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1. 发明专利

KR20210031576A KR20210031576A - Plasticizer composition and resin composition comprising the same 审中-公开
公开(公告)号：KR20210031576A
公开(公告)日：2021-03-22
申请号：KR1020190112860A
申请日：2019-09-11
申请人： 오씨아이 주식회사
发明人： 김상훈 , 이한뉘 , 이성환 , 김경열 , 김용일
IPC分类号： C08K5/12 , C08K5/11
CPC分类号： C08K5/12 , C08K5/0016 , C08K5/11
摘要： 본 발명은, 가소제 조성물 및 이를 포함하는 수지 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 하기 화학식 1로 표시되는 프탈레이트계 화합물; 및 하기 화학식 4로 표시되는 벤조에이트계 화합물을 포함하되, 상기 프탈레이트계 화합물에 대한 벤조에이트계 화합물의 중량비는 14% 내지 72%인 가소제 조성물에 관한 것이다
[화학식 1]

[화학식 4]

(상기 화학식 1에서, R
1 및 R
2 는 서로 같거나 다른 알킬기이고, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄이며, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이고,
상기 화학식 4에서, R
3 는 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이며, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20임).

2. 发明授权

KR101632798B1 열플라즈마에 의한 단결정 성장 방법 有权
标题翻译：使用等离子体生长单晶的方法
公开(公告)号：KR101632798B1
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：KR1020140150541
申请日：2014-10-31
申请人： 오씨아이 주식회사
发明人： 김덕윤 , 김상훈 , 김경열 , 이성환
IPC分类号： C30B25/06 , C30B29/36 , C30B30/00
摘要： 원료투입부, 플라즈마반응부, 단결정성장부를구비한플라즈마단결정성장반응기에, 캐리어가스를투입하고, 플라즈마방전을실시하여열플라즈마를형성하는단계; 상기원료투입부에단결정성장을위한원료를연속공정으로투입하는단계; 상기투입된원료가열플라즈마의온도영역에서활성화된기체를형성하는단계; 상기활성화된기체가상기단결정성장부로이동하는단계; 및상기활성화된기체가상기단결정성장부에서증착되어단결정이형성되는단계;를포함하는열플라즈마에의한단결정성장방법이제공된다.

3. 发明授权

KR101564146B1 실란 화합물을 수소화 반응시키는 방법 有权
标题翻译：氢化硅烷化合物的方法
公开(公告)号：KR101564146B1
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：KR1020130140007
申请日：2013-11-18
申请人： 오씨아이 주식회사
发明人： 김경열 , 김덕윤 , 김상훈 , 김곤호 , 허성렬 , 김남균
IPC分类号： C07F7/18 , B01J19/12
摘要： 본발명은수소를저온플라즈마반응장치에공급하여, 수소이온, 전자및 수소원자라디칼을포함하는저온플라즈마를발생시키는단계; 상기저온플라즈마반응장치에실란화합물을포함하는원료를공급하는단계; 및상기실란화합물이상기수소이온, 전자및 상기수소원자라디칼과수소화반응하는단계를포함하는실란화합물을수소화반응시키는방법을제공한다.

4. 发明公开

KR1020160053231A 열플라즈마에 의한 단결정 성장 방법 有权
标题翻译：使用等离子体生长单晶的方法
公开(公告)号：KR1020160053231A
公开(公告)日：2016-05-13
申请号：KR1020140150541
申请日：2014-10-31
申请人： 오씨아이 주식회사
发明人： 김덕윤 , 김상훈 , 김경열 , 이성환
IPC分类号： C30B25/06 , C30B29/36 , C30B30/00
CPC分类号： C30B25/06 , C30B29/36 , C30B30/00
摘要： 원료투입부, 플라즈마반응부, 단결정성장부를구비한플라즈마단결정성장반응기에, 캐리어가스를투입하고, 플라즈마방전을실시하여열플라즈마를형성하는단계; 상기원료투입부에단결정성장을위한원료를연속공정으로투입하는단계; 상기투입된원료가열플라즈마의온도영역에서활성화된기체를형성하는단계; 상기활성화된기체가상기단결정성장부로이동하는단계; 및상기활성화된기체가상기단결정성장부에서증착되어단결정이형성되는단계;를포함하는열플라즈마에의한단결정성장방법이제공된다.
摘要翻译：提供了使用热等离子体生长单晶的方法。使用热等离子体生长单晶的方法包括以下步骤：将载气引入具有进料部分，等离子体反应部分和单晶生长部分的等离子体单晶生长反应器中，并通过执行等离子体放电产生热等离子体 ; 通过连续过程将信号晶体生长原料进料到进料部分; 通过进料的原料形成在热等离子体的温度域中活化的气体; 通过活性气体移动到单晶生长部分; 并通过活性气体沉积在单晶生长部分中，从而形成单晶。

5. 发明公开

KR1020150057098A 실란 화합물을 수소화 반응시키는 방법 有权
标题翻译：氢化硅烷化合物的方法
公开(公告)号：KR1020150057098A
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：KR1020130140007
申请日：2013-11-18
申请人： 오씨아이 주식회사
发明人： 김경열 , 김덕윤 , 김상훈 , 김곤호 , 허성렬 , 김남균
IPC分类号： C07F7/18 , B01J19/12
CPC分类号： C07F7/18 , B01J19/12
摘要： 본발명은수소를저온플라즈마반응장치에공급하여, 수소이온, 전자및 수소원자라디칼을포함하는저온플라즈마를발생시키는단계; 상기저온플라즈마반응장치에실란화합물을포함하는원료를공급하는단계; 및상기실란화합물이상기수소이온, 전자및 상기수소원자라디칼과수소화반응하는단계를포함하는실란화합물을수소화반응시키는방법을제공한다.
摘要翻译：在本发明中，提供了一种氢化硅烷化合物的方法，包括以下步骤：向低温等离子体反应装置提供氢气，从而产生包括氢离子，电子和氢原子基团的低温等离子体; 向所述低温等离子体反应装置供给包含所述硅烷化合物的原料; 并且使硅烷化合物，氢离子，电子和氢原子基团具有氢化反应。

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