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1. 发明授权

KR101557542B1 CMP 슬러리 조성물　및 이를 이용한 연마 방법 有权
公开(公告)号：KR101557542B1
公开(公告)日：2015-10-06
申请号：KR1020120155621
申请日：2012-12-27
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김태영 , 김동진 , 김용국 , 노현수 , 최정민 , 홍창기
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
摘要： 본발명의 CMP 슬러리조성물은세리아입자; 및탈이온수를포함하며, 상기세리아입자는합성콜로이드세리아입자의분쇄물을포함하는것을특징으로한다.

2. 发明公开

KR1020130078791A ＣＭＰ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 有权
标题翻译： CMP浆料组合物和使用其的抛光方法
公开(公告)号：KR1020130078791A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：KR1020110147915
申请日：2011-12-30
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김태영 , 최영남 , 홍창기 , 김동진
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： C09K3/1463 , C09G1/02 , C09K3/1409 , H01L21/02024
摘要： PURPOSE: A CMP slurry composition is provided to restrain the generation of microscratch generable in a polishing process while obtaining excellent polishing rate to an oxide film. CONSTITUTION: A CMP slurry composition includes a cerium oxide particle, a polishing performance improver, and a pH controller. The half width of secondary particles of the cerium oxide particle is 30 nm or less. The ratio of particles with a long diameter of 1 micron or more in particles with a long diameter of 0.6 micron or more is 1 % or less. The polishing performance enhancer is a nitrogen-containing organic acid of one selected from a cholic acid, nicotic acid, and isonicotic acid. The polishing method includes a step of polishing a semiconductor wafer by using the CMP slurry composition.
摘要翻译：目的：提供CMP浆料组合物，以抑制在抛光过程中可生成的显微镜产生，同时获得对氧化膜的优异的抛光速率。构成：CMP浆料组合物包括氧化铈颗粒，抛光性能改进剂和pH控制剂。氧化铈粒子的二次粒子的半值宽度为30nm以下。长径为0.6微米或更大的颗粒中长度为1微米或更大的颗粒的比率为1％或更小。抛光性能增强剂是选自胆酸，烟酸和异亮酸的一种含氮有机酸。抛光方法包括通过使用CMP浆料组合物来研磨半导体晶片的步骤。

3. 发明授权

KR101178714B1 향상된 연마 선택비와 분산 안정성을 갖는 ＣＭＰ 슬러리 有权
标题翻译：具有改进的抛光选择性和分散稳定性的CMP浆料
公开(公告)号：KR101178714B1
公开(公告)日：2012-08-31
申请号：KR1020080126563
申请日：2008-12-12
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김태영 , 정재훈 , 정영철 , 이인경
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 본 발명은 물; 연마입자; 피리딘계 화합물 및 벤조산계 화합물로 구성된 군에서 선택된 1종 이상의 물질; 및 폴리옥시프로필렌에테르 및 폴리옥시에틸렌옥시프로필렌공중합체로 구성된 군에서 선택된 1종 이상의 비이온성 화합물을 포함하는 CMP 슬러리를 제공한다.
본 발명에 따라, CMP 슬러리에 피리딘계 화합물 및/또는 벤조산계 화합물과 함께, 폴리옥시프로필렌에테르 및/또는 폴리옥시에틸렌옥시프로필렌 공중합체의 비이온성 화합물을 첨가하는 경우, 실리콘 산화막의 연마속도를 향상시키고, 실리콘 산화막과 실리콘 질화막 간의 연마 선택비를 높일 수 있으며, 불순물 제거를 위한 필터링 공정에서 필터 막힘 및 연마입자 고형분 손실 문제를 해결할 수 있다.
CMP 슬러리, 필터 막힘, 피리딘, 벤조산, 비이온성

4. 发明公开

KR1020110079563A ＣＭＰ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 有权
标题翻译： CMP浆料组合物和使用其的抛光方法
公开(公告)号：KR1020110079563A
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：KR1020100139758
申请日：2010-12-31
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김태영 , 김형수 , 최병호 , 홍창기
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
摘要： PURPOSE: A CMP slurry composition and a polishing method using the same are provided to enhance the polishing efficiency of a patterned oxide film as cerium oxide particles are appropriately adsorbed and to improve lifespan of a diamond disc conditioner. CONSTITUTION: A CMP slurry composition includes cerium oxide particles, an adsorbent for adsorbing the cerium oxide particles to a polishing pad, an adsorption adjusting agent for adjusting the adsorption performance of the adsorbent, and a pH adjusting agent. The adsorbent is a heteroaryl compound having one kind or more of hetero atoms selected from the group consisting of oxygen, nitrogen and sulfur. The adsorption adjusting agent is nonionic surfactants represented by RO(CH2CH2O)n-R' or RO(CH2CHCH3O)n-R'.
摘要翻译：目的：提供CMP浆料组合物和使用其的抛光方法，以提高氧化铈颗粒被适当吸附的图案化氧化膜的抛光效率，并提高金刚石盘调节剂的使用寿命。构成：CMP浆料组合物包括氧化铈颗粒，用于将氧化铈颗粒吸附到抛光垫的吸附剂，用于调节吸附剂的吸附性能的吸附调节剂和pH调节剂。吸附剂是具有选自氧，氮和硫的一种以上杂原子的杂芳基化合物。吸附调节剂是由RO（CH2CH2O）n-R'或RO（CH2CHCH3O）n-R'表示的非离子表面活性剂。

5. 发明公开

KR1020110079160A ＣＭＰ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마방법 无效
标题翻译： CMP浆料组合物和使用其的抛光方法
公开(公告)号：KR1020110079160A
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：KR1020090136138
申请日：2009-12-31
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김형수 , 김태영 , 홍창기 , 최병호 , 박용순
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
摘要： PURPOSE: A CMP slurry composition and a polishing method using the same are provided to enhance abrasion efficiency of a patterned oxide film since cerium oxide particles are appropriately adsorbed to a polishing pad and to improve the lifetime of a diamond disk conditioner. CONSTITUTION: A CMP slurry composition comprises cerium oxide particles, benzene ring compounds substituted with two or more hydrophilic substitution groups, and adsorption agents. The benzene ring compound is represented by chemical formula 1. In chemical formula 1, R1 is a hydrophilic substitution group selected from the group consisting of a hydroxyl group, iol group, ketone group, carboxyl group, sulfonyl group, phosphonyl, amine group, ether group, hydrazine group, propionyl group and butyryl group; and R2 - R5 are selected from the group consisting of hydrogen, C1 ~ 6 alkyl group, phenyl group, benzyl group, hydroxyl group, thiol group, ketone group, carboxyl group, sulfonyl group, phosphonyl group, amine group, sulfonamide group, ether group, hydrazine group, propionyl group and butyryl group.
摘要翻译：目的：提供CMP浆料组合物和使用其的抛光方法，以提高图案化氧化膜的磨损效率，因为氧化铈颗粒被适当地吸附到抛光垫上并改善金刚石盘调节剂的寿命。构成：CMP浆料组合物包含氧化铈颗粒，被两个或更多个亲水取代基取代的苯环化合物和吸附剂。苯环化合物由化学式1表示。在化学式1中，R 1是选自羟基，醇基，酮基，羧基，磺酰基，膦酰基，胺基，醚的亲水取代基组，肼基，丙酰基和丁酰基; R2-R5选自氢，C1〜6烷基，苯基，苄基，羟基，硫醇基，酮基，羧基，磺酰基，膦酰基，胺基，磺酰胺基，醚基团，肼基，丙酰基和丁酰基。

6. 发明公开

KR1020100050833A 산화막　연마용 ＣＭＰ 슬러리 조성물 无效
标题翻译：用于抛光氧化层的化学机械抛光浆料组合物
公开(公告)号：KR1020100050833A
公开(公告)日：2010-05-14
申请号：KR1020080109924
申请日：2008-11-06
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 정재훈 , 김태영 , 정영철 , 이인경
IPC分类号： C09K3/14
摘要： PURPOSE: A chemical mechanical polishing slurry composition for polishing an oxide film is provided to remove an initial stage during a pattern polishing, and to improve the surface property of the composition. CONSTITUTION: A chemical mechanical polishing slurry composition for polishing an oxide film contains ultra pure water, and a metal oxide. The composition uses more than two pyridine-based compounds as additives at the same time. The pH of the total composition is 5~6. The metal oxide is a cerium oxide with a primary particles size of 10~300 nano meters and a specific surface area of 10~300 square meters per gram. 0.5~10wt% of metal oxide is contained in the chemical mechanical polishing slurry composition. More than one pH modifier selected from the group consisting of hydrochloric acid, NaOH, potassium hydroxide, ammonia, nitric acid, sulfuric acid and phosphoric acid controls the pH of the composition.
摘要翻译：目的：提供一种用于抛光氧化膜的化学机械抛光浆料组合物以去除图案研磨期间的初始阶段，并提高组合物的表面性能。构成：用于抛光氧化膜的化学机械抛光浆料组合物含有超纯水和金属氧化物。该组合物同时使用两种以上吡啶类化合物作为添加剂。总组合物的pH为5〜6。金属氧化物是一次粒径为10〜300纳米的氧化铈，比表面积为10〜300平方米/克。在化学机械抛光浆料组合物中含有0.5〜10wt％的金属氧化物。选自盐酸，NaOH，氢氧化钾，氨，硝酸，硫酸和磷酸的多种pH调节剂可控制组合物的pH值。

7. 发明公开

KR1020140085265A CMP 슬러리 조성물　및 이를 이용한 연마 방법 有权
标题翻译： CMP浆料组合物和使用其的抛光方法
公开(公告)号：KR1020140085265A
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：KR1020120155621
申请日：2012-12-27
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김태영 , 김동진 , 김용국 , 노현수 , 최정민 , 홍창기
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： C09K3/1409 , H01L21/30625
摘要： A CMP slurry composition according to the present invention includes ceria particles and deionized water. The ceria particles include pulverized matters of synthetic colloidal ceria particles. Less than 90% of the entire ceria particles have a hexagonal cross-section, and more than 10% of the particles have acute inside angles. Moreover, the surface potential of the ceria particles is 0-50 mV, and an average diameter is 50-130 nm, while having a specific surface area of 15.5-30 m2/g.
摘要翻译：根据本发明的CMP浆料组合物包括二氧化铈颗粒和去离子水。二氧化铈颗粒包括合成胶体二氧化铈颗粒的粉碎物质。小于90％的整个二氧化铈颗粒具有六边形横截面，并且超过10％的颗粒具有锐角内角。此外，二氧化铈颗粒的表面电位为0-50mV，平均直径为50-130nm，比表面积为15.5-30m 2 / g。

8. 发明授权

KR101279968B1 ＣＭＰ 슬러리 조성물 有权
标题翻译： CMP浆料组合物
公开(公告)号：KR101279968B1
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：KR1020080138693
申请日：2008-12-31
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김태영 , 박태원 , 이인경
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 본 발명은 반도체 소자의 제조 기술에 사용되는 CMP 슬러리 조성물에 관한 것으로, 기판 표면의 평탄화 공정, 층간 절연막의 평탄화 공정 및 STI(shallow trench isolation) 공정 등에 사용되는 CMP 슬러리 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 CMP 슬러리 조성물에 있어서, 산화세륨 및 함질소 고분자 분산제를 포함하는 산화세륨 분산액; 및 유기산을 포함하는 첨가액를 특징으로 하는 CMP용 슬러리 조성물을 제공한다. 본 발명에 따르면, 저농도의 산화세륨으로도 높은 연마속도 및 고선택비를 나타내는 CMP 슬러리 조성물이 제공된다.
CMP, 슬러리, STI, 분산액, 첨가액, 함질소 폴리머, 유기산

9. 发明公开

KR1020120078596A 산화막 ＣＭＰ 슬러리 조성물, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 연마 방법 有权
标题翻译：用于抛光氧化层的CMP浆料组合物，其制备方法和使用其来抛光氧化物层的方法
公开(公告)号：KR1020120078596A
公开(公告)日：2012-07-10
申请号：KR1020110136746
申请日：2011-12-16
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김용국 , 홍창기 , 강동헌 , 최병호 , 노현수 , 김태영 , 김형수 , 김종우
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
摘要： PURPOSE: A CMP slurry composition is provided to improve pattern polishing performance, and to able to reduce abrasion ratio of diamond disks. CONSTITUTION: A CMP slurry composition comprises abrasive, adsorber and water, and has pad cutting ratio of 2-6%. The pad cutting ratio is in chemical formula 1: B/A × 100. In chemical formula 1, A is an initial height of a pad, and B is total sum of a cut amount measured per one hour during total polishing time of 5 hours. A manufacturing method of the CMP slurry composition comprises: a step of manufacturing a mixture for slurry by mixing the abrasive, absorber, and the water, and a step of manufacturing a slurry composition by ultrasonic treatment and/or bead milling treatment of the mixture for slurry.
摘要翻译：目的：提供CMP浆料组合物以改善图案抛光性能，并且能够降低金刚石圆盘的磨损率。构成：CMP浆料组合物包括研磨剂，吸附剂和水，并且具有2-6％的垫切割率。垫切割率在化学式1中：B / A×100。在化学式1中，A是垫的初始高度，B是在5小时的总抛光时间内每1小时测量的切割量的总和。 CMP浆料组合物的制造方法包括：通过混合研磨剂，吸收剂和水来制备用于浆料的混合物的步骤，以及通过超声处理和/或珠磨处理混合物制备浆料组合物的步骤泥浆。

10. 发明授权

KR101385044B1 ＣＭＰ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 有权
标题翻译： CMP浆料组成和抛光方法使用相同
公开(公告)号：KR101385044B1
公开(公告)日：2014-04-15
申请号：KR1020110147916
申请日：2011-12-30
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 강동헌 , 김용국 , 김태영
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
摘要： 본 발명의 CMP 슬러리 조성물은 모노카르복시산을 분산제로 사용하며, 하이드로겐 프탈레이트 화합물로 표면 개질하여 양의 표면 전위를 갖는 세리아 입자, pH 조절제; 및 초순수를 포함한다.

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