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    • 4. 发明授权
    • 반도체 미세 갭 필용 중합체 및 이를 이용한 반도체 미세갭 필용 조성물
    • 半导体微隙填充聚合物及半导体微隙填充用组合物
    • KR100722984B1
    • 2007-05-30
    • KR1020050117592
    • 2005-12-05
    • 제일모직주식회사
    • 성현후김종섭오승배김대윤
    • C08F20/04C08F20/06
    • 본 발명은 반도체 미세 갭 필 중합체에 관한 것으로서, 본 발명에 의하여 직경이 100nm 이하이며, 높이/직경으로 나타나는 아스팩트비가 1 이상인 홀을 갖는 반도체 기판에 일반적인 스핀코팅 방법으로 공기 보이드(void) 등의 결함없이 완전한 갭 필(Gap-Fill)이 가능하며, 알칼리 수용액(현상액이라고 함.)에 의해 원하는 두께만큼 막을 녹여 낼 수 있으며, 보관안정성이 우수하며, 베이킹에 의한 경화 후에는 이소프로필 알코올(IPA) 및 플라즈마 에칭에 강한 내성을 가지며, 에싱(Ashing) 처리에 의해서 빠르게 홀 내부에서 제거될 수 있는 조성물을 제공한다.
      갭 필(Gap-Fill), 용해속도(Dissolution Rate), 스핀코팅, 보관안정성, 플라즈마 에칭, 에싱(Ashing), 반도체
    • 本发明中,诸如半导体细间隙所需的聚合物,和具有由本发明的直径为100nm或更小的,在具有一个或多个孔(空隙)的半导体基板上的典型的旋涂法中的空气空隙的高度/直径所示人工鱼礁事实比 它可以是一个完整的间隙场(间隙填充),无缺陷,和含水的碱性溶液可以是通过由所需厚度的膜溶解(其中。被称为显影液)并具有优良的储存稳定性,和异丙醇通过烘烤固化后(IPA )和耐等离子蚀刻,并且可以通过灰化处理在孔中快速去除。