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1. 发明申请

WO2013015491A1 진공 도금 장치 및 방법 审中-公开
标题翻译：真空涂料的装置和方法
公开(公告)号：WO2013015491A1
公开(公告)日：2013-01-31
申请号：PCT/KR2011/008310
申请日：2011-11-02
申请人： 한국과학기술원 , 김병일 , 강희오 , 배남호 , 이귀로
发明人： 김병일 , 강희오 , 배남호 , 이귀로
IPC分类号： C25D17/00 , C25D17/02
CPC分类号： C23C18/1682 , C23C18/1619 , C23C18/1666 , C23C18/1676 , C23C18/168 , C25D5/003 , C25D5/20 , C25D17/001 , C25D17/004 , C25D17/02 , C25D21/02 , C25D21/04
摘要： 본 발명은 진공 도금 장치 및 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게 진공 챔버 내에 도금액이 수용되는 도금조를 배치하고, 진공 펌프를 이용하여 상기 진공 챔버 내부를 진공 상태로 만들어줌으로써, 도금 전처리 공정 또는 도금 공정 중에 발생되는 기포의 배출 및 제거가 용이하게 됨에 따라, 도금물의 기계적 전기적 열화를 효과적으로 방지하고, 도금 성능을 향상시킬 수 있는 진공 도금 장치 및 진공 도금 방법에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于真空涂覆的设备和方法，更具体地说，本发明涉及一种真空涂层的设备和方法，其可以有效地防止涂层材料电气和机械劣化，并且可以改善涂层能力，因为气泡在涂布预处理过程中发生，或者通过使用真空泵将真空室的内部放置在真空状态，并且由于电镀浴在真空室内含有电镀液，容易地排出和除去涂布过程。

2. 发明授权

KR101342900B1 나노 임프린트용 복제 몰드의 제조방법 및 나노 임프린트용 복제 몰드 有权
标题翻译：形成用于纳米印刷的纳米复制和复制模具的复制模具的方法
公开(公告)号：KR101342900B1
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：KR1020110144878
申请日：2011-12-28
申请人： 한국과학기술원
发明人： 박재홍 , 안치원 , 강희오 , 오재섭 , 김광희 , 서창호 , 장현익
IPC分类号： B29C33/42 , B29C39/00 , B29C59/02
摘要： 본발명은나노임프린트용복제몰드에관한것으로서, 더욱상세하게는나노패턴이전사되는대상인고분자물질로부터의이형성이향상된나노임프린트용복제몰드의제조방법에관한것이다. 본발명에따르면, (a) 마스터기판에양각과음각의나노패턴을형성하여마스터몰드를제작하는단계와, (b) 상기마스터몰드상에고분자용액을도포한후 경화하여역상의나노패턴이형성된고분자몰드를제조하는단계와, (c) 상기고분자몰드를상기마스터몰드에서분리하는단계와, (d) 상기고분자몰드의역상의나노패턴상에금속층을형성하는단계를포함하는나노임프린트용복제몰드의제조방법이제공된다. 본발명에따른나노임프린트용복제몰드는나노패턴상에금속층이형성되어있거나, 단독의금속박판체로구성되어있어종래의나노임프린트용몰드에비해서이형성이우수하다. 따라서고분자물질에전사된나노패턴의품질이우수하다.

3. 发明公开

KR1020130076329A 나노 임프린트용 복제 몰드의 제조방법 및 나노 임프린트용 복제 몰드 有权
标题翻译：形成用于纳米印刷的纳米复制和复制模具的复制模具的方法
公开(公告)号：KR1020130076329A
公开(公告)日：2013-07-08
申请号：KR1020110144878
申请日：2011-12-28
申请人： 한국과학기술원
发明人： 박재홍 , 안치원 , 강희오 , 오재섭 , 김광희 , 서창호 , 장현익
IPC分类号： B29C33/42 , B29C39/00 , B29C59/02
CPC分类号： B29C33/3842 , B29C33/40 , B29C33/56 , B29C35/0805 , B29C2035/0827 , B29K2083/00 , B29K2875/00 , B29K2905/02 , B29K2905/06 , B29K2905/10 , B29K2905/12 , B29K2905/14 , B82Y40/00 , G03F7/0002
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a replication mold for a nano imprint and the replication mold for the nano imprint are provided to endure several imprinting steps and to facilitate duplication because the replication mold is easily discharged from a master mold without cleavage. CONSTITUTION: A method for manufacturing a replication mold for a nano imprint is as follows: a step of manufacturing a master mold (5) by forming intaglio and embossed nano patterns on a master substrate (1); a step of manufacturing a polymer mold with reversed nano patterns by hardening polymer solution on the master mold; a step of separating the polymer mold from the master mold; and a step of forming a metal layer on the reversed nano patterns of the polymer mold.
摘要翻译：目的：制造用于纳米压印的复制模具的方法和用于纳米压印的复制模具，以承受几个压印步骤并且便于重复，因为复制模具容易地从主模具排出而不会分裂。构成：用于制造用于纳米压印的复制模具的方法如下：通过在母基板（1）上形成凹版和压花纳米图案来制造母模（5）的步骤; 通过在主模上固化聚合物溶液来制造具有反向纳米图案的聚合物模具的步骤; 将聚合物模具与母模分离的步骤; 以及在聚合物模具的反转的纳米图案上形成金属层的步骤。

4. 发明授权

KR102209291B1 EUV 리소그래피 펠리클 박막의 제조 방법 및 장치 有权
公开(公告)号：KR102209291B1
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：KR1020190020656
申请日：2019-02-21
申请人： 한국과학기술원
发明人： 이기성 , 박남수 , 황해철 , 강희오 , 서창호
IPC分类号： G03F1/62 , G03F7/20 , H01L21/02 , H01L21/306 , H01L21/027 , H01L21/67
摘要： 본발명의일 실시예에의한 EUV 리소그래피펠리클박막의제조방법은 KOH 용액을이용하여, 실리콘기판및 상기실리콘기판상에형성된실리콘나이트라이드멤브레인박막을구비하는구조체중에서상기실리콘기판의적어도일부를, 습식각하는단계; 습식각된상기구조체를탈이온수(DIW)에침지하여세정(rinse)하는단계; 상기탈이온수의표면에이소프로필알콜(IPA)층을형성하는단계; 및상기구조체를상기이소프로필알콜층을거치면서상기탈이온수로부터분리함으로써, 상기실리콘나이트라이드멤브레인박막을건조시키는단계;를포함한다.

5. 发明授权

KR101350780B1 반도체 장치의 제조방법 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR101350780B1
公开(公告)日：2014-01-14
申请号：KR1020120010821
申请日：2012-02-02
申请人： 한국과학기술원
发明人： 김정우 , 강희오
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/768
摘要： 본 발명은 관통 실리콘 비아를 형성하고 관통 전극을 형성하는 공정의 기술 난이도 및 제조비용을 낮추고 웨이퍼 기판의 핸들링이 용이한 반도체 장치의 제조방법을 위하여, 제1영역 및 제2영역을 포함하는 기판을 준비하는 단계, 상기 제1영역에서 상기 기판 내에 비아홀을 형성하는 단계, 상기 제1영역에서 상기 기판의 하부면으로부터 상기 기판의 일부를 제거하여 박형화(thinning)하는 단계, 상기 비아홀을 충전(充塡)하여 관통전극을 형성하는 단계 및 상기 제2영역에서 상기 기판의 하부면으로부터 상기 기판의 일부를 제거하여 박형화하는 단계를 포함하는, 반도체 장치의 제조방법을 제공한다.

6. 发明公开

KR1020130089452A 반도체 장치의 제조방법 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020130089452A
公开(公告)日：2013-08-12
申请号：KR1020120010821
申请日：2012-02-02
申请人： 한국과학기술원
发明人： 김정우 , 강희오
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76898
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to reduce the thickness of a wafer substrate by easily handling the wafer substrate. CONSTITUTION: A substrate (110) including a first region and a second region is prepared. A via hole (112) is formed on the substrate. A part of the substrate is removed. The substrate is thinned by removing the part of the substrate. A penetrating electrode is formed by filling the via hole.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造半导体器件的方法，通过容易地处理晶片衬底来减小晶片衬底的厚度。构成：制备包括第一区域和第二区域的衬底（110）。在基板上形成通孔（112）。去除衬底的一部分。通过去除衬底的一部分来使衬底变薄。通过填充通孔形成穿透电极。

7. 发明公开

KR1020130013488A 진공 도금 장치 및 방법 无效
标题翻译：真空镀膜方法和装置
公开(公告)号：KR1020130013488A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：KR1020110075169
申请日：2011-07-28
申请人： 한국과학기술원
发明人： 김병일 , 강희오 , 배남호 , 이귀로
IPC分类号： C25D17/00 , C25D17/02
CPC分类号： C23C18/1682 , C23C18/1619 , C23C18/1666 , C23C18/1676 , C23C18/168 , C25D5/003 , C25D5/20 , C25D17/001 , C25D17/004 , C25D17/02 , C25D21/02 , C25D21/04
摘要： PURPOSE: A vacuum plating device and a method are provided to prevent water in plating solution from being evaporated and frozen due to a low pressure in a vacuum, thereby allowing an electroless- or an electro-plating process to be smoothly implemented in the vacuum. CONSTITUTION: A vacuum plating device(10) includes a plating tank(100), a negative plate(220) to be plated, a vacuum chamber(300), a vacuum level controlling device(400), and a heating device(500). The negative plate and a positive plate(210) are horizontally or vertically arranged side by side to be separated from each other at regular intervals inside the plating tank. The plating tank is accommodated inside the vacuum chamber which is controlled to maintain a vacuum. The vacuum level controlling device is connected to the vacuum chamber, and controls vacuum level. The heating device controls the temperature of plating solution which is accommodated inside the plating tank. The vacuum plating device includes a rectifier(600) which is connected to the negative plate and the positive plate in order to apply an electric current. The vacuum plating device includes the plating solution which is an electroless-plating solution including a reductant.
摘要翻译：目的：提供真空电镀装置和方法，以防止电镀溶液中的水由于真空中的低压而蒸发和冷冻，从而允许在真空中平滑地实现无电镀或电镀工艺。构成：真空电镀装置（10）包括电镀槽（100），待镀覆的负极板（220），真空室（300），真空度控制装置（400）和加热装置（500）。负极板和正极板（210）在水平或垂直方向上并排布置，以在电镀槽内以规则的间隔彼此分离。电镀槽容纳在真空室内，该真空室被控制以保持真空。真空度控制装置连接到真空室，并控制真空度。加热装置控制容纳在电镀槽内的电镀溶液的温度。真空电镀装置包括与负极板和正极板连接以便施加电流的整流器（600）。真空电镀装置包括作为包含还原剂的无电镀液的电镀液。

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