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    • 2. 发明公开
    • 투명 전극을 이용한 발광다이오드
    • 使用透明电极的发光二极管
    • KR1020130009274A
    • 2013-01-23
    • KR1020110070253
    • 2011-07-15
    • 포항공과대학교 산학협력단
    • 이종람김범준손준호홍기현송양희
    • H01L33/42H01L33/36
    • H01L33/42H01L2933/0016
    • PURPOSE: A light emitting diode using a transparent electrode is provided to disperse electrons in a device and to prevent a current crowding effect. CONSTITUTION: A transparent electrode(60) includes a multi-layer structure having an upper oxide layer(63), a lower oxide layer(61) and a metal layer(62). The lower oxide layer, the metal layer and the upper oxide layer are successively formed on an N-type semiconductor. The surface of the upper oxide layer is patterned. The thickness of the metal layer is 1-100nm. A metal layer(80) for current injection is formed between the N-type semiconductor and the transparent electrode. [Reference numerals] (AA) Bonding layer
    • 目的:提供使用透明电极的发光二极管,以将电子分散在器件中并防止电流拥挤效应。 构成:透明电极(60)包括具有上氧化物层(63),低氧化物层(61)和金属层(62)的多层结构。 下层氧化物层,金属层和上部氧化物层依次形成在N型半导体上。 图案化上部氧化物层的表面。 金属层的厚度为1-100nm。 在N型半导体和透明电极之间形成用于电流注入的金属层(80)。 (附图标记)(AA)接合层
    • 3. 发明公开
    • 전면 발광형 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법
    • 最大发光有机发光二极管及其制造方法
    • KR1020120007919A
    • 2012-01-25
    • KR1020100068713
    • 2010-07-15
    • 포항공과대학교 산학협력단
    • 이종람김성준홍기현김기수이일환
    • H01L51/52H05B33/26H01L51/56
    • H01L51/5231H01L51/5215H01L51/56H01L2251/56
    • PURPOSE: A top emitting organic light emitting diode and a manufacturing method thereof are provided to improve an electrical and optical characteristic of a device by satisfy a high reflection property and using a multi-layered reflective electrode with a superior hole injection feature. CONSTITUTION: A bottom electrode(200), an upper electrode(400), and an organic compound layer are provided on the opaque substrate. The upper electrode faces the bottom electrode. The organic compound layer is arranged between the bottom electrode and the upper electrode. The organic compound layer includes an electron injection layer, an electron-transport layer, a light-emitting layer, a hole-transport layer, and a hole implant layer. The bottom electrode is formed by successively laminating a first metal layer, a second metal layer, and a third metal layer(230), and a transparent conductive oxide layer.
    • 目的:提供顶部发射有机发光二极管及其制造方法,以通过满足高反射特性和使用具有优异的空穴注入特征的多层反射电极来改善器件的电气和光学特性。 构成:在不透明基板上设置有底部电极(200),上部电极(400)和有机化合物层。 上电极面向底电极。 有机化合物层布置在底部电极和上部电极之间。 有机化合物层包括电子注入层,电子传输层,发光层,空穴传输层和空穴注入层。 底部电极通过依次层叠第一金属层,第二金属层和第三金属层(230)以及透明导电氧化物层而形成。
    • 4. 发明公开
    • 유기 발광 다이오드용 기판 및 이의 제조방법
    • 有机发光二极管基板及其制造方法
    • KR1020130012464A
    • 2013-02-04
    • KR1020110073700
    • 2011-07-25
    • 포항공과대학교 산학협력단
    • 이종람김성준홍기현유학기
    • H01L51/50H05B33/22H01L51/56
    • H01L51/5275G02B1/11G02B5/3025H01L51/5281
    • PURPOSE: An organic light emitting diode substrate and a manufacturing method thereof are provided to reduce a total reflection effect generated in an interface of a substrate and a DMD electrode by increasing a critical angle for total reflection. CONSTITUTION: A substrate member(110) is made of an optical transparent material. A refractive index control layer(120) is formed in the upper part of the substrate member. The refractive index control layer is made of a material which has a refractive index smaller than that of a DMD electrode. The refractive index control layer includes a first refractive index control layer(121) and a second refractive index control layer(122). Recessed regions(121-1) are formed in the upper part of the first refractive index control layer.
    • 目的:提供一种有机发光二极管基板及其制造方法,以通过增加全反射的临界角度来减少在基板和DMD电极的界面中产生的全反射效应。 构成:衬底构件(110)由光学透明材料制成。 折射率控制层(120)形成在基板部件的上部。 折射率控制层由折射率小于DMD电极的折射率材料制成。 折射率控制层包括第一折射率控制层(121)和第二折射率控制层(122)。 凹陷区域(121-1)形成在第一折射率控制层的上部。
    • 7. 发明授权
    • 유기 발광 다이오드의 제조방법
    • 有机发光二极管的制造方法
    • KR101299941B1
    • 2013-08-26
    • KR1020110091759
    • 2011-09-09
    • 포항공과대학교 산학협력단
    • 이종람홍기현김성준김기수
    • H01L51/50H01L51/56H05B33/22H05B33/26
    • 본 발명은 유기 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
      본 발명에 따른 유기 발광 다이오드는 기판, 상기 기판 상에 형성된 평탄화층, 상기 평탄화층에 형성되어 있으며 상기 평탄화층과 다른 열팽창 계수를 갖는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 형성된 유기 발광층 및 상기 유기 발광층 상에 형성된 제2 전극을 포함하여 구성되고, 상기 제1 전극은 상기 평탄화층과의 열팽창 계수의 차이로 인하여 생성된 버클링(buckling) 나노 구조를 갖고, 상기 유기 발광층에서 생성된 광을 난반사시켜 상기 제2 전극을 통한 광의 방출효율을 향상시키는 것을 특징으로 한다.
      본 발명에 따르면, 버클링 나노 구조를 이용하여 유기 발광층에서 생성된 광을 난반사시킴으로써 유기 발광 다이오드의 광 방출효율을 크게 향상시킬 수 있고, 열팽창 계수의 차이를 이용하여 버클링 나노 구조를 형성함으로써, 전체적인 유기 발광 다이오드의 제조비용을 저감하고 제조시간을 단축할 수 있는 효과가 있다.
    • 9. 发明公开
    • 전면 발광형 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법
    • 有机发光二极管及其制造方法
    • KR1020130066965A
    • 2013-06-21
    • KR1020110133757
    • 2011-12-13
    • 포항공과대학교 산학협력단
    • 이종람이일환홍기현김기수김성준구본형이보라
    • H01L51/56
    • H01L51/5228H01L51/003H01L2251/5315
    • PURPOSE: A front light emitting type organic light emitting diode and a manufacturing method thereof are provided to improve light emission efficiency by using a lithography process. CONSTITUTION: A lower electrode is formed on a first substrate(S10). An organic light emitting layer is formed on the lower electrode(S20). An upper electrode is formed on the organic light emitting layer(S30). An auxiliary electrode is bonded to the upper electrode(S40). An aperture pattern is formed on the auxiliary electrode. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S10) Form a lower electrode on a first substrate; (S20) Form an organic light emitting layer on the lower electrode; (S30) Form an upper electrode on the organic light emitting layer; (S40) Bond an auxiliary electrode to the upper electrode formed on a second substrate; (S50) Separate the second substrate from the auxiliary electrode
    • 目的:提供一种前发光型有机发光二极管及其制造方法,以通过使用光刻工艺提高发光效率。 构成:在第一基板上形成下电极(S10)。 在下电极上形成有机发光层(S20)。 在有机发光层上形成上电极(S30)。 辅助电极接合到上电极(S40)。 在辅助电极上形成孔径图案。 (附图标记)(AA)开始; (BB)结束; (S10)在第一基板上形成下电极; (S20)在下电极上形成有机发光层; (S30)在有机发光层上形成上电极; (S40)将辅助电极接合到形成在第二基板上的上电极; (S50)将第二基板与辅助电极分开