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1. 发明授权

KR100270226B1 새로운 구조의 열차폐 코팅 및 그의 제조방법 失效
标题翻译：热保护涂层和相同的方法
公开(公告)号：KR100270226B1
公开(公告)日：2000-10-16
申请号：KR1019980011005
申请日：1998-03-30
申请人： 한국과학기술연구원 , 한국전력공사
发明人： 박종구 , 김긍호 , 도정만 , 홍경태 , 박원식 , 정진성
IPC分类号： C23C28/00
摘要： PURPOSE: A process for preparing a thermal barrier coating formed by two equiaxed crystals layers by coating of a porous Al-Ni-Cr-X metal alloy layer between a zirconia coating layer and MCrAlY layer and then oxidation treatment is provided, thereby producing a thermal barrier coating generating no changes in thickness and oxidation on a medium bonding layer after exposed in a high temperature oxidation atmosphere. CONSTITUTION: In a method for forming a thermal barrier coating for protecting parts exposed in a high temperature oxidation atmosphere from oxidation, a porous Al-Ni-Cr-X(X is Co, Y or Hf) metal alloy layer is coated between a zirconia coating layer and MCrAlY layer and heat treated in an atmosphere to form two equiaxed crystals layers, which are mixed with pure alumina equiaxed crystals layer and Al2O3-NiO-Ni(Cr,Al)2O4.
摘要翻译：目的：提供通过在氧化锆涂层和MCrAlY层之间涂覆多孔Al-Ni-Cr-X金属合金层然后进行氧化处理由两个等轴晶体层形成的热障涂层的制备方法，从而产生热阻挡涂层在高温氧化气氛中暴露后不会在中等粘合层上产生厚度和氧化变化。构成：在用于形成用于保护在高温氧化气氛中暴露的部分氧化的热障涂层的方法中，多孔Al-Ni-Cr-X（X是Co，Y或Hf）金属合金层涂覆在氧化锆涂层和MCrAlY层，并在大气中热处理形成两个等轴晶体层，与纯氧化铝等轴晶体层和Al2O3-NiO-Ni（Cr，Al）2O4混合。

2. 发明公开

KR1019990076239A 새로운 구조의 열차폐 코팅 및 그의 제조방법 失效
标题翻译：热障涂层的新结构及其制造方法
公开(公告)号：KR1019990076239A
公开(公告)日：1999-10-15
申请号：KR1019980011005
申请日：1998-03-30
申请人： 한국과학기술연구원 , 한국전력공사
发明人： 박종구 , 김긍호 , 도정만 , 홍경태 , 박원식 , 정진성
IPC分类号： C23C28/00
摘要： 본 발명은 고온의 산화 분위기에 노출되는 부품을 산화로부터 보호하기 위한 열차폐 코팅의 형성 방법에 있어서, 주상 형태의 지르코니아 코팅층과 MCrAlY(M=Ni, Co, Fe 또는 이들간의 합금) 층 사이에 다공질의 Al-Ni-Cr-X(여기서, X는 Co, Y, 또는 Hf임) 금속 합금층을 코팅한 후 산화 처리하여 최종적으로 순수 알루미나 결정립층, 및 미세한 Al
2 O
3 -NiO-Ni(Cr,Al)
2 O
4 가 혼재되어 있는 등축 결정립층의 두 층이 형성되게 하는 것인 열차폐 코팅의 제조 방법에 관한 것이다.

3. 发明授权

KR100709290B1 금속 및 무기분말을 포함하는 복합체막 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：包含金属和无机粉末的复合膜
公开(公告)号：KR100709290B1
公开(公告)日：2007-04-19
申请号：KR1020050109015
申请日：2005-11-15
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 변지영 , 홍경태 , 도정만 , 하헌필 , 김경태
IPC分类号： C25D9/04
摘要： 본 발명은 금속 및 무기분말을 포함하는 복합체막 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 복합체막의 제조 방법은, 50.0g/L 내지 300.0g/L의 썰파믹산 니켈, 10.0g/L 내지 20.0g/L의 붕산, 1.0g/L 내지 10.0g/L의 염화니켈, 0.02g/L 내지 0.5g/L의 쿠마린, 4.0g/L 내지 60.0g/L의 황산라우린산나트륨, 0mL/L 보다 크고 150.0mL/L 이하의 황산, 그리고 알루미나 및 탄화규소를 포함하는 군에서 선택된 하나 이상의 무기 분말을 20.0g/L 내지 70.0g/L 포함하고 나머지는 증류수인 전해질액을 준비하는 단계, 모재 금속을 전해질액에 침지하는 단계, 모재 금속에 전력을 공급하여 모재 금속을 전기 도금하는 단계, 및 모재 금속 상에 복합체막을 형성하는 단계를 포함한다.
복합체막, 황산, 탄화규소, 알루미나, 전기도금
摘要翻译：本发明涉及包含金属和无机粉末的复合膜及其制造方法。根据本发明的复合膜的制造方法，50.0克/ L至约300.0克/ L的镍sseolpa酸，10.0克/ L至20.0克/ L硼酸，1.0克/ L氯化物10.0克/镍，0.02升 l至60g / l的月桂酸钠，大于0mL / L且小于150.0mL / L的硫酸，并且在包含氧化铝和碳化硅的组中包含至少一种无机粉末选定20.0克/ L至70.0克/ L，其余的在电解液中的去离子水以制备溶液，并且在电解液中浸渍碱金属，电动碱金属将电力供应给基底金属电镀并在基体金属上形成复合膜。

4. 发明授权

KR100677956B1 비정질 금속층을 포함하는 열용사 코팅막 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：具有非晶金属层的热喷涂及其制造方法
公开(公告)号：KR100677956B1
公开(公告)日：2007-02-05
申请号：KR1020050024689
申请日：2005-03-24
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 석현광 , 홍경태 , 이해원 , 김기배
IPC分类号： C09D5/46
摘要： 본 발명은 모재 표면에 열용사에 의하여 형성된 비정질상이 포함된 금속층 및 세라믹층을 포함하는 열용사 코팅막을 제공한다. 플라즈마 건에 비정질 금속 소재 및 세라믹 분말을 주입하여 모재 표면에 열용사에 의하여 비정질 금속층과 세라믹층의 복합 코팅막이 형성된다. 상기 코팅막은 특히 반도체, LCD, PDP 및 유기 EL 디스플레이 등 각종 전자제품 제조 장비에 사용되는 챔버 및 그 내부에 장착되는 각종 금속 부품의 코팅막으로서 적합하다. 이러한 코팅막은 챔버 및 부품 표면으로부터의 오염물의 발생률이 현저히 감소하며, 고접착력/내부식성을 갖는다.
열용사, 비정질 금속층, 세라믹층

5. 发明授权

KR100400354B1 진공개폐기용 구리-크롬계 접점 소재 제조 방법 失效
标题翻译： 진공개폐기용구리 - 크롬계접점소재제조방
公开(公告)号：KR100400354B1
公开(公告)日：2003-10-04
申请号：KR1020000074135
申请日：2000-12-07
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 도정만 , 박종구 , 홍경태 , 김미진
IPC分类号： H01H1/02
摘要： PURPOSE: A copper-chromium contact material for a vacuum switch and a manufacturing method thereof are provided to manufacture a wholesome Cu-Cr contact material by including a uniform and dispersed sintering structure of Cr particle in Cu matrix. CONSTITUTION: A mixing powder of a copper(Cu) powder and a chromium(Cr) powder is put and pressurized in a mold to manufacture a molding material. A content of the chromium(Cr) ranges 25-75 weight %. The molding material is sintered to a solid status at a temperature lower than a melting point of the copper to obtain a solid-phase sintered body. The temperature lower than a melting point of the copper ranges 900-1075°C. The solid-phase sintered body is heated to a temperature higher than the melting point of the copper to perform a liquid-phase sintering operation. The temperature higher than a melting point of the copper ranges 1100-1250°C.
摘要翻译：目的：提供用于真空开关的铜 - 铬触点材料及其制造方法，以通过在Cu基体中包括均匀和分散的Cr颗粒烧结结构来制造有益的Cu-Cr触点材料。构成：将铜（Cu）粉末和铬（Cr）粉末的混合粉末放入模具中并加压以制造模制材料。铬（Cr）的含量范围为25-75重量％。将成型材料在低于铜的熔点的温度下烧结至固体状态以获得固相烧结体。低于铜熔点的温度范围为900-1075和摄氏度。将固相烧结体加热到比铜的熔点高的温度以进行液相烧结操作。高于铜熔点的温度范围为1100-1250℃。

6. 发明授权

KR100292681B1 반도체용열방산체및그의제조방법 失效
标题翻译：用于半导体的热致材料及其制造方法
公开(公告)号：KR100292681B1
公开(公告)日：2001-11-22
申请号：KR1019980030343
申请日：1998-07-28
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 유명기 , 백영준 , 홍경태
IPC分类号： H01L23/34
摘要： 본 발명은 텅스텐-구리 복합재료 열방산체 기판과, 그 표면에 대면적으로 형성된 다이아몬드 필름으로 이루어지는 반도체용 열방산체를 제공하고, 아울러 텅스텐-구리 복합재료 열방산체를 제조하고, 제조된 상기 열방산체의 표면에서 구리를 선택적으로 용출시킴으로써 표면을 개질시키고, 개질된 표면에 다이아몬드 핵생성을 위한 처리를 행하고, 처리된 표면에 다이아몬드 필름을 코팅시키는 반도체용 열방산체의 제조방법과, 텅스텐-구리 복합재료 열방산체를 제조하고, 제조된 상기 열방산체의 표면에서 텅스텐 입자를 부식시킨 뒤 구리를 용출시킴으로써 상기 표면을 개질시키고, 개질된 표면에 다이아몬드 핵생성을 위한 처리를 행하고, 처리된 표면에 다이아몬드 필름을 코팅시키는 반도체용 열방산체의 제조방법을 제공한다.

7. 发明授权

KR101214513B1 극소각 중성자 산란 장치 有权
标题翻译：超小角度中子散射仪
公开(公告)号：KR101214513B1
公开(公告)日：2012-12-24
申请号：KR1020120066823
申请日：2012-06-21
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 김만호 , 채근화 , 유병용 , 홍경태
IPC分类号： G01N23/202 , G01N23/05
摘要： 본발명은여러개의분석기를사용하여분석시간을줄일수 있고, 다중산란의검증및 최소화가가능하며, 수정된 BHA형단색기, 분석기결정을사용하여, 중성자광을 5번반사시켜노이즈감소및 산란벡터분해능을향상시킬수 있는극소각중성자산란장치에관한것으로서, 중성자광의광로상에배치되며, 중성자광로를통과하는중성자광을브래그산란각도로회절시키는제1 선행단색기와, 상기제1 선행단색기로부터브래그회절된중성자광을시료측으로브래그회절시키는단결정으로이루어진제1 단색기와, 상기제1 단색기에대해상기시료를기준으로반대편에중성자광 직진방향으로일렬로이웃하게위치되는단결정으로이루어진둘 이상의분석기와상기둘 이상의분석기각각에서브래그회절된중성자광을각각검출하는둘 이상의검출기로이루어진제1 분석기세트를포함하는극소각중성자산란장치를제공한다.

8. 发明授权

KR101191957B1 플라즈마전해 양극산화방법 有权
标题翻译：等离子体电解氧化涂层方法
公开(公告)号：KR101191957B1
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：KR1020100055541
申请日：2010-06-11
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 도정만 , 한승희 , 윤진국 , 홍경태 , 변지영
IPC分类号： C25D11/02
摘要： 본 발명은 플라즈마 전해양극 산화방법에 관한 것이다. 플라즈마 전해양극 산화방법은 i) 피처리 부재를 전처리하는 단계, ii) 피처리 부재를 전해액에 담지하고, 피처리 부재를 플라즈마전해 양극산화장치에 연결하는 단계, 및 iii) 플라즈마전해 양극산화장치가 양전류 및 음전류를 교대로 제공하여 피처리 부재에 산화막을 형성하는 단계를 포함한다.

9. 发明公开

KR1020060102766A 비정질 금속층을 포함하는 열용사 코팅막 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：具有非晶金属层的热喷涂及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060102766A
公开(公告)日：2006-09-28
申请号：KR1020050024689
申请日：2005-03-24
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 석현광 , 홍경태 , 이해원 , 김기배
IPC分类号： C09D5/46
CPC分类号： C23C4/129 , B22F1/00 , B32B15/00 , C23C4/067 , C23C4/134
摘要： 본 발명은 모재 표면에 열용사에 의하여 형성된 비정질상이 포함된 금속층 및 세라믹층을 포함하는 열용사 코팅막을 제공한다. 플라즈마 건에 비정질 금속 소재 및 세라믹 분말을 주입하여 모재 표면에 열용사에 의하여 비정질 금속층과 세라믹층의 복합 코팅막이 형성된다. 상기 코팅막은 특히 반도체, LCD, PDP 및 유기 EL 디스플레이 등 각종 전자제품 제조 장비에 사용되는 챔버 및 그 내부에 장착되는 각종 금속 부품의 코팅막으로서 적합하다. 이러한 코팅막은 챔버 및 부품 표면으로부터의 오염물의 발생률이 현저히 감소하며, 고접착력/내부식성을 갖는다.
열용사, 비정질 금속층, 세라믹층

10. 发明授权

KR100581006B1 ＮｂＳｉ２계 나노 복합 피복층 및 그 제조방법 失效
标题翻译： 2碱基纳米复合涂料及其制备方法
公开(公告)号：KR100581006B1
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：KR1020040061786
申请日：2004-08-05
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 윤진국 , 김긍호 , 홍경태 , 도정만 , 이종권 , 이경환 , 손근형
IPC分类号： C22C27/02 , B82Y30/00
CPC分类号： C23C12/00 , B82Y30/00 , C23C8/02 , C23C8/80
摘要： 본 발명은 모재로서 니오비움 또는 그 합금의 표면상에 형성된 NbSi
2 계 나노 복합 피복층 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 고온에서 상기 모재 표면에 탄소 또는 질소를 기상 증착하여 니오비움 탄화물 또는 니오비움 질화물 확산층을 형성한 후 실리콘을 기상 증착하여 고상치환반응에 의해서 나노 복합 피복층을 제조한다. 상기 나노 복합 피복층은 등축정의 NbSi
2 결정입계에 SiC 또는 Si
3 N
4 입자들이 분포된 미세조직을 가지며, 나노 복합 피복층에 존재하는 SiC 또는 Si
3 N
4 입자들의 부피 분율에 의해서 모재의 열팽창계수와 유사한 조성의 NbSi
2 계 나노 복합 피복층이 형성된다. 이에 따라, 열팽창계수차에 의한 크랙의 발생을 근원적으로 억제하여 고온 반복 내산화성을 향상시키며, 또한, 피복층 표면에 치밀한 SiO
2 산화피막이 형성되어 고온 등온 내산화성의 향상과 더불어, 피복층의 기계적 성질의 개선, 즉 열응력에 의한 미세크랙의 전파 억제를 기할 수 있다.
니오비움, 피복층, 열팽창계수

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