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热词
    • 4. 发明申请
    • 열전 나노와이어 및 그의 제조방법
    • 热电纳米线及其制造方法
    • WO2010082733A2
    • 2010-07-22
    • PCT/KR2009/007873
    • 2009-12-29
    • 연세대학교 산학협력단이우영함진희이승현노종욱김현수김우철
    • 이우영함진희이승현노종욱김현수김우철
    • H01L35/16B82B3/00H01L35/18
    • H01L35/16B82Y30/00B82Y40/00C30B1/12C30B29/02C30B29/52C30B29/60H01L35/34Y10T428/12097
    • 본 발명은 기판상에 열팽창계수가 서로 다른 산화물층과 열전물질을 적층한 후 열팽창계수의 차이에 따른 압축응력을 이용하여 열전물질로부터 단결정 열전 나노와이어를 성장시켜 제조된 열전 나노와이어 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은, 상면에 산화물층이 형성된 기판을 마련하는 공정; 상기 산화물층 상에 Al, Ag, Fe 또는 이들의 산화물로 이루어진 다수의 나노입자를 형성하는 공정; 상기 산화물층 상에 형성된 상기 다수의 나노입자를 포함하도록 그 산화물층 상에 열전특성을 갖는 열전물질 박막을 형성하는 공정; 상기 열전물질 박막이 형성된 기판을 열처리하여 상기 다수의 나노입자가 함유된 열전 나노와이어를 성장시키는 공정; 및 상기 열처리 공정 이후에 상기 기판을 상온에서 냉각시키는 공정; 을 포함하는 열전 나노와이어 제조방법을 제공한다.
    • 本发明涉及一种热电纳米线,其通过在基板上层叠具有不同的热膨胀系数的氧化物层和热电材料制造,并且能够使用热电材料从热电材料生长单晶热电纳米线 压缩应力由热膨胀系数差引起。 本发明还涉及一种制造热电纳米线的方法。 制造热电纳米线的方法包括以下步骤:提供形成有氧化物层的基板; 在氧化物层上形成由Al,Ag,Fe或其氧化物组成的多个纳米颗粒; 在所述氧化物层上形成具有热电特性的热电薄膜,使得所述热电薄膜含有形成在所述氧化物层上的多个纳米颗粒; 在其上形成有热电薄膜的基板上进行热处理,能够使含有多个纳米粒子的热电纳米线生长; 并在热处理过程之后在室温下冷却基板。
    • 7. 发明授权
    • 자기공명 관절 조영술을 위한 영상처리 장치, 방법 및 이를 이용한 기록매체
    • 用于磁共振关节造影术的图像处理设备和方法以及使用其的记录介质
    • KR101828174B1
    • 2018-02-09
    • KR1020160134520
    • 2016-10-17
    • 연세대학교 산학협력단
    • 이영한서진석양재문이승현
    • A61B5/055A61B5/00G01R33/34G01R33/561
    • A61B5/055A61B5/742G01R33/34007G01R33/5611
    • 본발명은자기공명관절조영술을위한영상처리장치, 방법및 이를이용한기록매체에관한것이다. 본발명에따르면, 자기공명신호(MR)를측정하기위한 RF코일, 복수의부위에관심영역을설정하는관심영역설정모듈, 상기 RF코일에서측정된자기공명신호를기초로상기각각의관심영역의 T1값, T2값및 PD값을연산하는시간연산모듈, 상기연산된 T1값, T2값및 PD값을기초로상기각각의관심영역에서의신호강도를 TR(repetition time) 및 TE(echo time)가포함된방정식으로연산하는신호강도연산모듈, 상기 TR 및 TE가포함된방정식들상호간의신호강도차이를절대값으로연산하는차이연산모듈, 및상기연산된신호강도차이가최대값이되는 TR 및 TE 값을연산하는최대값연산모듈을포함하는영상처리부및 상기신호강도차이가최대값이되는 TR 및 TE 값이적용된자기공명영상을디스플레이하기위한출력부;를포함하는자기공명관절조영술을위한영상처리장치를제공한다.
    • 磁共振关节造影术的图像处理装置和方法以及使用该方法的记录介质技术领域本发明涉 根据本发明,提供了一种磁共振成像设备,包括:用于测量磁共振信号(MR)的RF线圈;感兴趣区域设置模块,用于在多个区域中设置感兴趣区域; 计算T 1值,T 2值和PD值,基于计算的T 1值,T 2值和PD值计算每个ROI中的信号强度的时间计算模块被定义为TR(重复时间) 差分计算模块,用于计算包括TR和TE的等式之间的信号强度差的绝对值;以及差分计算模块,用于计算TR和TE 以及输出单元,用于显示施加了具有信号强度差的最大值的TR值和TE值的磁共振图像,以及输出单元,用于执行磁共振关节造影术 它提供了一种装置。
    • 8. 发明公开
    • 열전성능이 우수한 코어/쉘 구조를 갖는 열전 나노와이어, 및 이를 포함하는 열전 나노소자 제조방법
    • 具有核壳结构的高性能热电纳米管及其制造包含其的热电纳米器件的方法
    • KR1020140098353A
    • 2014-08-08
    • KR1020130010827
    • 2013-01-31
    • 연세대학교 산학협력단
    • 이우영김정민이승현
    • H01L35/02H01L35/34
    • H01L35/32H01L35/16H01L35/18H01L35/34
    • Provided are a thermoelectric nanowire having a core-shell structure with high thermoelectric performance, and a method of fabricating a thermoelectric nanodevice having the same. One aspect of the present invention provides a method of fabricating a thermoelectric nanodevice having a thermoelectric nanowire with a core-shell structure comprising the following steps. A thermoelectric nanowire, having a core-shell structure with a controlled diameter within a range of about 380-550nm and a thermoelectric performance index (ZT) greater than or equal to about 0.5, is stacked on a substrate. A copolymer layer is formed on the substrate to include the nanowire therein, and an electron beam resistor is formed on the copolymer layer. An electron beam lithography process is performed to etch a portion of the copolymer layer and an electron beam resist layer, such that at least a portion of a nanowire core is etched. After a surface oxide layer of an exposed nanowire is etched to be removed by using a plasma etching in a chamber, an ohmic contact is vaporized in-situ on the nanowire with the oxide layer removed. Then, the copolymer layer and an electron beam resistor layer are removed from the nanowire to form an electrode.
    • 提供具有高热电性能的核 - 壳结构的热电纳米线以及具有该热电纳米线的热电纳米线的制造方法。 本发明的一个方面提供一种制造具有核 - 壳结构的热电纳米线的热电纳米器件的方法,包括以下步骤。 将具有约380-550nm范围内受控直径的核 - 壳结构和大于或等于约0.5的热电性能指数(ZT)的热电纳米线堆叠在基板上。 在基板上形成共聚物层以包含其中的纳米线,并且在共聚物层上形成电子束电阻。 执行电子束光刻工艺以蚀刻共聚物层和电子束抗蚀剂层的一部分,使得至少一部分纳米线芯被蚀刻。 在暴露的纳米线的表面氧化物层通过在室中使用等离子体蚀刻被蚀刻去除之后,在去除了氧化物层的纳米线上原位蒸发欧姆接触。 然后,从纳米线除去共聚物层和电子束电阻层,形成电极。
    • 9. 发明公开
    • 열전성능이 우수한 Bi 열전 나노와이어 및 이를 포함하는 열전 나노소자 제조방법
    • 用于制造包含其的热电纳米器件的高性能热电双相纳米材料和方法
    • KR1020140097808A
    • 2014-08-07
    • KR1020130010346
    • 2013-01-30
    • 연세대학교 산학협력단
    • 이우영이승현김정민
    • H01L35/02H01L35/14H01L35/34
    • H01L35/14H01L35/16H01L35/18H01L35/34
    • Provided are a single crystal thermoelectric nanowire with superb thermoelectric performance and a method for manufacturing a thermoelectric nanodevice having the same. The present invention provides a method for manufacturing a thermoelectric nanodevice comprising the following steps. A single crystal thermoelectric nanowire with an adjusted diameter smaller than or equal to 40 nm and a thermoelectric figure of merit greater than or equal to 0.5 is stacked on a substrate. A copolymer layer is formed on the substrate to include the nanowire, and an electron beam resist is formed thereon. An electron beam lithography process is performed such that portions of the copolymer layer and an electron beam resist layer are etched to expose at least a portion of the nanowire. After a surface oxide layer of the exposed nanowire is removed by using a plasma etching method in the chamber, an ohmic contact is deposited in-situ on the nanowire with the oxide layer removed, and the copolymer layer and the electron beam resist layer are removed from the nanowire. Then, an electrode is formed.
    • 提供具有极好的热电性能的单晶热电纳米线和具有该热电纳米线的热电纳米线的制造方法。 本发明提供一种制造热电纳米装置的方法,包括以下步骤。 将具有小于或等于40nm的调节直径和热变电阻值大于或等于0.5的单晶热电纳米线堆叠在基板上。 在基板上形成包含纳米线的共聚物层,在其上形成电子束抗蚀剂。 进行电子束光刻工艺,使得共聚物层和电子束抗蚀剂层的部分被蚀刻以暴露至少一部分纳米线。 在室中通过使用等离子体蚀刻方法去除暴露的纳米线的表面氧化物层之后,在除去氧化物层的纳米线上原位沉积欧姆接触,并且去除共聚物层和电子束抗蚀剂层 从纳米线。 然后,形成电极。