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热词
    • 1. 发明公开
    • 플라즈마 처리 장치
    • 等离子体处理设备
    • KR1020130095459A
    • 2013-08-28
    • KR1020120016904
    • 2012-02-20
    • 재단법인 철원플라즈마 산업기술연구원
    • 김성인김용득손병구최선용신명선김병훈이규항이문원
    • H05H1/24H05H1/34B22F9/14
    • H01J37/3244H01J37/32009H01J37/32458H01J37/32513H01J37/32532H01J37/32834
    • PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to uniformly perform a property transformation of a specific material of which physical property is required to be transformed, thereby improving the yield of the property transformation. CONSTITUTION: A reactor (30) includes an inlet (42) at one end and an outlet (44) at the other end. A material supply unit (10) supplies regularly a specific material to be processed into the reactor trough the inlet. A gas supply unit (20) supplies regularly a processing gas into the reactor through the inlet. A power supply unit supplies fixed power into the reactor. First and second electrode units (52,54) generate a high voltage with a constant cycle to generate a plasma discharge reaction in a processing channel. A receiving unit (60) receives a processed material discharged through the outlet.
    • 目的:提供等离子体处理装置,以均匀地进行需要变换物性的特定材料的特性变换,从而提高特性变换的产率。 构成:反应器(30)在一端包括入口(42)和另一端的出口(44)。 材料供应单元(10)通过入口将特定的待处理材料定期供应到反应器中。 气体供应单元(20)通过入口定期提供处理气体进入反应器。 电源单元向反应堆提供固定电源。 第一和第二电极单元(52,54)以恒定周期产生高电压,以在处理通道中产生等离子体放电反应。 接收单元(60)接收通过出口排出的处理材料。
    • 3. 发明公开
    • 플라즈마 처리장치
    • 加工等离子体的设备
    • KR1020140044546A
    • 2014-04-15
    • KR1020120110648
    • 2012-10-05
    • 재단법인 철원플라즈마 산업기술연구원
    • 김성인손병구김용득김병훈이문원송석균
    • H05H1/34B82Y30/00
    • The present invention relates to a plasma processing device in which a passage path for processing a plasma processing target material with plasma includes a curved connection pipe connecting linear holes in a reactor and the amount of the processing target material supplied into the reactor can be controlled. According to the present invention, the plasma processing device enables production of a material capable of changing electrical and physical properties to be even and regular by increasing a discharge exposure time of the plasma processing target material. In addition, the present invention facilitates the transformation of a device and various controls to change the electrical and physical properties into a level which a producer desires.
    • 等离子体处理装置技术领域本发明涉及一种等离子体处理装置,其中用于处理等离子体处理目标材料的等离子体的通路包括连接反应器中的直线孔的弯曲连接管和供应到反应器中的处理目标材料的量。 根据本发明,等离子体处理装置能够通过增加等离子体处理目标材料的放电暴露时间来制造能够使电气和物理性质变得均匀和均匀的材料。 此外,本发明有助于设备的变换和各种控制,以将电气和物理特性改变成生产者期望的水平。
    • 4. 发明授权
    • 분체 공급 장치
    • 送粉装置
    • KR101293309B1
    • 2013-08-06
    • KR1020110100142
    • 2011-09-30
    • 재단법인 철원플라즈마 산업기술연구원
    • 정효수손병구최선용신명선이규항이문원
    • B65G47/16B07B4/08B02C18/06B01J4/00
    • 본 발명은 판재를 이용해 통 형태로 형성되며 분체가 공급 및 배출되는 분체투입구 및 배출구가 상부에 형성된 몸체부와, 상기 몸체부 일측에 구비되어 분체가 분쇄되도록 하는 분쇄부가 형성된 분체공급장치에 있어서, 상기 몸체부는 유입된 분체가 유동되는 내부공간이 형성되며 상하로 각각 분리된 상/하몸체와, 상기 상몸체와 하몸체 사이에 삽입된 체망과, 상기 하몸체 둘레에 일정거리 떨어져 고정되며 제어장치에 의해 제어되는 가열부재가 형성되고; 상기 분쇄부는 하몸체 일측에 결합된 제1공급관을 통해 가스를 공급하는 제1가스공급기와, 회전모터가 일측단에 결합되어 회전되는 제1타공축과, 상기 제1타공축 일측에 결합되어 가스가 공급되도록 하는 제2가스공급기가 형성된 구조로 이루어진다.
      본 발명에 따른 분체 공급 장치는 하몸체에 전체적으로 다수개의 제1타공이 형성되어 하몸체에 유입된 분말에 가스가 분출됨으로써 분말이 용이하게 부유가 될수 있으며, 또한, 하몸체 중앙을 관통한 타공축 외주면으로 다수개의 디스크판이 고정됨으로써, 분체의 원활한 부유와 함께 미립자화 할 수 있으며, 상몸체와 하몸체 사이에 형성된 체망으로 인해 분체에 의해 체망이 막히는 현상이 방지되어 원활한 분급이 가능한 또 다른 효과가 있다.
    • 5. 发明公开
    • 분체 공급 장치
    • 粉末送料装置
    • KR1020130035688A
    • 2013-04-09
    • KR1020110100142
    • 2011-09-30
    • 재단법인 철원플라즈마 산업기술연구원
    • 정효수손병구최선용신명선이규항이문원
    • B65G47/16B07B4/08B02C18/06B01J4/00
    • PURPOSE: A powder feeding device is provided to easily float powder and to atomize the powder using multiple discs. CONSTITUTION: A powder feeding device comprises a body part(10) and a grinding part(20). The body part comprises a powder inlet(111), a powder outlet(112), an upper body(11), a lower body(12), a mesh strainer(13), and a heating member(14). The mesh strainer is inserted between the upper body and the lower body. The heating member is separated from the circumference of the lower body at a predetermined distance and is controlled by a control device(141). The grinding part comprises a first gas feeder(21), a first shaft(22), and a second gas feeder. The first gas feeder feeds gas by a first feeding pipe(211) coupled to one side of the lower body. A rotary motor is coupled to one end of the first shaft so that the first shaft can rotate. [Reference numerals] (AA0) Reactor;
    • 目的:提供粉末供给装置,以容易地漂浮粉末并使用多个盘雾化粉末。 构成:粉末供给装置包括主体部分(10)和研磨部分(20)。 主体部分包括粉末入口(111),粉末出口(112),上部主体(11),下部主体(12),网状过滤器(13)和加热构件(14)。 网状过滤器插入在上身和下身之间。 加热构件以预定距离与下体的圆周分离,并由控制装置(141)控制。 研磨部分包括第一气体供给器(21),第一轴(22)和第二气体供给器。 第一气体供给器通过联接到下体的一侧的第一输送管(211)供给气体。 旋转电动机联接到第一轴的一端,使得第一轴可以旋转。 (参考号)(AA0)反应器;
    • 6. 发明公开
    • 멀티 인젝션 RF 플라즈마 처리장치 및 RF 플라즈마 토치
    • 注射型射频热等离子体加工设备和射频热等离子体
    • KR1020150025120A
    • 2015-03-10
    • KR1020130102334
    • 2013-08-28
    • 재단법인 철원플라즈마 산업기술연구원
    • 김성인손병구김병훈이문원한상근
    • B01J19/08H05H1/26
    • H05H1/42H05H1/30H05H2001/4645
    • 본 발명은 기존의 RF 열 플라즈마 시스템(plasma system) 운용 시 문제점이었던 단위 시간당 생산량증대 및 이종합성이 필요한 코어 쉘(Core-shell) 구조체의 제작을 용이하게 하는 멀티 인젝션 RF 플라즈마 처리장치 및 RF 플라즈마 토치에 관한 것으로 원료공급부(120); 플라즈마 토치(200) 및 반응기(300); 상기 원료공급부(120)로부터 이송되는 파우더 입자를 고온 플라즈마 온도 분포 영역에 맞추어 분사하는 적어도 두 개 또는 그 이상으로 플라즈마 토치(200)에 정렬된 멀티 인젝터(210a)(210b)들; 및 상기 멀티 인젝터(210a)(210b)들을 지지하는 지지블럭(400);과 조정수단;을 제공한다.
    • 本发明涉及一种多注射型RF等离子体处理装置和RF等离子体割枪,其制造需要每单位时间生产增加的核 - 壳结构和异质合成,这在管理现有RF热 等离子体系统 多次注入RF等离子体处理装置和RF等离子体焰炬包括等离子体焰炬(200)和反应器(300)的原料供给部(120)。 喷射从原料供给部分(120)转移到高温等离子体温度分散区域上的多个喷射器(210a,210b),并设置在等离子体焰炬(200)上; 支撑多喷射器(210a,210b)的支撑块(400); 和调整装置。
    • 8. 发明授权
    • 플라즈마 처리 장치
    • 等离子体处理装置
    • KR101374627B1
    • 2014-03-19
    • KR1020120016904
    • 2012-02-20
    • 재단법인 철원플라즈마 산업기술연구원
    • 김성인김용득손병구최선용신명선김병훈이규항이문원
    • H05H1/24H05H1/34B22F9/14
    • 본 발명은 플라즈마 처리 대상 소재의 플라즈마 처리를 위한 통과 경로가 반응기 내에서 나선형으로 연장되는 경로 형태를 갖도록 하고, 반응기 내에서 처리 대상 소재의 나선형 경로와 밀착하여 고전압 발생용 전극이 나선형으로 연장될 수 있도록 하는 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것이다. 이를 위해 본 발명은 일단에 입구부(Inlet)를 구비함과 동시에 타단에 출구부(Outlet)를 구비하고, 상기 입구부를 통해 공급되는 처리 대상 소재 및 처리 가스를 나선 형상으로 통과시켜 처리하는 처리 채널을 형성하여 상기 출구부를 통해 전기적, 물리적 특성이 변환된 물질을 반출하는 반응기; 상기 입구부를 통해 상기 반응기의 내부로 특정 처리 대상 소재를 일정하게 공급하는 소재 공급부; 상기 소재 공급부와는 별도로 구비되어 상기 입구부를 통해 상기 반응기의 내부로 처리 가스를 일정하게 공급하는 가스 공급부;상기 반응기의 내부에 일정한 전원을 인가하여, 상기 입구부로부터 출구부 측까지 연장되는 나선 형상의 처리 채널을 형성하고 그 처리 채널을 따라 이동하는 처리 대상 소재 및 처리 가스가 플라즈마 반응을 발생시키도록 하는 전원 공급부; 상기 전원 공급부의 양단과 각각 연결된 서로 다른 극성의 제1 전극 및 제2 전극이 상기 반응기 내부의 입구부측으로부터 출구부측에 나선 형상의 처리 채널을 형성하고, 상기 제1 전극 및 제2 전극에 의해 형성되는 처리 채널들 사이에 처리 대상 소재와 처리 가스를 주입하여 플라즈마 방전 반응을 발생시키기 위하여 고전압을 공급하는 제1 및 제2 전극부; 및 상기 반응기 내의 제1 및 제2 전극부를 통하여 공급된 고전압에 의하여 형성된 처리 채널 내에서 플라즈마 방전이 발생하고 플라즈마에 의하여 처리 대상 소재를 플라즈마 처리함에 따라 전기적, 물리적 특성으로 변환되어 출구부를 통해 반출되는 처리 물질을 수취하는 수취부;를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.
    • 9. 发明授权
    • 플라즈마 처리 장치
    • 等离子体处理装置
    • KR101369210B1
    • 2014-03-06
    • KR1020120036015
    • 2012-04-06
    • 재단법인 철원플라즈마 산업기술연구원
    • 김성인김용득손병구최선용신명선김병훈이규항이문원
    • H05H1/46C23C16/50C01B31/02
    • 본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 플라즈마 방전이 발생하는 공간의 이동 경로를 길게 형성함으로써 플라즈마 방전 공간에서의 처리 소재가 반응을 일으키기 위한 충분한 시간을 확보하여, 보다 효율적이고 균질화된 소재로 처리할 수 있는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
      본 발명의 장치에 따르면, 일단에 인렛부를 구비함과 더불어 타단에 아웃렛부를 구비하며, 전원 공급부로부터 인가된 전원에 의해 상기 인렛부를 통해 반응기 내부로 공급된 처리 대상 소재 및 처리 가스가 플라즈마 반응 처리되어 상기 아웃렛부를 통해 반출된 처리 물질을 수취하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 상기 인렛부를 통해 공급되는 처리대상 소재 및 처리 가스가 회오리 형상으로 일정 길이를 갖도록 형성된 처리 채널의 이동 경로를 따라 통과하면서 처리되어 상기 아웃렛부를 통해 균질화된 물질이 반출되는 반응기; 및 상기 전원 공급부의 양단과 각각 연결된 서로 다른 극성의 제1 전극 및 제2 전극이 상기 반응기 내부의 인렛부 측으로부터 아웃렛부 측에 형성된 회오리 형상의 처리 채널에 대응하여 각각 설치되고, 상기 처리대상 소재와 처리 가스가 주입되는 처리 채널 내에서 플라즈마 방전 반응을 발생시키기 위하여 일정 주기의 고전압을 공급하는 제1및 제2 전극부;를 포함하는, 플라즈마 처리장치를 제공한다.