专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2021096066A1 정전 용량형 압력 센서 및 그 제조 방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2021096066A1
公开(公告)日：2021-05-20
申请号：PCT/KR2020/013689
申请日：2020-10-07
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 심우영 , 정순신 , 장기석 , 민병욱 , 황도식 , 명재민 , 김태훈 , 윤홍집 , 김태성 , 전요한
IPC分类号： G01L1/14 , G06F3/044 , G01L9/12 , C08L27/16
摘要： 본 발명은 본 발명의 일 실시예에 따른 정전 용량형 압력 센서는 MHz 대역의 전자기파를 투과시키는 전도성 고분자로 이루어지고 서로 이격된 전극층들, 상기 전극층들 사이에 배치된 제1 돌출부들을 가지는 제1 유전체층, 제2 돌출부들을 가지는 제2 유전체층을 포함하고, 제1 돌출부들과 제2 돌출부들이 서로 마주보도록 제1 유전체층 및 제2 유전체층이 적층되고, 제1 유전체층과 제2 유전체층 사이의 적어도 일부 영역에 에어갭이 형성될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 정전 용량형 압력 센서는 자기공명영상 장치와 호환 가능하고, 압력 변화에 대한 민감도가 향상될 수 있다.

2. 发明申请

WO2012020981A3 유리 기판 제조 방법 및 그 유리 审中-公开
公开(公告)号：WO2012020981A3
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：PCT/KR2011/005837
申请日：2011-08-10
申请人： 연세대학교 산학협력단 , 명재민 , 옹준걸 , 이태일
发明人： 명재민 , 옹준걸 , 이태일
IPC分类号： C03C15/00 , H01L31/042
摘要： 본 발명에 따라 제공되는 유리 기판 제조 방법은 알칼리 용액을 포함하는 불산 (HF) 또는 플루오라이드 대체 에천트 (etchant)로 유리 기판의 표면을 식각하여，상기 유리 기판의 표면에 나노크기의 기공을 갖는 다공성 구조의 층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 종래 기술과 달리， 별도의 코팅층을 형성하지도 않으며， 유해한 화학물질을 사용하지 않고， 비교적 저온에서의간단한 프로세스를 통해 반사 방지 특성, 안티포깅 특성， 초친수성 특성을 갖는 유리 기판올 제공할 수 있다. 이러한 유리 기판은 디스플레이 장치용 보호 필터， 태양전지, 이동통신 단말기， 건축물 유리， 광학 소자용 렌즈 등 높은 광투과을을 요구하는 여러 애플리케이션에 효을적으로 적용될 수 있다.

3. 发明申请

WO2012102481A2 나방눈 구조를 갖는 태양전지용 반사방지 코팅 제조 방법 및 그 코팅을 포함 하는 태양전지 审中-公开
标题翻译：用于制造具有病态结构的阳极电池的抗 - 抗 - 抗 - 涂层涂层的方法
公开(公告)号：WO2012102481A2
公开(公告)日：2012-08-02
申请号：PCT/KR2011/009644
申请日：2011-12-15
申请人： 연세대학교 산학협력단 , 명재민 , 신범기 , 이태일
发明人： 명재민 , 신범기 , 이태일
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02168 , H01L31/02363 , H01L31/02366 , Y02E10/50
摘要： 본 발명에 따라서 기판과, 상기 기판 상에 형성된 하부 전극층과, 상기 하부 전극층 상에 형성된 CIS계 재료로 이루어진 광반웅층과, 상기 광반웅층 상에 형성된 버퍼층과, 상기 버퍼층 상에 형성되어 원도우 역할을 하는 ZnO 층과, 상기 ZnO 층상에 형성된 상부 전극층을 포함하는 CIS계 태양전지용 반사 방지 코팅을 형성하는 방법이 제공된다. 상기 방법은 상기 상부 전극층과 반웅하는 반웅 화합물을 담고 있는 반웅 챔버 내에 상기 태양전지를 수직 방향으로 침지시킨 후, 상기 반응 챔버를 밀봉하고 가열하여 하이드로써멀 반웅을 일으켜, 상기 상부 전극층 상에 바텀-업 (bottom-up) 방식으로 나방눈 구조의 나노로드를 성장시켜 반사 방지 코팅을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：
在根据本发明的基板和形成在基板上的下部电极层，和由形成在该CIS系材料的光banung层，所述下部电极层，形成在光banung层上的缓冲层; 提供了一种形成用于CIS类太阳能电池的抗反射涂层的方法，所述CIS类太阳能电池包括形成在缓冲层上并用作窗口的ZnO层以及形成在ZnO层上的上电极层。该方法包括：将太阳能电池在垂直方向上浸入含有与上电极层的逆流化合物的真空室中;密封并加热反应室以产生水热反应; 并且以自下而上的方式生长mid眼结构的纳米棒以形成抗反射涂层。

4. 发明申请

WO2012020899A1 반사 방지성 유리 및 그 제조 방법 审中-公开
标题翻译：防反射玻璃及其生产方法
公开(公告)号：WO2012020899A1
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：PCT/KR2011/000982
申请日：2011-02-15
申请人： 연세대학교 산학협력단 , 명재민 , 웅준걸
发明人： 명재민 , 웅준걸
IPC分类号： C03C15/00 , C03C4/00 , H01L31/042 , B60J1/00
CPC分类号： H01L31/0392 , B60R1/04 , C03C3/078 , C03C3/087 , C03C4/0092 , C03C11/005 , C03C15/00 , C03C2204/00 , C03C2204/08 , G02B27/0006 , G02B2207/107 , G02F1/133308 , G02F2001/133302 , G06F3/041 , H01G9/20 , H01L31/02366 , Y02B10/10 , Y02E10/50 , Y10T428/1045 , Y10T428/24355 , Y10T428/249969
摘要： 본 발명에 따라서 반사 방지성 유리 기판 제조 방법이 제공되는데, (a) 유기 기판을 제공하는 단계와; (b) 상기 유리 기판을 엣칭할 수 있는 용액에 상기 유리 기판을 담지 및 에칭하여, 상기 유리 기판의 표면에 나노크기의 기공을 갖는 다공성 구조를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 종래 기술처럼, 별도의 코팅층을 형성하지도 않으며, 유해한 화학물질을 이용하지 않고, 비교적 저온에서의 간단한 프로세스를 통해 반사 방지 특성, 안티포깅 특성, 초친수성 특성을 갖는 유리 기판을 제공할 수 있다.
摘要翻译：根据本发明，提供一种抗反射玻璃基板的制造方法，其包括以下步骤：（a）提供玻璃基板; 和（b）通过使用能够蚀刻玻璃基板的溶液覆盖和蚀刻玻璃基板，在玻璃基板的表面上形成具有纳米尺度的孔的多孔结构。具有抗反射特性，抗掺杂性能和超亲水特性的玻璃基板可以通过直接的方法提供，与现有技术相比，它不涉及形成单独的涂层并且不使用有害化学物质和相对较低的温度。

5. 发明授权

KR101243792B1 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법, 이를 이용한액정표시장치 및 이의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101243792B1
公开(公告)日：2013-03-18
申请号：KR1020060057902
申请日：2006-06-27
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 차승환 , 명재민 , 정민창 , 채기성 , 박미경 , 이보현
IPC分类号： G02F1/1368 , B82Y30/00
摘要： 본 발명은 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법, 이를 이용한 액정표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 특히 박막 트랜지스터는 기판, 상기 기판 상부의 소정부위에 형성되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극을 포함한 기판 전면에 형성되는 게이트 절연막, 상기 게이트 전극 중앙 부분의 게이트 절연막 상에 형성되는 자화금속, 상기 자화 금속을 둘러싸면서 형성되고 상기 자화금속의 측면과 자장입자에 의해 결합되는 나노물질로 이루어진 반도체층, 상기 반도체층 상부의 중앙 부위에 형성된 고정판, 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 게이트 전극과 중첩되어 상기 자화금속 및 반도체층을 덮도록 형성되는 드레인 전극 및 상기 반도체층의 양측면을 덮도록 형성되는 소스 전극을 포함하여 구성됨에 그 특징이 있다.
액정표시장치, 박막트랜지스터, 나노와이어, 자화금속, 자장입자

6. 发明授权

KR101730850B1 횡전계방식 액정표시장치 有权
公开(公告)号：KR101730850B1
公开(公告)日：2017-05-12
申请号：KR1020110037376
申请日：2011-04-21
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 문홍만 , 이태일 , 명재민
IPC分类号： G02F1/1335 , G02F1/13363
摘要： 본발명은횡전계방식액정표시장치에관한것으로, 특히액정층의위상지연을보상하는광보상층을포함하는횡전계방식액정표시장치에관한것이다. 본발명의특징은횡전계방식액정표시장치의제 2 기판의외면에일축성의결정을갖는투명무기막으로이루어지는광보상층을형성하는것이다. 이를통해, 액정층의위상차를보상할수 있어, 특정한시야각에서빛샘이발생하는것을감소시켜, 콘트라스트비의저하를방지하며시야각에따른색반전을개선할수 있다. 특히, 보상필름을편광판에부착시켰던기존에비해총 편광판의부피및 무게를줄 일수 있어, 공정비용을절감할수 있으며, 다층으로이루어지는보상필름의박리현상, 뒤틀림및 얼룩등에의해위상지연값이변동하여복굴절보상에편차가발생하는것을방지할수 있다. 또한, 광보상층이도전성을갖도록함으로써, 제 2 기판이정전기나외부의전하로부터손상되는것을방지할수 있다.

7. 发明公开

KR1020120119446A 횡전계방식 액정표시장치 有权
标题翻译：平面切换模式液晶显示装置
公开(公告)号：KR1020120119446A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：KR1020110037376
申请日：2011-04-21
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 문홍만 , 이태일 , 명재민
IPC分类号： G02F1/1335 , G02F1/13363
CPC分类号： G02F1/13363 , G02F1/133528 , G02F2001/133631 , G02F2202/36 , G02F2202/40 , G02F2413/00
摘要： PURPOSE: An in-plane switching mode liquid crystal display device is provided to compensate for a phase difference. CONSTITUTION: A light compensating layer(200) is located on an external surface of a second substrate. The light compensating layer is made of a transparent inorganic film. The transparent inorganic film has a uniaxial crystallization feature. A first polarization plate(119a) is formed on an external surface of a first substrate. A second polarization plate(119b) is located on the light compensating layer.
摘要翻译：目的：提供面内切换模式液晶显示装置，以补偿相位差。构成：光补偿层（200）位于第二基板的外表面上。光补偿层由透明无机膜制成。透明无机膜具有单轴结晶特征。第一偏振板（119a）形成在第一基板的外表面上。第二偏振板（119b）位于光补偿层上。

8. 发明公开

KR1020080000252A 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법, 이를 이용한액정표시장치 및 이의 제조방법 有权
标题翻译： TFT，其制造方法，使用其的液晶显示器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020080000252A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：KR1020060057902
申请日：2006-06-27
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 차승환 , 명재민 , 정민창 , 채기성 , 박미경 , 이보현
IPC分类号： G02F1/1368 , B82Y30/00
CPC分类号： G02F1/136 , G02F1/136286 , H01L27/124 , H01L29/786
摘要： A TFT(Thin Film Transistor), a fabrication method thereof, an LCD using the same and a fabrication method thereof are provided not to require an additional process for crystallization as in a poly silicon TFT. A gate electrode(112) is formed at a predetermined portion on a substrate(111). A gate dielectric layer(113) is formed on an entire substrate including the gate electrode. A magnetization metal(116) is formed on the gate dielectric layer at a central portion of the gate electrode. A semiconductor layer(114) is formed to surround the magnetization metal, and is formed of a nano-material coupled with a side surface of the magnetization metal by a magnetic-field particle. A source electrode(120) and a drain electrode(121) are separated at both sides of the semiconductor layer at a predetermined interval.
摘要翻译：提供TFT（薄膜晶体管），其制造方法，使用该TFT的TFT及其制造方法，不需要如多晶硅TFT那样的附加结晶工艺。在基板（111）上的预定部分处形成栅电极（112）。在包括栅电极的整个基板上形成栅介质层（113）。在栅电极的中心部分的栅介质层上形成磁化金属（116）。半导体层（114）形成为围绕磁化金属，并且由与磁化金属的侧表面通过磁场粒子耦合的纳米材料形成。源电极（120）和漏电极（121）以预定间隔在半导体层的两侧分离。

9. 发明授权

KR101386562B1 불투명 전도성 산화물 박막 및 그를 이용한 액정표시장치 有权
标题翻译： OPAQUE导电氧化薄膜和液晶显示器件使用相同
公开(公告)号：KR101386562B1
公开(公告)日：2014-04-21
申请号：KR1020070100020
申请日：2007-10-04
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 김강석 , 안유경 , 오병윤 , 명재민 , 정민창
IPC分类号： G02F1/1343 , C01G15/00 , C01G19/00
摘要： 본 발명은 불투명 전도성 산화물 박막 및 그를 이용한 액정표시장치에 관한 것으로서, 특히 투명한 전도성 산화물에 전이금속이 도핑되어 광의 투과율이 저하된 박막 및 그를 이용한 화소전극과 공통전극을 구비함으로써 콘트라스트비가 향상된 액정표시장치에 관한 것이다.
이러한 본 발명에 따른 전도성 박막은, 투명한 전도성 산화물; 상기 투명한 전도성 산화물에 도핑된 전이금속; 을 포함하여 구성된다. 그리고, 상기 전도성 박막을 이용한 본 발명에 따른 액정표시장치는, 기판; 상기 기판 상에 종횡으로 교차되어 화소를 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인; 상기 화소마다 형성되며, 게이트 라인 및 데이터 라인과 접속된 박막 트랜지스터; 투명한 전도성 산화물에 불투명한 전이금속이 도핑되어 형성되며, 상기 박막 트랜지스터와 접속된 화소전극; 상기 화소마다 형성되어 화소전극과 함께 수평전계를 이루는 공통전극; 을 포함하여 구성된다. 여기서, 상기 공통전극 또한 투명한 전도성 산화물에 전이금속이 도핑되어 형성된다.
전도성 박막, 광 투과율, 액정표시장치, 화소전극, 공통전극

10. 发明公开

KR1020090034658A 불투명 전도성 산화물 박막 및 그를 이용한 액정표시장치 有权
标题翻译： OPAQUE导电氧化薄膜和液晶显示器件使用相同
公开(公告)号：KR1020090034658A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：KR1020070100020
申请日：2007-10-04
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 김강석 , 안유경 , 오병윤 , 명재민 , 정민창
IPC分类号： G02F1/1343 , C01G15/00 , C01G19/00
CPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1343 , G02F1/136286 , G09G2320/066
摘要： An opaque conductive oxide thin film doped with a transition metal and a liquid crystal display device using the same are provided to improve a contrast ratio by including a pixel electrode and a common electrode formed by an opaque conductive oxide thin film. A gate line and a data line are formed on a substrate by turns, and define a pixel. A TFT(Thin Film Transistor) is formed on pixels, and is connected to the gate line and the data line. A pixel electrode(105) is formed by doping an opaque transition metal in a transparent conductive oxide, and is connected to the TFT. A common electrode(106) is formed on pixels, forms a horizontal electric field together with the pixel electrode, and is formed by doping an opaque transition metal in a transparent conductive oxide. The transparent conductive oxide includes one among ITO(Indium Tin Oxide) and ZnO(Zinc Oxide).
摘要翻译：提供掺杂有过渡金属的不透明导电氧化物薄膜和使用其的液晶显示装置，以通过包括由不透明导电氧化物薄膜形成的像素电极和公共电极来提高对比度。栅极线和数据线被轮流形成在衬底上，并且限定像素。在像素上形成TFT（薄膜晶体管），并连接到栅极线和数据线。像素电极（105）通过在透明导电氧化物中掺杂不透明过渡金属形成，并连接到TFT。公共电极（106）形成在像素上，与像素电极一起形成水平电场，并且通过在透明导电氧化物中掺杂不透明的过渡金属形成。透明导电氧化物包括ITO（氧化铟锡）和ZnO（氧化锌）之一。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式