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1. 发明授权

KR100827591B1 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물 및 그 전구체 조성물 有权
标题翻译：化学机械抛光浆料组合物及其前体组合物
公开(公告)号：KR100827591B1
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：KR1020060117367
申请日：2006-11-27
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 박태원 , 이인경 , 최병호
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/31053
摘要： A chemical mechanical polishing slurry composition, and a polishing slurry precursor composition are provided to allow a polishing process to be self-stopped, to reduce the surface defect after polishing process and to improve polishing smoothness and dispersion stability. A chemical mechanical polishing slurry composition comprises an abrasive; a pH controller; ultrapure water; and 0.001-10 wt% of a gemini surfactant. Preferably the gemini surfactant is represented by the formula 1 or 2, wherein Ra, Rb, Rc, Rd, Re and Rf are independently a C1-C20 alkyl group; X is a halogen atom; p and q are independently an integer of 1-10; and n is an integer of 1-20.
摘要翻译：提供化学机械抛光浆料组合物和抛光浆料前体组合物，以使抛光过程自停，减少抛光后的表面缺陷，提高抛光平滑度和分散稳定性。化学机械抛光浆料组合物包含研磨剂; pH控制器超纯水和0.001-10重量％的双子表面活性剂。优选地，双子表面活性剂由式1或2表示，其中Ra，Rb，Rc，Rd，Re和Rf独立地为C1-C20烷基; X是卤原子; p和q独立地为1-10的整数; n为1-20的整数。

2. 发明授权

KR100645307B1 실리콘 웨이퍼용 경면 연마 슬러리 조성물 失效
标题翻译：用于硅晶片最终抛光的浆料
公开(公告)号：KR100645307B1
公开(公告)日：2006-11-14
申请号：KR1020040118080
申请日：2004-12-31
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 박태원 , 노현수 , 이태영 , 이인경
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 본 발명은 실리콘 웨이퍼 경면 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로, 탈이온수를 용매로 하며, 계면활성제, pH 조절제, 유기염기, 증점제 및 연마제를 포함하는 조성물로서, 상기 연마제는 작은입자(R1)과 큰입자(R2)의 입자크기비율(R1/R2)이 0.15 ∼ 0.3인 2종류의 콜로이달 실리카 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 경면 연마용 슬러리 조성물에 관한 것이다.
본 발명에 따른 실리콘 웨이퍼용 경면 연마 슬러리 조성물에 의하면, 평균 입경이 다른 두 종류의 콜로이달 실리카를 연마제로 사용함으로써 연마 과정 중에 연마입자와 피연마물과의 접촉범위를 크게하여 연마 속도를 증가시키고, 서로 다른 입경을 갖는 연마제를 사용한 이중연마로서 연마제에 의해 발생하는 표면결함을 최소화 할 수 있다는 탁월한 효과가 있다.
경면 연마 슬러리 조성물, 평균 입자 크기, 계면활성제, pH 조절제

3. 发明公开

KR1020060078761A 실리콘 웨이퍼용 경면 연마 슬러리 조성물 失效
标题翻译：硅浆的最终抛光浆料
公开(公告)号：KR1020060078761A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：KR1020040118080
申请日：2004-12-31
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 박태원 , 노현수 , 이태영 , 이인경
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 본 발명은 실리콘 웨이퍼 경면 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로, 탈이온수를 용매로 하며, 계면활성제, pH 조절제, 유기염기, 증점제, 및 두 종류 이상의 평균 입자 크기를 가지는 콜로이달 실리카를 가지는 콜로이달 실리카를 혼합한 연마제를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 경면 연마용 슬러리 조성물에 관한 것이다.
본 발명에 따른 실리콘 웨이퍼용 경면 연마 슬러리 조성물에 의하면, 평균 입경이 다른 두 종 이상의 콜로이달 실리카를 연마제로 사용함으로써 연마 과정 중에 연마입자와 피연마물과의 접촉범위를 크게하여 연마 속도를 증가시키고, 서로 다른 입경을 갖는 연마제를 사용한 이중연마로서 연마제에 의해 발생하는 표면결함을 최소화 할 수 있다는 탁월한 효과가 있다.
경면 연마 슬러리 조성물, 평균 입자 크기, 계면활성제, pH 조절제

4. 发明公开

KR1020060019257A 표면이하 결함을 개선하는 실리콘 웨이퍼 경면연마용슬러리 조성물 有权
标题翻译：用于减少硅片表面损伤的浆料组合物
公开(公告)号：KR1020060019257A
公开(公告)日：2006-03-03
申请号：KR1020040067829
申请日：2004-08-27
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 노현수 , 박태원 , 이태영 , 이인경
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 본 발명은 유기산 또는 그의 염을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 경면 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로, 본 발명의 슬러리 조성물은 마이크로 스크래치(Microscratch) 등의 물리적 표면결함을 제거하고, 마이크로 러프니스(Microroughness)를 낮추어 웨이퍼의 표면이하 결함을 크게 개선할 수 있다.
실리콘 웨이퍼, 경면연마, 슬러리 조성물

5. 发明授权

KR100516886B1 실리콘 웨이퍼의 최종 연마용 슬러리 조성물 失效
标题翻译：用于硅晶片最终抛光的浆料组合物
公开(公告)号：KR100516886B1
公开(公告)日：2005-09-23
申请号：KR1020020077860
申请日：2002-12-09
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 노현수 , 박태원 , 이길성 , 이인경
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/30625 , C09G1/02
摘要： 본 발명은 반도체 웨이퍼의 이차 연마용 슬러리 조성물에 대한 것으로, 보다 상세하게는 연마제로 입경이 30∼80nm인 콜로이드 실리카 2∼10중량%, 암모니아 0.5∼1.5중량%, 수산화알킬셀룰로오스류의 수용성 고분자 증점제 0.2∼1.0중량%, 폴리옥시에틸렌알킬아민 에테르류의 비이온성 계면활성제 0.03∼0.5중량%, 사급암모늄 염기 0.01∼1.0중량% 및 나머지 성분으로서 초순수를 포함하는 반도체 웨이퍼의 이차 연마용 슬러리 조성물에 관한 것이며, 본 발명의 슬러리 조성물은 실리카 입자의 분산안정성이 증가되고, 거대입자의 생성이 억제되어, 이를 사용하여 웨이퍼 표면을 최종 연마하는 경우 피트성 마이크로스크래치 및 딥 스크래치가 감소되는 효과가 있다

6. 发明公开

KR1020050061110A 반도체 웨이퍼 후면 연마용 슬러리 조성물 有权
标题翻译：用于半导体波导反向抛光的浆料组合物
公开(公告)号：KR1020050061110A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：KR1020030092994
申请日：2003-12-18
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 노현수 , 박태원 , 이길성
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/02016
摘要： 본 발명은 반도체 웨이퍼 후면(back side) 연마용 슬러리에 관한 것으로, 보다 상세하게는 평균 입경이 50-150nm인 콜로이드 실리카, 피롤리돈계 질소화합물, 4급 암모늄 염기, pH 조절제 및 탈이온수를 포함하는 슬러리에 관한 것이다. 본 발명에 따른 연마용 슬러리를 사용하여 반도체 웨이퍼의 후면 연마 공정을 수행하면 연마 후 스테인(stain) 발생량이 크게 감소하고 패키지(package) 후 신뢰성의 개선 효과를 제공할 수 있다.

7. 发明授权

KR100442549B1 연마성능이 우수하고 안정성이 향상된, 금속 연마를 위한ＣＭＰ용 슬러리 조성물 및 그 제조방법 失效
标题翻译：具有增强抛光能力的金属化学机械抛光浆料组合物和改进的稳定性及其制备方法
公开(公告)号：KR100442549B1
公开(公告)日：2004-07-30
申请号：KR1020020063159
申请日：2002-10-16
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 이재석 , 김원래 , 도원중 , 정재훈 , 노현수 , 박태원 , 이인경 , 이길성
IPC分类号： H01L21/302
摘要： 본 발명은 연마성능이 우수하고 안정성이 향상된, 금속 연마를 위한 CMP(Chemical Mechanical Polishing)용 슬러리 조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속산화물, 과산화수소, 철화합물, 이미다졸계 화합물, 및 탈이온수를 포함하고 pH가 2 내지 4인, 금속 연마를 위한 CMP용 슬러리 조성물로서, 연마성능이 우수하고, 화학적 및 분산 안정성이 우수한 슬러리 조성물 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 비교적 소량의 산화제를 사용하면서도 우수한 연마성능을 유지할 수 있을 뿐만 아니라, 화학적 및 분산 안정성이 현저히 향상되어 조성물의 저장 안정성이 매우 우수한, 금속연마를 위한 CMP용 조성물을 제조할 수 있다.

8. 发明公开

KR1020090069070A 디글리시딜　에테르계 화합물을　이용한　제미니형4급화　양이온　화합물　제조　방법 无效
标题翻译：使用二吡啶类衍生物生产吉米尼型季胺化合物的方法
公开(公告)号：KR1020090069070A
公开(公告)日：2009-06-29
申请号：KR1020070136913
申请日：2007-12-24
申请人： 제일모직주식회사 , (주)수양켐텍
发明人： 박태원 , 이법원 , 박범호
IPC分类号： C07C211/62 , C07C211/63 , C07C209/12
摘要： A gemini type quaternary cationic compound is provided to ensure low critical micelle concentration, excellent dispersibility and solubility to solvent, good adsorption to the surface charged with negative ions, and excellent detergency ability. A method for manufacturing a gemini type quaternary cationic compound comprises a step of preparing a gemini type quaternary cationic compound through reaction with tertiary amine, a neutralizing agent and a diglycidyl ether-based compound in reaction solvent. The gemini type quaternary cationic compound has a structure represented by chemical formula 4. In chemical formula 4, R1-R6 are C1-30 alkyl group, alkylene group, hydroxy alkyl group or hydroxyalkylene group; R7 is hydrogen or C1-5 alkyl group; X and Y are independently selected from a halogen element or anionic part in solvent of a formic acid, acetic acid and nitric acid; n is an integer of 1-30.
摘要翻译：提供双子型季阳离子化合物以确保低临界胶束浓度，优异的分散性和对溶剂的溶解性，对负离子的表面的良好吸附，以及优异的去污力。制备双子型季阳离子化合物的方法包括通过在反应溶剂中与叔胺，中和剂和二缩水甘油醚类化合物反应来制备双子型季阳离子化合物的步骤。双子型季阳离子化合物具有由化学式4表示的结构。在化学式4中，R 1 -R 6为C 1-30烷基，亚烷基，羟基烷基或羟基亚烷基; R7是氢或C1-5烷基; X和Y独立地选自甲酸，乙酸和硝酸的溶剂中的卤素元素或阴离子部分; n为1-30的整数。

9. 发明授权

KR100636994B1 표면이하 결함을 개선하는 실리콘 웨이퍼 경면연마용슬러리 조성물 有权
标题翻译：用于降低硅片表面损伤的浆料组成
公开(公告)号：KR100636994B1
公开(公告)日：2006-10-20
申请号：KR1020040067829
申请日：2004-08-27
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 노현수 , 박태원 , 이태영 , 이인경
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 본 발명은 유기산 또는 그의 염을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 경면 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로, 본 발명의 슬러리 조성물은 마이크로 스크래치(Microscratch) 등의 물리적 표면결함을 제거하고, 마이크로 러프니스(Microroughness)를 낮추어 웨이퍼의 표면이하 결함을 크게 개선할 수 있다.
실리콘 웨이퍼, 경면연마, 슬러리 조성물

10. 发明授权

KR100558259B1 실리콘 웨이퍼 경면연마용 슬러리 조성물 失效
标题翻译：用于抛光硅晶片的浆料组合物
公开(公告)号：KR100558259B1
公开(公告)日：2006-03-10
申请号：KR1020030084065
申请日：2003-11-25
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 노현수 , 박태원 , 이길성 , 이인경
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 본 발명은 실리콘 웨이퍼 연마용 슬러리 및 이를 이용한 경면연마 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 평균 입경이 10-200nm인 콜로이드 실리카, 아크릴레이트 또는 암모늄염과 공중합된 폴리피롤리돈 공중합체, TMAH, pH 조절제 및 탈이온수를 포함하는 실리콘 웨이퍼 연마용 슬러리 및 상기 연마용 슬러리를 2차 연마 단계에서 사용하는 것을 특징으로 하는 다단계 경면연마 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 연마용 슬러리를 사용하여 경면연마 공정을 수행하면 미크론 단위 이하의 LPD(submicron LPD)가 크게 감소되는 효과를 제공할 수 있다.
실리콘 웨이퍼, 경면연마, 실리카. 폴리피롤리돈 공중합체, TMAH, pH조절제

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