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1. 发明专利

KR102234117B1 KR102234117B1 - Light emitting device and lighting system 有权
公开(公告)号：KR102234117B1
公开(公告)日：2021-04-01
申请号：KR1020140119920A
申请日：2014-09-11
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 김민성 , 김회준
IPC分类号： H01L33/36
摘要： 실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지, 및 조명시스템에 관한 것이다.
실시예에 따른 발광소자는 제1도전형 반도체층과, 상기 제1도전형 반도체층 아래에 배치된 제2도전형 반도체층과, 상기 제1도전형 반도체층 및 제2도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층과, 상기 제2도전형 반도체층의 저면으로부터 상기 제2도전형 반도체층과 상기 활성층을 관통하여 상기 제1도전형 반도체층의 일부를 노출하는 복수의 홀과, 상기 제2도전형 반도체층의 저면으로부터 상기 복수의 홀을 통해 상기 제1도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제1컨택 전극과, 상기 제1컨택 전극과 전기적으로 연결된 제1전극층을 포함하고, 상기 제1컨택 전극의 상면은 적어도 하나의 패턴을 포함할 수 있다.

2. 发明申请

WO2018236183A1 반도체 소자 审中-公开
公开(公告)号：WO2018236183A1
公开(公告)日：2018-12-27
申请号：PCT/KR2018/007099
申请日：2018-06-22
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 성연준 , 오현지 , 김민성 , 김병조 , 최낙준 , 김현주
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/36 , H01L33/00 , H01L33/20 , H01L33/04 , H01L33/02 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/06 , H01L33/14
CPC分类号： H01L33/00 , H01L33/02 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/62
摘要： 실시 예에 따른 반도체 소자는, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 반도체 구조물; 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극; 및 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극을 포함하고, 상기 반도체 구조물은 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 제2 전극 사이에 배치되는 제3 도전형 반도체층을 포함하고, 상기 제3 도전형 반도체층과 상기 제1 도전형 반도체층은 n형 도펀트를 포함하고, 상기 제2 도전형 반도체층은 p형 도펀트를 포함하고, 상기 제3 도전형 반도체층의 두께는 상기 제1 도전형 반도체층의 두께보다 얇고, 상기 제3 도전형 반도체층의 도펀트 농도는 상기 제1 도전형 반도체층의 도펀트 농도보다 높고, 상기 제3 도전형 반도체층의 알루미늄 조성과 상기 제1 도전형 반도체층의 알루미늄 조성의 비는 1:0.71 내지 1:3.5인 반도체 소자를 개시한다.

3. 发明申请

WO2018048275A1 반도체 소자 审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2018048275A1
公开(公告)日：2018-03-15
申请号：PCT/KR2017/009954
申请日：2017-09-11
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 성연준 , 김민성 , 이은득
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/22 , H01L33/62 , H01L33/38 , H01L33/00 , H01L33/14 , H01L33/12 , H01L33/10 , H01L33/48
摘要： 실시 예는, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 반도체 구조물; 상기 반도체 구조물 상에 배치되는 제1 절연층; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 제1 전극; 상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치되는 제2 전극; 상기 제1 전극 상에 배치되는 제1 커버전극; 상기 제2 전극 상에 배치되는 제2 커버전극; 및 상기 제1 커버전극의 상면에서 상기 제2 커버전극의 상면으로 연장되는 제2 절연층;을 포함하고, 상기 반도체 구조물은 상기 제1 전극이 배치된 상기 제1 도전형 반도체층의 상면에서 상기 활성층의 측면, 및 상기 제2 전극이 배치된 상기 제2 도전형 반도체층의 상면까지 연장되는 제1 표면을 포함하고, 상기 제1 절연층은 상기 제1 표면에서 상기 제1 전극과 이격되어 배치되고, 상기 제1 절연층은 상기 제1 표면에서, 상기 제1 반도체층의 상면과 수직한 제1 방향으로 상기 제1 커버전극과 중첩되는 반도체 소자를 포함한다.
摘要翻译：
实施方案中，第一导电类型半导体层，第二导电型半导体层，并且包括布置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层的半导体结构; 设置在半导体结构上的第一绝缘层; 设置在第一导电半导体层上的第一电极; 设置在第二导电半导体层上的第二电极; 布置在第一电极上的第一覆盖电极; 设置在第二电极上的第二覆盖电极; 和在第一盖电极在第二盖电极的上表面上延伸，其中，所述半导体结构，并且包括在所述第一电极的第一导电类型半导体层的上表面的上方的上表面上的第二绝缘层被布置的有源层，以及所述第二电极的上表面的第一侧包括一个表面，并延伸到第二导电类型半导体层的第一绝缘层设置从第一电极在所述第一表面间隔开的并且，包括半导体元件的第一绝缘层重叠与由第一表面覆盖的第一电极，所述上表面和垂直于所述第一半导体层的第一方向上。

4. 发明申请

WO2016159694A1 발광 소자 审中-公开
标题翻译：发光元件
公开(公告)号：WO2016159694A1
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：PCT/KR2016/003346
申请日：2016-03-31
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 임우식 , 김민성 , 노은우 , 박수익 , 성연준 , 최광용
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/382 , G02B6/0053 , G02B6/0055 , G02B6/0088 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/44 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L33/647
摘要： 실시 예는 패드를 통해 방열이 용이하여 열 분포가 균일한 발광 소자에 관한 것으로, 제 1 반도체층, 활성층 및 제 2 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 발광 구조물의 일측에 형성되고, 상기 제 1 반도체층과 전기적으로 연결되는 복수 개의 콘택부를 포함하는 제 1 전극; 상기 발광 구조물의 일측에 형성되고, 상기 제 2 반도체층과 전기적으로 연결되는 제 2 전극; 상기 제 1 전극과 접속된 제 1 패드; 및 상기 제 1 패드와 이격되어 상기 제 2 전극과 접속된 제 2 패드를 포함하며, 상기 복수 개의 콘택부는 상기 제 1 패드 및 제 2 패드 상에 배치된다.
摘要翻译：一个实施例涉及一种易于通过焊盘散热并具有均匀的热分布的发光元件，该发光元件包括：发光结构，其包括第一半导体层，有源层和第二半导体层; 形成在所述发光结构的一侧的第一电极，并且包括与所述第一半导体层电连接的多个接触部; 形成在所述发光结构的一侧并与所述第二半导体层电连接的第二电极; 与所述第一电极连接的第一焊盘; 以及与所述第一焊盘间隔开并与所述第二电极连接的第二焊盘，其中所述多个接触部分布置在所述第一焊盘和所述第二焊盘上。

5. 发明申请

WO2023018140A1 카메라 엑추에이터 및 이를 포함하는 카메라 장치 审中-公开
公开(公告)号：WO2023018140A1
公开(公告)日：2023-02-16
申请号：PCT/KR2022/011762
申请日：2022-08-08
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 김민성 , 김민욱
IPC分类号： G03B5/04 , G03B17/12 , H04N5/225 , H02N2/04 , H02N2/00
摘要： 본 발명의 실시예는 베이스; 상기 베이스 내에서 광축 방향으로 순서대로 배치되는 제1 렌즈 어셈블리 및 제2 렌즈 어셈블리; 및 상기 제1 렌즈 어셈블리와 상기 제2 렌즈 어셈블리를 이동시키는 구동부;를 포함하고, 상기 구동부는 상기 제1 렌즈 어셈블리를 이동시키는 제1 렌즈 구동부; 및 상기 제2 렌즈 어셈블리를 이동시키는 제2 렌즈 구동부;를 포함하고, 상기 제1 렌즈 구동부는 제1 압전부를 포함하고, 상기 제2 렌즈 구동부는 제2 압전부를 포함하고, 상기 제1 압전부는 상기 제2 압전부와 상기 광축 방향으로 어긋나게 배치되는 카메라 엑추에이터를 개시한다.

6. 发明申请

WO2018097649A1 반도체 소자 및 이를 포함하는 반도체 소자 패키지 审中-公开
公开(公告)号：WO2018097649A1
公开(公告)日：2018-05-31
申请号：PCT/KR2017/013531
申请日：2017-11-24
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 성연준 , 이용경 , 김민성 , 박수익
IPC分类号： H01L33/14 , H01L33/36 , H01L33/48
摘要： 실시 예는, 제1도전형 반도체층; 제2도전형 반도체층; 상기 제1도전형 반도체층과 제2도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층; 및 상기 제2도전형 반도체층과 활성층 사이에 배치되는 전자 차단층을 포함하고, 상기 제1도전형 반도체층은 제1방향으로 갈수록 단면이 감소하고, 상기 전자 차단층은 상기 제1방향으로 갈수록 단면이 증가하는 영역을 갖고, 상기 제1방향은 상기 제1도전형 반도체층에서 제2도전형 반도체층 방향인 반도체 소자를 개시한다.

7. 发明申请

WO2018084631A1 반도체 소자 및 이를 포함하는 반도체 소자 패키지 审中-公开
标题翻译：半导体器件和包括其的半导体器件封装
公开(公告)号：WO2018084631A1
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：PCT/KR2017/012403
申请日：2017-11-03
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 성연준 , 강기만 , 김민성 , 박수익 , 이용경 , 이은득 , 임현수
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/36 , H01L33/22 , H01L33/48 , H01L33/10 , H01L33/42
摘要： 실시 예는, 제 1 도전형 반도체층, 제 2 도전형 반도체층 및 상기 제 1 도전형 반도체층과 제 2 도전형 반도체층의 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 발광 구조물; 상기 제 1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제 1 전극; 상기 제 2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제 2 전극; 상기 제 2 전극 상에 배치되는 반사층; 및 상기 반사층 상에 배치되고, 복수의 층을 포함하는 캡핑층을 포함하고, 상기 캡핑층은 상기 반사층 상에 직접 배치되는 제 1 층을 포함하며, 상기 제 1 층은 Ti를 포함하는 반도체 소자를 개시한다.
摘要翻译：在该实施例中，第一导电类型半导体层，第二导电类型半导体层和设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层结构; 电连接到第一导电半导体层的第一电极; 电连接到第二导电半导体层的第二电极; 设置在第二电极上的反射层; 以及设置在所述反射层上并包括多个层的覆盖层，其中所述覆盖层包括直接设置在所述反射层上的第一层，所述第一层包括包含Ti的半导体器件，开始。

8. 发明申请

WO2017034356A1 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지 审中-公开
标题翻译：发光装置和包含其的发光装置包装
公开(公告)号：WO2017034356A1
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：PCT/KR2016/009469
申请日：2016-08-25
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 박수익 , 김민성 , 성연준 , 이용경 , 최광용
IPC分类号： H01L33/46 , H01L33/36
CPC分类号： H01L33/36 , H01L33/46
摘要： 실시 예는 제1도전형 반도체층, 제2도전형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층과 상기 제2도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하고, 상기 제2도전형 반도체층 및 상기 활성층을 관통하여 상기 제1도전형 반도체층의 일부 영역까지 배치되는 제1리세스 및 제2리세스를 포함하는 발광구조물; 상기 제1리세스의 내부에 배치되어 상기 제1도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 연결 전극; 상기 제2리세스의 내부에 배치되는 반사층; 및 상기 반사층과 상기 발광구조물을 전기적으로 절연하는 절연층을 포함하는 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지를 개시한다.
摘要翻译：公开了一种发光器件和包括该发光器件的发光器件封装。发光器件包括：发光结构，其具有设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的第一导电半导体层，第二导电半导体层和有源层，并且具有第一凹部和穿过所述第二导电半导体层和有源层并设置在所述第一导电半导体层的一部分区域上的第二凹部; 连接电极，其设置在所述第一凹部内并与所述第一导电半导体层电连接; 反射层，其设置在所述第二凹部内; 以及用于使反射层和发光结构电绝缘的绝缘层。

9. 发明申请

WO2019194438A1 반도체 소자 审中-公开
公开(公告)号：WO2019194438A1
公开(公告)日：2019-10-10
申请号：PCT/KR2019/003348
申请日：2019-03-22
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 성연준 , 김민성
IPC分类号： H01L33/14 , H01L33/36 , H01L33/10 , H01L33/20 , H01L33/62
摘要： 실시예는 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 반도체 구조물;상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극; 및 상기 제2 전극 하부에 배치되는 반사층;을 포함하고, 상기 제2 도전형 반도체층은, 제1 서브층; 및 상기 제1 서브층과 상기 활성층 사이에 배치되며, 상기 제1 서브층의 알루미늄(Al) 조성보다 높은 알루미늄 조성을 갖는 제2 서브층을 포함하고, 상기 반사층은 상기 제2 서브층의 저면에 접하고, 상기 제2 전극은 상기 제1 서브층과 접하는 반도체 소자를 개시한다.

10. 发明申请

WO2018212625A1 반도체 소자 및 이를 포함하는 반도체 소자 제조방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2018212625A1
公开(公告)日：2018-11-22
申请号：PCT/KR2018/005734
申请日：2018-05-18
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 성연준 , 김민성 , 김현주
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/62 , H01L33/36
CPC分类号： H01L33/02 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/22 , H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/62
摘要： 실시 예는, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하고, 상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 활성층을 관통하여 상기 제1 도전형 반도체층의 일부 영역까지 배치되는 복수 개의 리세스를 포함하는 반도체 구조물; 상기 복수 개의 리세스의 내부에 배치되어 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극; 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극; 및 상기 반도체 구조물의 가장자리에 배치되는 광흡수층을 포함하고, 상기 광흡수층과 상기 제2전극은 상기 반도체 구조물의 하부면에 배치되고, 상기 광흡수층은 상기 제2 전극보다 두꺼운 반도체 소자를 개시한다.

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