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1. 发明公开

KR1020100100344A 고온강도가 우수한 스테인레스 강재 및 그 제조방법 有权
标题翻译：具有优异的高温强度的不锈钢及其制造方法
公开(公告)号：KR1020100100344A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：KR1020090019174
申请日：2009-03-06
申请人： 한국과학기술연구원 , 주식회사 세아창원특수강
发明人： 이승철 , 박대범 , 정우상 , 김동익 , 심재혁 , 이영수 , 김덕령 , 이동희
IPC分类号： C22C38/40 , C21D8/00 , C22C38/08
CPC分类号： C21D6/004 , B82Y30/00 , C21D8/0205 , C21D2211/001 , C21D2211/004 , C22C38/001 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/06 , C22C38/42 , C22C38/44 , C22C38/46 , C22C38/48 , C22C38/52
摘要： PURPOSE: Stainless steel and a manufacturing method thereof are provided to improve the high temperature strength and creep resistance of stainless steel. CONSTITUTION: Stainless steel having excellent high temperature strength comprises C 0.01~0.1 weight%, Si 0.1~0.9 weight%, Mn 0.1~2 weight%, Cr 15~22 weight%, Ni 7~15 weight%, Nb 0.1~1.0 weight%, V 0.1~1.0 weight%, Co 0.1~0.3 weight%, Cu 0.01~5 weight%, Al 0.03 weight% or less, N 0.01~0.25 weight%, O 0.001~0.008 weight%, and the rest Fe and inevitable impurities.
摘要翻译：目的：提供不锈钢及其制造方法，以提高不锈钢的高温强度和抗蠕变性。构成：具有优异的高温强度的不锈钢包括C 0.01〜0.1重量％，Si 0.1〜0.9重量％，Mn 0.1〜2重量％，Cr 15〜22重量％，Ni 7〜15重量％，Nb 0.1〜1.0重量％％，V 0.1〜1.0重量％，Co 0.1〜0.3重量％，Cu 0.01〜5重量％，Al 0.03重量％以下，N 0.01〜0.25重量％，O 0.001〜0.008重量％，余量Fe和不可避免杂质。

2. 发明授权

KR101091863B1 고온강도가 우수한 스테인레스 강재 및 그 제조방법 有权
标题翻译：具有优异的高温强度的不锈钢及其制造方法
公开(公告)号：KR101091863B1
公开(公告)日：2011-12-12
申请号：KR1020090019174
申请日：2009-03-06
申请人： 한국과학기술연구원 , 주식회사 세아창원특수강
发明人： 이승철 , 박대범 , 정우상 , 김동익 , 심재혁 , 이영수 , 김덕령 , 이동희
IPC分类号： C22C38/40 , C21D8/00 , C22C38/08
CPC分类号： C21D6/004 , B82Y30/00 , C21D8/0205 , C21D2211/001 , C21D2211/004 , C22C38/001 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/06 , C22C38/42 , C22C38/44 , C22C38/46 , C22C38/48 , C22C38/52
摘要： 단, 여기서상기 C, N, Nb, V는각각해당성분의함량(중량%)을의미한다.

3. 发明申请

WO2010101448A3 고온강도가 우수한 스테인레스 강재 및 그 제조방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2010101448A3
公开(公告)日：2010-09-10
申请号：PCT/KR2010/001436
申请日：2010-03-08
申请人： 한국과학기술연구원 , 포스코특수강 주식회사 , 이승철 , 박대범 , 정우상 , 김동익 , 심재혁 , 이영수 , 김덕령 , 이동희
发明人： 이승철 , 박대범 , 정우상 , 김동익 , 이영수 , 김덕령 , 이동희
IPC分类号： C22C38/40 , C21D8/00 , C22C38/08
摘要： 본 발명은 고온강도가 우수한 스테인레스 강재 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발전 플랜트 등과 같이 고온의 부식성 환경에서 사용하여도 우수한 내식성은 물론이고 고온 강도 및 크리프(creep)강도가 우수한 오스테나이트계 스테인레스 강재 및 그 제조방법에 관한 것이다. 상기 본 발명의 과제를 해결하기 위한 본 발명의 스테인레스 강재는 석출지수가 1.5~2.5인 것을 특징으로 한다.

4. 发明授权

KR101655092B1 하이드로탈사이트형 화합물로부터 유도된 이산화탄소의 메탄화 반응용 촉매를 이용한 메탄의 제조방법, 메탄화 반응용 촉매, 및 그 촉매의 제조방법 有权
标题翻译：使用衍生自盐酸类型化合物甲烷化催化剂的甲基化催化剂及其制备方法制备甲烷的制备方法
公开(公告)号：KR101655092B1
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：KR1020130138468
申请日：2013-11-14
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 김선진 , 조영환 , 정세비 , 이승철 , 이승주
IPC分类号： C07C1/24 , C07C9/04 , C07C7/20 , B01J23/755
摘要： 본발명은메탄화반응용촉매를이용한메탄의제조방법, 메탄화반응용촉매, 및그 촉매의제조방법에대한것으로, 니켈이치환된하이드로탈사이트형전구체를사용하여 CO또는 CO의메탄화반응용니켈계촉매를제조하고, 이를이용하여경제적인방법으로메탄을제조하는방법을제공하는것이다. 상기메탄화촉매는상대적으로저온에서도높은촉매활성을나타내며촉매의내구성도우수하다.

5. 发明公开

KR1020100101434A 수소저장재료 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：氢储存材料及其制造方法
公开(公告)号：KR1020100101434A
公开(公告)日：2010-09-17
申请号：KR1020090019926
申请日：2009-03-09
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 심재혁 , 임재학 , 이영수 , 조영환 , 정우상 , 김동익 , 이승철
IPC分类号： C01B3/00 , F17C11/00
CPC分类号： Y02E60/321 , Y02E60/324 , C01B3/06 , C01B6/02 , C01B6/04 , C01B6/21
摘要： PURPOSE: A hydrogen storage material and a method for manufacturing the same are provided to increase the speed of storing hydrogen while reducing the temperature of emitting hydrogen. CONSTITUTION: A hydrogen storage material includes a lithium boron hydride, a calcium hydride, and a niobium fluoride. The amount of the niobium fluoride is 5wt%-30wt%. The molar ratio of the lithium boron hydride to the calcium hydride is 4-8. If the hydrogen storage material emits hydrogen, the lithium boron hydride and the calcium hydride are reacted with each other to be changed into a lithium hydride(LiH) and calcium boride.
摘要翻译：目的：提供储氢材料及其制造方法，以提高氢的储存速度，同时降低发射氢的温度。构成：储氢材料包括硼氢化锂，氢化钙和氟化铌。氟化铌的量为5重量％〜30重量％。硼氢化锂与氢化钙的摩尔比为4-8。如果储氢材料发射氢气，则使硼氢化锂和氢化钙彼此反应成为氢化锂（LiH）和硼化钙。

6. 发明授权

KR100884610B1 전도성 질화물을 사이층으로 사용한 높은 스핀주입 효율을갖는 다층막 구조 및 그 제조방법 失效
标题翻译：使用导电氮化物作为间隔物的高自旋注入比例的多层结构及其制备方法
公开(公告)号：KR100884610B1
公开(公告)日：2009-02-23
申请号：KR1020080070334
申请日：2008-07-18
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 이승철 , 이광렬 , 안효신
IPC分类号： H01L27/105
摘要： 본 발명은 비자성 또는 자성 반도체에 특정한 스핀 방향을 가진 전자를 주입할 때 높은 스핀주입 효율을 나타낼 수 있는 다층막 구조 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전이금속 질화물 중 전도성 질화물인 TiN, TaN, NbN, ZrN 등을 강자성 물질과 반도체 물질의 사이층으로 사용한 다층막 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 다층막 구조는 강자성 물질/반도체의 접합에서 나타나는 쇼트키 장벽(Schottky Barrier), 전도도 불일치(Conductivity Mismatch), 그리고 계면 형상의 불균일성을 나타내지 않으며, 높은 스핀주입 효율을 달성한다. 따라서 본 발명에서 얻어진 다층막 구조를 이용하면 종래의 강자성 물질/반도체 접합에 비해 더 높은 스핀주입효율을 가진 소자를 제조할 수 있는 장점이 있다.
스핀주입, 전도성 질화물, 사이층, 다층막 구조, 스핀전자소자, 스핀 반도체, 반금속

7. 发明授权

KR100716104B1 다층박막 제조방법 失效
标题翻译：多层薄膜的制造方法
公开(公告)号：KR100716104B1
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：KR1020030075402
申请日：2003-10-28
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 이광렬 , 이승철 , 김상필
IPC分类号： G11B5/31
摘要： 본 발명은 자성금속 박막 사이에 미소 두께의 균일한 비자성금속 박막을 형성할 수 있는 다층박막 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 자성금속 박막을 형성하는 단계; 자성금속 박막위에 알루미늄을 증착하는 단계; 증착된 알루미늄위에 자성금속을 증착하여 알루미나이드 박막을 형성하는 단계; 그리고 알루미나이드 박막위에 자성금속 박막을 증착하는 단계로 이루어진다. 증착되는 알루미늄의 원자 에너지는 원자당 5eV이하이고, 두께는 5Å 내지 15Å이다. 자성금속은 Co, Fe 및 Ni로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상이다. 알루미나이드 박막의 결정학적 정합성을 향상시키기 위해 진공로에서 200℃ 내지 400℃의 온도범위에서 30분 내지 60분동안 열처리하는 단계를 더 포함한다.
다층박막, 자성금속 박막, 비자성금속 박막, 자기저항, 알루미나이드

8. 发明公开

KR1019930000686A 신규한 플라스미드 pEAT8과 이를 이용하여 알파원앤티트립신 단백질을 제조하는 방법 失效
标题翻译：一种新的质粒pEAT8和使用该质粒生产α1抗胰蛋白酶蛋白质的方法
公开(公告)号：KR1019930000686A
公开(公告)日：1993-01-15
申请号：KR1019910010937
申请日：1991-06-28
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 유명희 , 이승철 , 신화수 , 이기녕 , 이상철
IPC分类号： C12N15/57
摘要： 내용 없음

9. 发明授权

KR101112027B1 전자후방산란회절(ＥＢＳＤ)을 이용한 펄라이트 콜로니 크기의 분석방법 失效
标题翻译：使用电子背散射衍射分析珍珠岩尺寸的方法
公开(公告)号：KR101112027B1
公开(公告)日：2012-02-24
申请号：KR1020090071270
申请日：2009-08-03
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 김동익 , 장윤수 , 이영수 , 서진유 , 심재혁 , 이승철 , 정우상 , 조영환
IPC分类号： G01N23/203 , G01N23/225
摘要： 본 발명은 펄라이트 콜로니의 크기를 측정하기 위해서 전자후방산란회절(EBSD) 및 입계연결 개념을 이용한 측정방법에 관한 것으로서, 전자후방산란회절(EBSD)을 이용하여 펄라이트상을 갖는 강재의 결정방위를 측정하는 단계;
상기 측정된 결정방위를 이용하여 결정방위 사이의 방위차를 계산하여 방위차 맵(또는 패턴질 맵, pattern quality map)을 작성하는 단계;
상기 방위차를 이용하여 콜로니 구분 기준값(θ
st )과 입계완성 기준값(θ
gb )을 설정하는 단계; 및
상기 설정된 콜로니 구분 기준값 및 입계완성 기준값과 상기 방위차를 비교하여 펄라이트 콜로니 입계(boundary)를 결정하는 단계를 포함한다.
펄라이트 콜로니(pearlite colony), 전자후방산란회절(electron back scattered diffraction), 입계연결(boundary completion)

10. 发明公开

KR1020080070806A 전도성 질화물을 사이층으로 사용한 높은 스핀주입 효율을갖는 다층막 구조 및 그 제조방법 失效
标题翻译：使用导电氮化物作为间隔物的高自旋注入比例的多层结构及其制备方法
公开(公告)号：KR1020080070806A
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：KR1020080070334
申请日：2008-07-18
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 이승철 , 이광렬 , 안효신
IPC分类号： H01L27/105
摘要： A multilayered structure having high spin injection efficiency using a conductive nitride as a spacer layer is provided to obtain spin injection efficiency of a high level only by correcting conventional equipment without fabricating additional equipment. A spacer layer(2) is formed on a semiconductor layer(3), made of a conductive nitride. A spin injection electrode layer(1) is formed on the conductive nitride spacer layer, made of a ferroelectric material and injecting spin to the semiconductor layer through the conductive nitride spacer layer. Transition metal can be doped into the conductive nitride spacer layer. The interface of the semiconductor layer and the conductive nitride spacer layer can be made of an ohmic contact.
摘要翻译：提供使用导电氮化物作为间隔层的具有高自旋注入效率的多层结构，以仅通过校正常规设备而不制造附加设备才能获得高水平的自旋注入效率。在由导电氮化物制成的半导体层（3）上形成间隔层（2）。在由铁电体材料制成的导电氮化物间隔层上形成自旋注入电极层（1），并通过导电氮化物间隔层向半导体层注入自旋。可以将过渡金属掺杂到导电氮化物间隔层中。半导体层和导电氮化物间隔层的界面可以由欧姆接触形成。

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