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1. 发明专利

KR20210032052A KR20210032052A - Composition for etching copper-containing metal layer and etching method using the same 审中-公开
公开(公告)号：KR20210032052A
公开(公告)日：2021-03-24
申请号：KR1020190113275A
申请日：2019-09-16
申请人： 오씨아이 주식회사
发明人： 유연석 , 권태수 , 전현선 , 장욱
IPC分类号： C23F1/18 , C23F1/02 , C23F1/44
CPC分类号： C23F1/18 , C23F1/02 , C23F1/44
摘要： 본 발명은 구리계 금속막 식각용 조성물 및 이를 이용한 식각방법에 관한 것이며, 보다 상세하게는 구리계 금속막의 두께가 증가되더라도 식각속도가 저하되지 않고, 에천트에 의한 포토레지스트가 제거되는 현상(리프트-오프)이 발생되지 않으며, 식각 후 구리계 금속막 상부의 침식(시디 로스)을 최소화하여 미세패턴을 구현할 수 있는 구리계 금속막 식각용 조성물 및 이를 이용한 식각방법을 제공하기 위한 것이다.

2. 发明专利

KR20210031575A KR20210031575A - Eco-friendly Cold insulation composition and cold insulation pack including the same 审中-公开
公开(公告)号：KR20210031575A
公开(公告)日：2021-03-22
申请号：KR1020190112858A
申请日：2019-09-11
申请人： 오씨아이 주식회사
发明人： 이상엽 , 박영훈 , 김경열 , 김용일
IPC分类号： C09K5/10 , B65D75/04 , B65D75/28
CPC分类号： C09K5/10 , B65D75/04 , B65D75/28
摘要： 본 발명은, 보냉제 조성물 및 이를 포함하는 보냉 팩에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 흄드 실리카(Fumed Silica); 염기성 화합물; 증점제; 및 잔량의 물을 포함하되, 상기 흄드 실리카는 비다공성 실리카인 보냉제 조성물에 관한 것이다.

3. 发明专利

KR20210033374A KR20210033374A - Method for producing pellets for improvement of fusibility of powders 审中-公开
公开(公告)号：KR20210033374A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：KR1020190115037A
申请日：2019-09-18
申请人： 오씨아이 주식회사
发明人： 송문호 , 이현철 , 박병현 , 오민경 , 이승직
IPC分类号： C04B35/515
CPC分类号： C04B35/515 , C04B2235/428 , C04B2235/604 , C04B2235/77
摘要： 본 발명은 a) 실리콘 웨이퍼 공정에서 배출되는 실리콘 커프(silicon kerf)를 준비하는 단계; b) 상기 실리콘 커프를 건조 및 해쇄하여 실리콘 함유 파우더(powder)를 제공하는 단계; c) 상기 실리콘 함유 파우더에 바인더를 첨가하지 않고 소정의 압력을 가하여 실리콘 펠렛을 성형하는 단계; 및 d) 상기 실리콘 펠렛을 가열하여 기화 가능한 불순물을 제거하는 단계를 포함하는 실리콘 펠렛의 제조방법을 제공한다.

4. 发明专利

KR20210033155A KR20210033155A - Etching solution for silicon nitride layer and method for preparing semiconductor device using the same 审中-公开
公开(公告)号：KR20210033155A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：KR1020190114511A
申请日：2019-09-18
申请人： 오씨아이 주식회사
发明人： 유호성 , 김명현 , 양준호 , 이준은 , 장평화
IPC分类号： C09K13/06 , H01L21/306 , H01L21/311
CPC分类号： C09K13/06 , H01L21/30604 , H01L21/31111
摘要： 본 발명은 실리콘 질화막 식각 용액 및 이를 사용한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이며, 보다 상세하게는 적정 용해도를 확보하며, 저온에서는 쉽게 분해되지 않고, 식각 조건에서는 쉽게 분해되어 실리콘계 파티클로서의 성장을 방지하고, 실리콘 산화막 대비 실리콘 질화막에 대한 선택비를 증가시킬 수 있는 실리콘 질화막 식각 용액 및 이를 사용하여 수행되는 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다.

5. 发明专利

KR20210031576A KR20210031576A - Plasticizer composition and resin composition comprising the same 审中-公开
公开(公告)号：KR20210031576A
公开(公告)日：2021-03-22
申请号：KR1020190112860A
申请日：2019-09-11
申请人： 오씨아이 주식회사
发明人： 김상훈 , 이한뉘 , 이성환 , 김경열 , 김용일
IPC分类号： C08K5/12 , C08K5/11
CPC分类号： C08K5/12 , C08K5/0016 , C08K5/11
摘要： 본 발명은, 가소제 조성물 및 이를 포함하는 수지 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 하기 화학식 1로 표시되는 프탈레이트계 화합물; 및 하기 화학식 4로 표시되는 벤조에이트계 화합물을 포함하되, 상기 프탈레이트계 화합물에 대한 벤조에이트계 화합물의 중량비는 14% 내지 72%인 가소제 조성물에 관한 것이다
[화학식 1]

[화학식 4]

(상기 화학식 1에서, R
1 및 R
2 는 서로 같거나 다른 알킬기이고, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄이며, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이고,
상기 화학식 4에서, R
3 는 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이며, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20임).

6. 发明专利

KR20210029918A KR20210029918A - A METHOD FOR PREPARING WATER TREATMENT pH COMPOSITION 审中-公开
公开(公告)号：KR20210029918A
公开(公告)日：2021-03-17
申请号：KR1020190111184A
申请日：2019-09-09
申请人： 오씨아이 주식회사
发明人： 한승현 , 유연석 , 장욱
IPC分类号： C02F1/66
CPC分类号： C02F1/66
摘要： 본 발명에 따른 수처리용 pH 조성물의 제조방법은 저온에서 석출 및 빙결현상이 발생하지 않는 수처리용 pH 조성물을 제공할 수 있다.

7. 发明申请

WO2021145739A1 연마제 및 이를 이용한 평탄화 방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2021145739A1
公开(公告)日：2021-07-22
申请号：PCT/KR2021/000633
申请日：2021-01-15
申请人： 오씨아이 주식회사 , 성균관대학교산학협력단
发明人： 박영훈 , 김응철 , 김태성 , 이상엽 , 김경열 , 오휘수
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/3105 , H01L21/762
摘要： 본 발명은 연마제 및 이를 이용한 평탄화 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 흄드 실리카를 포함한다. 상기 흄드 실리카의 BET 비표면적은 200 m 2/g 내지 450 m 2/g이고, 연마제 내에 분산된 응집체의 형상은 길쭉한 형태 또는 둥근 형태를 가지며, 상기 응집체의 상기 둥근 형태의 비율은 50% 내지 90%이다.

8. 发明申请

WO2017111365A2 내구성을 향상시킨 레독스 흐름 전지의 셀 스택 审中-公开
标题翻译：氧化还原流动池的电池堆提高了耐久性
公开(公告)号：WO2017111365A2
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：PCT/KR2016/014492
申请日：2016-12-09
申请人： 오씨아이 주식회사
发明人： 김태윤 , 김수환 , 김병철 , 박상은 , 이남진 , 함성식
CPC分类号： Y02E60/528
摘要： 본 발명은 전극 수용 공간인 전극실을 구비하는 엔드 프레임과, 상기 전극실의 개방면의 면적보다 넓은 면적을 가지도록 형성되어 상기 전극실의 개방면을 막으며, 상기 엔드 프레임의 일측을 벗어나도록 연장 형성된 돌출부를 구비하는 쌍극판과, 상기 쌍극판의 돌출부에 중첩되는 집전판을 포함하며, 상기 쌍극판의 외면을 절연하는 절연판을 포함하고, 상기 돌출부는 상기 엔드프레임과 복수의 접착라인으로 접착되며, 상기 접착라인은 상기 돌출부의 폭방향을 가로지르며 서로 중첩되지 않도록 배치된 레독스 흐름 전지의 셀 스택을 제공한다.
摘要翻译：本发明涉及具有作为电极收容空间的电极室的端部框架，具有比电极室的开放侧的面积大的面积的端部框架，以封闭电极室的开口面，的双极板，其包括集电板重叠的双极板的突出部分，它包含一个绝缘板用于绝缘双极板的外表面，形成具有延伸突出部上的端部框架的侧外部突出到的是端部其中粘合剂线粘合到框架和多个粘合剂线，粘合剂线被布置为与突起的宽度方向交叉并且不相互重叠。

9. 发明申请

WO2017086758A1 구리 식각용 조성물 및 과산화수소계 금속 식각용 조성물 审中-公开
标题翻译：用于铜蚀刻的组合物和用于蚀刻过氧化氢基金属的组合物
公开(公告)号：WO2017086758A1
公开(公告)日：2017-05-26
申请号：PCT/KR2016/013412
申请日：2016-11-21
申请人： 오씨아이 주식회사
发明人： 김윤철 , 박종희 , 권윤경 , 장욱
IPC分类号： C23F1/10 , C23F1/14 , C23F1/16 , C23F1/18
CPC分类号： C23F1/10 , C23F1/14 , C23F1/16 , C23F1/18
摘要： 본 발명은 구리 식각용 조성물 및 과산화수소계 금속 식각용 조성물에 관한 것이며, 보다 구체적으로 구리와 유기물 사이에 형성된 킬레이트 결합의 안정성을 높여 식각용 조성물로부터 구리 침전물의 발생을 억제할 수 있는 구리 식각용 조성물 및 과산화수소계 금속 식각용 조성물 내 과산화수소의 분해 및 다른 성분들의 변성을 방지할 수 있는 과산화수소계 금속 식각용 조성물에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及用于铜蚀刻的组合物和用于蚀刻过氧化氢基金属的组合物，并且更具体地涉及用于提高在铜和有机材料之间形成的螯合键的稳定性的方法，本发明涉及能够抑制过氧化氢蚀刻用组合物中的过氧化氢等的分解的铜蚀刻用组合物。

10. 发明申请

WO2017069560A1 실리콘 텍스쳐링 조성물 및 이의 제조방법 审中-公开
标题翻译：硅酮纹理组合物及其制造方法
公开(公告)号：WO2017069560A1
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：PCT/KR2016/011899
申请日：2016-10-21
申请人： 오씨아이 주식회사
发明人： 송문호 , 백진주
IPC分类号： H01L31/0236 , C07H3/04 , C08B11/12 , C08B37/00 , C01D1/04 , C01C1/00 , H01L31/18
CPC分类号： C01C1/00 , C01D1/04 , C07H3/04 , C08B11/12 , C08B37/00 , H01L31/0236 , H01L31/18 , Y02E10/50
摘要： 본 발명은 실리콘 텍스쳐링 조성물 및 이의 제조방법에 관한 것이며, 보다 상세하게는 알칼리 화합물, 다당류 및 이당류를 포함하되, 상기 다당류에 있어서 카복시메틸셀룰로오스 금속염 및 알긴산 금속염의 함량비를 조절하여 실리콘 웨이퍼 습식 식각시 보다 균일한 표면 형상을 구현하는 텍스쳐링 조성물에 관한 것이다.
摘要翻译：
本发明涉及一种硅纹理化组合物和其制造方法，更具体地，碱性化合物，包括，但多糖和二糖，羧甲基纤维素盐和藻酸的盐中的多糖含量非本发明涉及一种纹理组合物，其在湿法蚀刻硅晶片时实现更均匀的表面形状。

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