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1. 发明申请

WO2012096478A2 마이크로 볼로미터에서 필 팩터를 높이기 위한 픽셀 디자인 审中-公开
标题翻译：像素设计增加微测辐射热计的填充因子
公开(公告)号：WO2012096478A2
公开(公告)日：2012-07-19
申请号：PCT/KR2012/000135
申请日：2012-01-06
申请人： 한국과학기술원 , 김희연 , 김경민 , 김병일 , 박재홍 , 이귀로
发明人： 김희연 , 김경민 , 김병일 , 박재홍 , 이귀로
IPC分类号： G01J1/02 , G01J5/20
CPC分类号： G01J5/0225 , G01J5/20
摘要： 본 발명의 일실시예에 따른 마이크로 볼로미터에서 필 팩터를 높이기 위한 픽셀 디자인은, 기판 상부의 반사 금속층을 포함하는 하부층; 상기 하부층 상부의 공동; 상기 공동 상부의 볼로미터층과 그 위의 투과 금속층을 포함하는 상부층; 상기 하부층 및 상기 상부층의 절연을 위한 절연층; 및 상기 상부층을 지지하는 앵커를 포함하는 각 볼로미터 픽셀들의 배열로 이루어진 볼로미터 어레이에 있어서, 상기 볼로미터 픽셀 네 개가 상기 앵커 하나를 공유하는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：根据本发明的一个实施例的用于增加微测辐射热计中的填充因子的像素设计包括：在基板上包括反射金属层的下层; 下层以上的空腔; 上层，其包括在空腔顶部上的辐射热计层和其上的透射金属层; 绝缘层，用于使下层和上层绝缘; 以及用于支撑上层的锚，其中四个测辐射热计像素共用锚之一。

2. 发明申请

WO2012121526A2 적외선 센서칩, 적외선 감지기, 이의 동작 방법 및 테스트 방법 审中-公开
标题翻译：红外传感器芯片，红外探测器，其操作方法及其测试方法
公开(公告)号：WO2012121526A2
公开(公告)日：2012-09-13
申请号：PCT/KR2012/001612
申请日：2012-03-05
申请人： 한국과학기술원 , 김희연 , 김경민 , 김병일 , 경기명 , 박재홍 , 이귀로 , 김경태
发明人： 김희연 , 김경민 , 김병일 , 경기명 , 박재홍 , 이귀로 , 김경태
IPC分类号： G01J5/02 , G01J5/20 , H01L31/101
CPC分类号： G01J5/24 , G01J5/026 , G01J5/20 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/49175 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1461 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 실시예에 따르면, 액티브 매트릭스, 로우 라인 선택부 및 출력 멀티플렉서부로 구성된 CMOS회로 기판; 및 상기 CMOS 회로 기판 상에 적층되며, 액티브 셀과 레퍼런스 셀로 구성되는 볼로미터를 포함하고, 웨이퍼 또는 칩 상태에서의 상기 볼로미터에 대한 동작, 최종 및 파라메트릭 테스트를 위해, 상기 로우 라인 선택부는 상기 볼로미터 중 전압 인가의 대상이 되는 셀을 선택하고, 상기 출력 멀티플렉서부는 상기 전압 인가에 따른 전류 특성을 출력하는 적외선 센서칩이 제공된다.
摘要翻译：根据该实施例，一种由有源矩阵，行线选择单元和输出多路复用器单元组成的CMOS电路板; 并且，在CMOS电路板上堆叠由有源单元和参考单元组成的测辐射热计，用于在晶片或芯片状态下进行操作，最终和参数测试，并且输出多路复用器单元输出对应于电压施加的电流特性。

3. 发明授权

KR102041830B1 반도체 나노와이어의 제조방법 및 그를 이용한 반도체 나노와이어 센서의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102041830B1
公开(公告)日：2019-11-27
申请号：KR1020180076988
申请日：2018-07-03
申请人： 한국과학기술원
发明人： 박재홍 , 형정환 , 이병주 , 노길선 , 김광희
IPC分类号： H01L21/02 , H01L29/06 , H01L21/027 , H01L21/762 , H01L21/768

4. 发明公开

KR1020180099972A 불연속 나노구조물 제조방법 有权
公开(公告)号：KR1020180099972A
公开(公告)日：2018-09-06
申请号：KR1020170025609
申请日：2017-02-27
申请人： 한국과학기술원
发明人： 박재홍 , 장현익 , 윤해수
IPC分类号： G03F7/00 , B82B3/00 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/0002 , B82B3/0038 , G03F7/2012
摘要： 본발명은불연속나노구조물제조방법에관한것으로, 일측표면에나노구조를갖는고분자탄성중합체스탬프및 전사하고자하는기판을준비하는단계; 나노구조를갖는고분자탄성중합체스탬프및 기판의상부표면을활성화시키는단계; 표면이활성화된나노구조를갖는고분자탄성중합체스탬프를기판상부면에낮은압력으로가압하여두 표면을접합하는단계; 접합된나노구조를갖는고분자탄성중합체스탬프와기판을높은침투특성을갖는유기용매에침지하는단계; 인장응력을가해줌과동시에접합된구조의결합을분리하는단계;를포함하는불연속나노구조물제조방법을제공한다.

5. 发明授权

KR101846741B1 나노 전사 프린팅을 이용하는 선 격자 편광판 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101846741B1
公开(公告)日：2018-04-09
申请号：KR1020160155884
申请日：2016-11-22
申请人： 한국과학기술원
发明人： 정연식 , 이정혜 , 박재홍 , 유승희 , 한혁진 , 장현익 , 윤해수
IPC分类号： G02B5/18 , G02B5/30 , G02B3/00
CPC分类号： G02B5/1847 , G02B3/0031 , G02B5/3058
摘要： 일실시예에따르면, 선격자편광판제조방법은제1 요철패턴을갖는마스터템플릿기판을준비하는단계; 상기마스터템플릿기판의상기제1 요철패턴상에고분자박막을도포하고분리하여, 상기제1 요철패턴에대한역상구조의제2 요철패턴을갖는고분자복제박막몰드를형성하는단계; 상기고분자복제박막몰드의상기제2 요철패턴중 돌출부위에기능성물질을증착하여기능성나노구조체를형성하는단계; 상기기능성나노구조체를편광기판위에프린팅하고에칭하여나노격자기판을제작하는단계; 상기나노격자기판에전도성물질을증착하는단계; 및상기전도성물질의상부를선택적으로제거하여, 선격자편광판을제조하는단계를포함한다.

6. 发明授权

KR101815354B1 나노 몰딩 복제법을 이용한 선 격자 편광판 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101815354B1
公开(公告)日：2018-01-04
申请号：KR1020150179466
申请日：2015-12-15
申请人： 한국과학기술원
发明人： 정연식 , 박재홍 , 이정혜 , 유승희 , 임순민
IPC分类号： G02B5/30
摘要： 나노몰딩복제법을이용한선 격자편광판및 그제조방법이제시된다. 본발명에서제안하는나노몰딩복제법을이용한선 격자편광판제조방법은표면요철패턴이있는마스터템플릿기판을제작하는단계, 상기마스터템플릿기판상에고분자박막을도포하고접착테이프를이용하여고분자필름을탈착함으로써고분자복제박막몰드를형성하는단계, 상기고분자복제박막몰드상에기능성물질을증착하여기능성나노구조체를형성하는단계, 상기고분자복제박막몰드의상부증착을식각을통해부분적으로제거하는단계, 상기고분자복제박막몰드를선택적으로캡슐화하는단계를포함한다.

7. 发明授权

KR101565835B1 복제 몰드 제조 방법 및 이를 이용한 미세 구조 및 그 활용. 有权
标题翻译：使用它的复制模具精细结构的方法及其应用。
公开(公告)号：KR101565835B1
公开(公告)日：2015-11-06
申请号：KR1020130134857
申请日：2013-11-07
申请人： 한국과학기술원 , 더 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 미시건
发明人： 김병일 , 이석재 , 이태재 , 박재홍 , 이경균 , 최봉길 , 니콜라스에이.고토브 , 테리슈
IPC分类号： B29C59/02 , B29C41/02
摘要： 본원발명은제 1 기판상에초기미세구조패턴을형성하여는단계, 상기제 1 기판상의초기미세구조패턴을변형시켜, 미세구조패턴을형성하는마스터몰드제조단계, 상기마스터몰드상에고분자용액을도포하고, 경화시켜고분자몰드를제조하는단계및 상기경화된고분자몰드를상기마스터몰드에서분리하는단계를포함하여고분자몰드를제조한다. 제조된상기고분자몰드상에고분자용액을도포하는단계, 상기고분자용액에자외선을조사하는방법으로상기고분자용액을제 1 차경화시키는단계, 상기고분자몰드상에도포된고분자용액상에제 2 기판을위치시키고, 상기도포된고분자용액을제 2 차경화시키는단계및 상기경화된고분자용액에서상기고분자몰드를분리하여미세구조를완성하는단계를포함하여미세구조를제조한다. 본원발명은상기방법을이용하여종래의방법으로제조된미세구조보다유연한표면의재질에의부착성이향상된미세구조를제조하는것이가능하다. 이는초기미세구조패턴을산화시키거나, 에칭하여변형하는단계를통해미세구조를변형시켜미세구조를제조함으로써가능하다. 또한, 두번의단계를거쳐상기미세구조를경화시키는단계를적용함으로써직물등의흡수성이있는표면에적용이용이하다. 마지막으로, 상기미세구조표면에친수성을부여하는것이가능하다.

8. 发明授权

KR101519607B1 적외선 센서칩, 적외선 감지기, 이의 동작 방법 및 테스트 방법 有权
公开(公告)号：KR101519607B1
公开(公告)日：2015-05-15
申请号：KR1020137009494
申请日：2012-03-05
申请人： 한국과학기술원
发明人： 김희연 , 김경민 , 김병일 , 경기명 , 박재홍 , 이귀로 , 김경태
IPC分类号： G01J5/02 , G01J5/20 , H01L31/101
摘要： 실시예에 따르면, 액티브 매트릭스, 로우 라인 선택부 및 출력 멀티플렉서부로 구성된 CMOS회로 기판; 및 상기 CMOS 회로 기판 상에 적층되며, 액티브 셀과 레퍼런스 셀로 구성되는 볼로미터를 포함하고, 웨이퍼 또는 칩 상태에서의 상기 볼로미터에 대한 동작, 최종 및 파라메트릭 테스트를 위해, 상기 로우 라인 선택부는 상기 볼로미터 중 전압 인가의 대상이 되는 셀을 선택하고, 상기 출력 멀티플렉서부는 상기 전압 인가에 따른 전류 특성을 출력하는 적외선 센서칩이 제공된다.

9. 发明授权

KR101383918B1 마이크로볼로미터형 장범위 진공센서 및 이를 포함하는 적외선 센서 有权
标题翻译： MICROBOLOMETER类型宽范围的传感器和红外传感器，包括它们
公开(公告)号：KR101383918B1
公开(公告)日：2014-04-08
申请号：KR1020130027122
申请日：2013-03-14
申请人： 한국과학기술원
发明人： 박재홍 , 김희연 , 정호 , 김경태 , 김태현 , 양충모 , 김한흥 , 황욱중 , 이귀로
IPC分类号： G01J5/02
CPC分类号： G01J5/0853 , G01J1/0219 , G01J5/0285 , G01L21/14
摘要： The present invention relates to a microbolometer type vacuum sensor and an infrared sensor including the same and, more specifically, to a microbolometer type long-range vacuum sensor capable of accurately measuring a vacuum level in a wide vacuum level range and an infrared sensor including the same. The microbolometer type long-range vacuum sensor according to the present invention includes a substrate, and at least one first cell and at least one second cell which are arranged on the substrate and transfers electrical signals according to vacuum levels to the substrate. The microbolometer type long-range vacuum sensor according to the present invention can accurately measure a vacuum level in a wide range using together the first cell which has improved sensitivity at a low vacuum level and the second cell which has improved sensitivity at a high vacuum level.
摘要翻译：本发明涉及一种微热辐射热计式真空传感器及其红外线传感器，更具体地说，涉及一种能够精确地测量宽真空度范围内的真空度的微测辐射热计型长距离真空传感器，以及包括相同。根据本发明的微温度计型远距离真空传感器包括基板，以及布置在基板上的至少一个第一单元和至少一个第二单元，并且根据真空水平将电信号传送到基板。根据本发明的微热辐射计型远距离真空传感器可以在较低范围内精确地测量在低真空度下具有改进的灵敏度的第一单元和在高真空度下具有改进的灵敏度的第二单元的宽范围内的真空度。

10. 发明公开

KR1020130076329A 나노 임프린트용 복제 몰드의 제조방법 및 나노 임프린트용 복제 몰드 有权
标题翻译：形成用于纳米印刷的纳米复制和复制模具的复制模具的方法
公开(公告)号：KR1020130076329A
公开(公告)日：2013-07-08
申请号：KR1020110144878
申请日：2011-12-28
申请人： 한국과학기술원
发明人： 박재홍 , 안치원 , 강희오 , 오재섭 , 김광희 , 서창호 , 장현익
IPC分类号： B29C33/42 , B29C39/00 , B29C59/02
CPC分类号： B29C33/3842 , B29C33/40 , B29C33/56 , B29C35/0805 , B29C2035/0827 , B29K2083/00 , B29K2875/00 , B29K2905/02 , B29K2905/06 , B29K2905/10 , B29K2905/12 , B29K2905/14 , B82Y40/00 , G03F7/0002
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a replication mold for a nano imprint and the replication mold for the nano imprint are provided to endure several imprinting steps and to facilitate duplication because the replication mold is easily discharged from a master mold without cleavage. CONSTITUTION: A method for manufacturing a replication mold for a nano imprint is as follows: a step of manufacturing a master mold (5) by forming intaglio and embossed nano patterns on a master substrate (1); a step of manufacturing a polymer mold with reversed nano patterns by hardening polymer solution on the master mold; a step of separating the polymer mold from the master mold; and a step of forming a metal layer on the reversed nano patterns of the polymer mold.
摘要翻译：目的：制造用于纳米压印的复制模具的方法和用于纳米压印的复制模具，以承受几个压印步骤并且便于重复，因为复制模具容易地从主模具排出而不会分裂。构成：用于制造用于纳米压印的复制模具的方法如下：通过在母基板（1）上形成凹版和压花纳米图案来制造母模（5）的步骤; 通过在主模上固化聚合物溶液来制造具有反向纳米图案的聚合物模具的步骤; 将聚合物模具与母模分离的步骤; 以及在聚合物模具的反转的纳米图案上形成金属层的步骤。

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