专利标题（英）：Method for manufacturing a group iii nitride substrate using a chemical lift-off process
- 专利标题（中）：使用化学提升过程制造III类氮化物衬底的方法
- 申请号：PCT/KR2011/008370 申请日：2011-11-04
- 公开(公告)号：WO2012064050A2 公开(公告)日：2012-05-18
- 发明人： 주진우 , 백종협 , 이승재 , 이상헌 , 정탁 , 전대우
- 申请人： 한국광기술원 , 주진우 , 백종협 , 이승재 , 이상헌 , 정탁 , 전대우
- 申请人地址： 광주광역시 북구 월출동 971-35번지, 500-779 Gwangju KR
- 专利权人： 한국광기술원,주진우,백종협,이승재,이상헌,정탁,전대우
- 当前专利权人： 한국광기술원,주진우,백종협,이승재,이상헌,정탁,전대우
- 当前专利权人地址： 광주광역시 북구 월출동 971-35번지, 500-779 Gwangju KR
- 代理机构： 이은철
- 优先权： KR10-2010-0110517 20101108
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20 ; H01L33/00
摘要：
본 발명의 구체예에서 개시된 무극성 또는 반극성 III족 질화물 층은 각종 전자 소자의 기판 용도로 사용될 수 있는 바, 종래의 극성 III족 질화물 기판의 문제점을 완화 또는 해소할 수 있을 뿐만 아니라, 화학적 리프트 오프 방식에 의하여 제조될 수 있다.
摘要（中）：
在本发明的具体实施例中公开的非极性或半极性III族氮化物层可以用于各种电子器件的基板，其中通过使用氮化物衬底的氮化物衬底来减轻或解决常规极性III族氮化物衬底的问题 本发明，并且可以通过化学剥离工艺制造氮化物衬底。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |