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1. 发明申请

WO2018074885A1 반도체 소자 및 이를 포함하는 반도체 소자 패키지 审中-公开
标题翻译：半导体器件和包括其的半导体器件封装
公开(公告)号：WO2018074885A1
公开(公告)日：2018-04-26
申请号：PCT/KR2017/011661
申请日：2017-10-20
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 강기만 , 이은득 , 임현수 , 성연준
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L33/10 , H01L33/22
摘要： 실시예는, 제 1 도전형 반도체층, 제 2 도전형 반도체층, 및 상기 제 1 도전형 반도체층과 제 2 도전형 반도체층의 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 발광 구조물; 상기 제 1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제 1 전극; 상기 제 2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제 2 전극; 상기 제 2 전극 상에 배치되고 제 1 금속을 포함하는 반사층; 및 상기 제 2 전극과 반사층 사이에 상기 제 1 금속의 질화물을 포함하는 반도체 소자를 개시한다.
摘要翻译：该实施例包括第一导电类型半导体层，第二导电类型半导体层以及设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层发光结构; 电连接到第一导电半导体层的第一电极; 电连接到第二导电半导体层的第二电极; 设置在第二电极上并包括第一金属的反射层; 以及第二电极和反射层之间的第一金属的氮化物。

2. 发明申请

WO2018084631A1 반도체 소자 및 이를 포함하는 반도체 소자 패키지 审中-公开
标题翻译：半导体器件和包括其的半导体器件封装
公开(公告)号：WO2018084631A1
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：PCT/KR2017/012403
申请日：2017-11-03
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 성연준 , 강기만 , 김민성 , 박수익 , 이용경 , 이은득 , 임현수
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/36 , H01L33/22 , H01L33/48 , H01L33/10 , H01L33/42
摘要： 실시 예는, 제 1 도전형 반도체층, 제 2 도전형 반도체층 및 상기 제 1 도전형 반도체층과 제 2 도전형 반도체층의 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 발광 구조물; 상기 제 1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제 1 전극; 상기 제 2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제 2 전극; 상기 제 2 전극 상에 배치되는 반사층; 및 상기 반사층 상에 배치되고, 복수의 층을 포함하는 캡핑층을 포함하고, 상기 캡핑층은 상기 반사층 상에 직접 배치되는 제 1 층을 포함하며, 상기 제 1 층은 Ti를 포함하는 반도체 소자를 개시한다.
摘要翻译：在该实施例中，第一导电类型半导体层，第二导电类型半导体层和设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层结构; 电连接到第一导电半导体层的第一电极; 电连接到第二导电半导体层的第二电极; 设置在第二电极上的反射层; 以及设置在所述反射层上并包括多个层的覆盖层，其中所述覆盖层包括直接设置在所述反射层上的第一层，所述第一层包括包含Ti的半导体器件，开始。

3. 发明授权

KR101894025B1 발광소자 有权
公开(公告)号：KR101894025B1
公开(公告)日：2018-09-03
申请号：KR1020110136834
申请日：2011-12-16
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 임현수 , 조권태 , 박수익
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/58 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/44 , H01L2224/48091 , H01L2933/0083 , H01L2933/0091 , H01L2924/00014
摘要： 실시예는발광소자, 발광소자의제조방법, 발광소자패키지및 조명시스템에관한것이다. 실시예에따른발광소자는기판; 상기기판상에발광구조물; 상기발광구조물상에형성된전극; 및상기기판의측면에구비되는광추출패턴;을포함하며, 상기광추출패턴은상기기판의물질과다른물질을포함할수 있다.

4. 发明授权

KR101720304B1 발광 소자 有权
标题翻译：发光元件
公开(公告)号：KR101720304B1
公开(公告)日：2017-03-28
申请号：KR1020100092802
申请日：2010-09-24
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 곽호상 , 임현수 , 조현경
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/44 , H01L33/40 , H01L33/42
摘要： 본발명의실시형태는발광소자에관한것이다.본발명의실시형태에따른발광소자는, 도전성기판, 및도전성기판상에배치된제1 도전층, 제1 도전층상에배치된제2 도전층, 제2 도전층상에배치된제2 반도체층, 제2 반도체층상에배치된활성층, 활성층상에배치된제1 반도체층, 및절연층을포함하는발광구조물을포함하고, 제1 도전층은, 제2 도전층, 제2 반도체층및 활성층을관통하고제1 반도체층의일정영역까지돌출하여, 제1 반도체층과전기적으로연결되도록형성된복수의비아홀을포함하고, 절연층은, 제1 도전층과제2 도전층사이, 및비아홀의측벽에배치되고, 복수의비아홀중 서로이웃하는적어도한 쌍의비아홀은높이차를갖도록형성된것을특징으로한다.
摘要翻译：根据本发明实施例的发光器件包括导电衬底和设置在导电衬底上的第一导电层，设置在第一导电层上的第二导电层，所述第二半导体层，所述第二包括发光结构2包括的半导体层的有源层，设置布置在所述有源层上的第一半导体层，以及绝缘层，设置在第二导电层上的第一导电层是液体第二导电层，所述第二通过半导体层和有源层，和突出到所述第一半导体层，第一绝缘层的预定区域，并且通过形成为使得的多个通孔的半导体层和电连接到所述第一导电层的挑战 2个导电层和通孔的侧壁，并且多个通孔中的至少一对相邻通孔形成为具有高度差。

5. 发明公开

KR1020150008717A 발광소자 모듈 审中-实审
标题翻译：发光装置模块
公开(公告)号：KR1020150008717A
公开(公告)日：2015-01-23
申请号：KR1020130083024
申请日：2013-07-15
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 임현수
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/48
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： A light emitting device module according to an embodiment includes: a light emitting device, at least two light emitting device package including a lead frame, and a connection part which connects the light emitting device packages and is made of a conductive material. One end of the connection part is inserted into the lead frame of at least one light emitting device package. The other end of the connection part is inserted into and combined with the lead frame of a light emitting device package adjacent to the light emitting device package. The light emitting device package further includes a body on which the light emitting device is disposed. The lead frame includes a first region located in the body part, and a second region exposed to the outside of the body. The connection part can be combined with the first region of the lead frame.
摘要翻译：根据实施例的发光器件模块包括：发光器件，包括引线框架的至少两个发光器件封装以及连接发光器件封装并由导电材料制成的连接部件。连接部分的一端插入至少一个发光器件封装的引线框架中。连接部分的另一端插入与发光器件封装相邻的发光器件封装的引线框架并与之组合。发光器件封装还包括其上设置有发光器件的主体。引线框架包括位于主体部分中的第一区域和暴露于主体外部的第二区域。连接部分可以与引线框架的第一区域组合。

6. 发明公开

KR1020130074510A 발광소자 审中-实审
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：KR1020130074510A
公开(公告)日：2013-07-04
申请号：KR1020110142598
申请日：2011-12-26
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 임현수 , 곽호상 , 박수익
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/26 , H01L33/382 , H01L33/387
摘要： PURPOSE: A light emitting device is provided to prevent damage due to an ESD voltage by forming a capacitor with a dielectric layer including an overlap area of 1.6 to 6.4 mm^2 with at least one of a first electrode or a second electrode. CONSTITUTION: A light emitting structure includes a first conductive semiconductor layer (122), an active layer, and a second conductive semiconductor layer (124). A first electrode includes a first electrode finger (134) and a first electrode pad (132) arranged in a first region. A second electrode includes a second electrode pad (142) and a second electrode finger (144). A dielectric layer (150) is arranged between the first and second electrode fingers in a capacitor region. An overlap area of the dielectric layer and the first and second electrode fingers is 2 to 10 % of the second semiconductor layer.
摘要翻译：目的：提供一种发光器件，用于通过形成具有包括与第一电极或第二电极中的至少一个的重叠面积为1.6至6.4mm 2的电介质层的电容器来防止由于ESD电压引起的损坏。构成：发光结构包括第一导电半导体层（122），有源层和第二导电半导体层（124）。第一电极包括布置在第一区域中的第一电极指（134）和第一电极焊盘（132）。第二电极包括第二电极焊盘（142）和第二电极指（144）。在电容器区域中的介电层（150）布置在第一和第二电极指之间。介电层和第一和第二电极指的重叠区域是第二半导体层的2至10％。

7. 发明公开

KR1020130011042A 발광소자 审中-实审
标题翻译：光发射装置
公开(公告)号：KR1020130011042A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：KR1020110071920
申请日：2011-07-20
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 임현수
IPC分类号： H01L33/14 , H01L33/36 , H01L33/46
CPC分类号： H01L33/145 , F21Y2115/10 , H01L33/10 , H01L33/22 , H01L33/36 , H01L33/405 , H01L33/42
摘要： PURPOSE: A light emitting device is provided to improve luminous efficiency by diffusely reflecting light from a light emitting structure through a reflection pattern on a reflection layer arranged in a current limit layer. CONSTITUTION: A light emitting structure(120) is formed on a substrate(110). The light emitting structure includes a first semiconductor layer(122), a second semiconductor layer(126), and an active layer(124). A first electrode(130) is formed on the first semiconductor layer. A current limit layer(150) is formed on the second semiconductor layer. A reflection layer(160) includes a reflection pattern corresponding to a pattern formed on the current limit layer. A second electrode(140) is formed on the reflection layer.
摘要翻译：目的：提供一种发光装置，以通过在布置在限流层中的反射层上的反射图案漫反射来自发光结构的光来提高发光效率。构成：在基板（110）上形成发光结构（120）。发光结构包括第一半导体层（122），第二半导体层（126）和有源层（124）。第一电极（130）形成在第一半导体层上。在第二半导体层上形成限流层（150）。反射层（160）包括对应于形成在限流层上的图案的反射图案。第二电极（140）形成在反射层上。

8. 发明公开

KR1020120031339A 발광 소자 有权
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：KR1020120031339A
公开(公告)日：2012-04-03
申请号：KR1020100092802
申请日：2010-09-24
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 곽호상 , 임현수 , 조현경
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/44 , H01L33/40 , H01L33/42
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L33/44
摘要： PURPOSE: A light emitting device is provided to improve light extraction efficiency by minimizing the loss of an active layer. CONSTITUTION: An n-type conductive layer(220) is formed on a conductive substrate(210). The n-type conductive layer includes a plurality of via holes(221A, 221B). The conductive substrate is electrically connected to an n-type semiconductor layer(240) through the via holes of the n-type conductive layer. An insulating layer(270) electrically insulates the n-type conductive layer with a p-type conductive layer(230), a p-type semiconductor layer(250), and an active layer(260). A passivation layer(280) is formed on a sidewall of a light emitting structure.
摘要翻译：目的：提供一种发光器件，通过最小化有源层的损耗来提高光提取效率。构成：在导电基板（210）上形成n型导电层（220）。 n型导电层包括多个通孔（221A，221B）。导电性基板通过n型导电层的通孔与n型半导体层（240）电连接。绝缘层（270）使n型导电层与p型导电层（230），p型半导体层（250）和有源层（260）电绝缘。钝化层（280）形成在发光结构的侧壁上。

9. 发明公开

KR1020120018620A 발광 소자 无效
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：KR1020120018620A
公开(公告)日：2012-03-05
申请号：KR1020100081578
申请日：2010-08-23
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 조현경 , 곽호상 , 임현수 , 김경화
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/44 , H01L33/40
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/40 , H01L33/44
摘要： PURPOSE: A light emitting device is provided to suppress the leakage current of an active layer by forming a passivation layer in the side wall of a light emitting structure. CONSTITUTION: A first conductive layer and a second conductive layer are formed on a conductive board. The first conductive layer comprises a via line(320A). A light emitting structure is formed on the second conductive layer. The light emitting structure comprises the second semiconductor layer, the active layer, and the first semiconductor layer(340). An insulating layer(370) is formed between the first and second conductive layers and in the sidewall of the via line. A passivation layer(380) is formed in the sidewall of the light emitting structure.
摘要翻译：目的：提供一种发光器件，通过在发光结构的侧壁中形成钝化层来抑制有源层的漏电流。构成：在导电板上形成第一导电层和第二导电层。第一导电层包括通孔线（320A）。在第二导电层上形成发光结构。发光结构包括第二半导体层，有源层和第一半导体层（340）。绝缘层（370）形成在第一和第二导电层之间和通孔线的侧壁中。钝化层（380）形成在发光结构的侧壁中。

10. 发明授权

KR101930308B1 발광 소자 有权
公开(公告)号：KR101930308B1
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：KR1020110075138
申请日：2011-07-28
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 임현수 , 곽호상
IPC分类号： H01L33/36
摘要： 실시예에 따른 발광소자는, 제1 전극층, 제1 전극층 상에 배치되며, 제1 반도체층, 제2 반도체층, 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 발광구조물, 발광구조물 상에 배치되고, 일영역이 관통되는 홀이 형성되는 기판, 및 홀에 배치되며, 발광구조물과 전기적으로 연결되는 제2 전극층을 포함한다.

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