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1. 发明公开

KR1020170078394A 표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：显示装置用阵列基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170078394A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：KR1020150188868
申请日：2015-12-29
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 김수용 , 김영준
IPC分类号： H01L51/52 , G02F1/1368 , G02F1/1362 , H01L29/786 , H01L21/027 , H01L21/311
摘要： 본발명은, 화소를포함하는기판과, 상기기판상부에배치되고, 테이퍼형상을갖는차광층과, 상기차광층상부에배치되고, 액티브층, 게이트전극, 소스전극및 드레인전극을포함하는박막트랜지스터와, 상기기판상부에배치되고, 서로교차하여상기화소를정의하는게이트배선및 데이터배선을포함하고, 상기소스전극및 상기드레인전극은각각콘택홀을통하여상기액티브층에연결되고, 상기차광층은상기콘택홀영역을제외한상기액티브층하부에배치되는표시장치용어레이기판을제공하는데, 차광층을콘택홀이형성되는부분을제외한액티브층하부에형성함으로써, 콘택홀을통한전극과차광층의단락을방지하여수율이개선되고제조비용이절감되고표시품질이개선된다.
摘要翻译：一种薄膜晶体管，包括设置在所述遮光层上并设置在所述基板上并具有锥形形状的有源层，栅电极，源电极和漏电极，以及栅极布线和数据布线，设置在所述基板上并且限定所述像素彼此交叉，其中所述源极和漏极分别通过接触孔连接到所述有源层，其中遮光层形成在除了形成接触孔的部分之外的有源层之下，由此通过接触孔在电极和遮光层之间短路从而提高产量，降低制造成本，并提高显示质量。

2. 发明公开

KR1020120002885A 박막 태양전지 검사 시스템 및 이를 이용한 박막 태양전지의 검사방법 无效
标题翻译：用于检查薄膜太阳能电池的系统和使用该膜的薄膜太阳能电池的检查方法
公开(公告)号：KR1020120002885A
公开(公告)日：2012-01-09
申请号：KR1020100063622
申请日：2010-07-01
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 이정우 , 김정열 , 김해열 , 김영준 , 임광영 , 김동주
IPC分类号： H02S50/10
CPC分类号： H02S50/10 , G01N21/88 , H01L31/042 , H01L31/0445 , H01L31/0504 , H01L31/16 , H01L31/18 , Y02E10/50
摘要： PURPOSE: A thin film solar cell check system and a method for inspecting a thin film solar cell using the same are provided to improve yield by estimating and analyzing the cause of a failure and utilizing repair technology. CONSTITUTION: A thin film solar cell(115) module is loaded in a table(130). A light source(150) irradiates sunlight of 100mW/cm^2 to the surface of the thin film solar cell module. A shadow mask(170) regionally covers the thin film solar cell module by successively scanning the surface of the thin film solar cell module to perpendicularity and horizontal directions. A measuring instrument(160) measures an output according to the shadow mask and the scan of the shadow mask.
摘要翻译：目的：提供薄膜太阳能电池检查系统和使用其的薄膜太阳能电池的检查方法，以通过估计和分析故障原因并利用修理技术来提高产量。构成：将薄膜太阳能电池（115）模块装载在工作台（130）中。光源（150）将100mW / cm 2的太阳光照射到薄膜太阳能电池模块的表面。通过将薄膜太阳能电池模块的表面依次扫描到垂直和水平方向，区域地覆盖薄膜太阳能电池模块。测量仪器（160）根据荫罩和荫罩的扫描来测量输出。

3. 发明授权

KR102126551B1 박막 트랜지스터의 리페어 방법 有权
公开(公告)号：KR102126551B1
公开(公告)日：2020-06-24
申请号：KR1020140101443
申请日：2014-08-07
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 김영준 , 심재승 , 김수용 , 송창욱
IPC分类号： H01L27/32

4. 发明公开

KR1020160066664A 산화물 박막트랜지스터 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：氧化物薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160066664A
公开(公告)日：2016-06-13
申请号：KR1020140170764
申请日：2014-12-02
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 김영준 , 신우섭 , 박상무
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/78606
摘要： 본발명은산화물박막트랜지스터및 그제조방법에관한것으로, 본발명의박막트랜지스터는, 절연기판상에배치되는제1 광차단층; 상기제 1 광차단층이구비된절연기판의전면에배치되는버퍼층; 상기버퍼층상에배치되는액티브층; 상기액티브층상에배치되는게이트절연막; 상기게이트절연막상에배치되는게이트전극; 상기게이트전극이구비된절연기판의전면에배치되며, 상기액티브층의일부영역을노출시키는콘택홀과, 제 2 광차단층을형성하기위한트렌치를포함하는층간절연막; 상기콘택홀에의해액티브층과전기적으로연결되는소스/드레인전극; 및상기게이트전극의적어도일 측면에위치하며, 상기트렌치를통해층간절연막을관통하도록구비되는제2광차단층을포함한다.
摘要翻译：本发明涉及一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法。所述氧化物薄膜晶体管包括：设置在绝缘基板上的第一遮光层; 缓冲层，设置在具有第一遮光层的绝缘基板的前表面上; 设置在缓冲层上的有源层; 设置在有源层上的栅极绝缘层; 设置在所述栅极绝缘层上的栅电极; 设置在绝缘基板的前表面上的层间绝缘层，其中设置有栅极，并且包括用于暴露有源层的部分区域的接触孔和形成第二遮光层的沟槽; 通过接触孔与有源层电连接的源极/漏极; 并且所述第二遮光层位于所述栅电极的至少一侧并经由所述沟槽穿过所述层间绝缘层。

5. 发明公开

KR1020160017892A 박막 트랜지스터의 리페어 방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管修复方法
公开(公告)号：KR1020160017892A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：KR1020140101443
申请日：2014-08-07
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 김영준 , 심재승 , 김수용 , 송창욱
IPC分类号： H01L27/32
CPC分类号： H01L27/3244 , H01L2251/568
摘要： 본발명은평면형박막트랜지스터의게이트절연막계면에흡착된입자에의해발생한전류통로로인한누설전류불량리페어에관한것으로서, 누설전류불량을해결하여상기평면형박막트랜지스터의수율을개선하여유기발광표시장치의수율을향상시키는것을그 목적으로한다. 이를위하여상기박막트랜지스터의게이트전극에제 1 전압을인가하고, 상기박막트랜지스터의소스또는드레인전극에제 2 전압을인가하여, 상기전도성이물로인하여생긴전류통로에과전류를흐르게하여전기적스트레스로인한터짐현상을일으키는방법을제공한다. 상기터짐현상이일어난후에상기구동트랜지스터는정상동작한다.
摘要翻译：本发明涉及由吸附在平板型薄膜晶体管的栅极绝缘体界面上的颗粒产生的电流路径导致的漏电流故障的修复。本发明解决了漏电流故障，提高了扁平型薄膜晶体管的产量，以提高有机发光二极管显示器的产量。为此，本发明提供了一种方法，该方法包括向薄膜晶体管的栅电极施加第一电压，向薄膜晶体管的源电极或漏电极施加第二电压，并引起由于电通过允许过电流在由导电异物产生的电流路径中流动的应力。驱动晶体管在爆炸发生后通常运行。

6. 发明公开

KR1020150034077A 어레이 기판 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：阵列基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150034077A
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：KR1020140076346
申请日：2014-06-23
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 김영준
IPC分类号： G02F1/136 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78633 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要： 본발명은, 소자영역을포함하는다수의화소영역이정의된기판상의상기각 소자영역에구비된차광패턴과; 상기차광패턴위로상기기판전면에형성되며상기차광패턴의일 끝단을노출시키는제 1 콘택홀이구비된버퍼층과; 상기버퍼층위로상기차광패턴과중첩하며형성되며상기제 1 콘택홀을통해상기차광패턴과접촉하는산화물반도체층과; 상기산화물반도체층위로순차적층형성된게이트절연막및 게이트전극과; 상기게이트전극위로상기기판전면에형성되며상기게이트전극양측에위치하는상기산화물반도체층의양 끝단을각각노출시키는제 1 및제 2 반도체층콘택홀이구비된층간절연막과; 상기층간절연막위로상기제 1 및제 2 반도체층콘택홀을통해상기산화물반도체층과각각접촉하며, 서로이격하며형성된소스전극및 드레인전극을포함하며, 상기제 1 또는제 2 반도체층콘택홀중 어느하나와상기제 1 콘택홀과는중첩형성된것이특징인어레이기판및 이의제조방법을제공한다.
摘要翻译：本发明提供一种阵列基板及其制造方法，其特征在于以下部件：在PCB的每个器件区域上实现的屏蔽图案，其中限定了包括器件区域的多个像素区域; 具有第一接触孔的缓冲层，其形成在整个PCB上并且暴露屏蔽图案的端部;氧化物半导体层，其通过与屏蔽图案重叠而形成，并通过第一收缩孔与屏蔽图案接触 ; 堆叠在所述氧化物半导体层的顶部上的栅极层和电极; 在整个PCB上的栅电极的顶部形成具有用于第一半导体层的接触孔和露出氧化物半导体层的两端的第二半导体层的层间绝缘层; 以及源极电极和漏极，其通过第一半导体接触孔和第二半导体接触孔与层间绝缘层的顶部与氧化物半导体层接触。最后，该阵列的特征在于第一半导体层接触孔或第二半导体接触孔与第一接触孔之间的重叠。

7. 发明公开

KR1020150015142A 유기발광 다이오드 표시장치의 제조방법 审中-实审
标题翻译：用于制造有机发光二极管显示器的方法
公开(公告)号：KR1020150015142A
公开(公告)日：2015-02-10
申请号：KR1020130090778
申请日：2013-07-31
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 김영준
IPC分类号： H01L51/52 , H05B33/22 , H05B33/10
CPC分类号： H01L51/56 , H01L51/5203 , H05B33/10 , H05B33/22
摘要： 본 발명은 유기발광 다이오드 표시장치의 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 유기발광 다이오드 표시장치의 제조방법은, 유기발광 다이오드 영역과 스토리지 커패시터 영역이 구획된 기판을 제공하는 단계; 상기 기판 상에 제1 게이트 전극 및 제1 스토리지 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 게이트 전극이 형성된 기판 상에 제1 게이트 절연막과 산화물 반도체로층을 형성하고, 상기 제1 게이트 전극과 대응되는 제1 게이트 절연막 상에 액티브층과 상기 제1 스토리지 전극과 대응되는 제1 게이트 절연막 상에 액티브 패턴을 형성하는 단계; 상기 액티브층이 형성된 기판 상에 제2 게이트 절연막을 형성하고, 상기 액티브층과 대응되는 제2 게이트 절연막 상에 쉴드패턴을 형성한 다음, 광조사 또는 플라즈마 처리를 진행하여 상기 액티브 패턴을 전도도를 향상시켜 제2 스토리지 전극으로 형성하는 단계; 상기 제2 게이트 절연막이 형성된 기판 상에 금속막을 형성하여, 상기 액티브층과 대응되는 제2 게이트 절연막 상에 제2 게이트 전극을 형성하고, 상기 스토리지 커패시터 영역에서는 상기 제2 스토리지 전극과 대응되는 제2 게이트 절연막 상에 제3 스토리지 전극을 형성하는 단계; 상기 제2 게이트 전극이 형성된 기판 상에 층간절연막을 형성한 다음, 콘택홀 공정을 진행한 후, 상기 채널층과 전기적으로 접속되는 소스/드레인 전극을 형성하며, 상기 제 3 스토리지 전극과 대응되는 층간절연막 상에는 제4 스토리지 전극을 형성하는 단계; 및 상기 소스/드레인 전극이 형성된 기판 상에 보호막을 형성한 다음, 상기 제4 스토리지 전극과 대응되는 보호막 상에 제5 스토리지 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
摘要翻译：本发明涉及一种有机发光二极管显示装置的制造方法。有机发光二极管显示装置的制造方法包括以下步骤：提供划分为有机发光二极管区域和存储电容器区域的基板; 在所述基板上形成第一栅电极和第一存储电极; 以及在所述基板上与所述第一栅电极形成氧化物半导体通路层和第一栅极绝缘膜，并且在对应于所述第一栅电极的第一栅极绝缘膜上形成有源层，同时在所述第一栅极绝缘膜上形成相应的有源图案到第一存储电极。

8. 发明公开

KR1020140097856A 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그의 제조방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140097856A
公开(公告)日：2014-08-07
申请号：KR1020130010491
申请日：2013-01-30
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 김영준 , 정기영 , 한화동
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/50
CPC分类号： H01L27/3262 , H01L27/1225 , H01L29/78618 , H01L29/78648 , H01L29/7869
摘要： An embodiment of the present application relates to a thin film transistor array substrate, defining a plurality of pixel areas corresponding to a display area, comprising: a semiconductor layer which includes a sensing transistor formed at an intersection between a sense line and a reference line, wherein the sensing transistor is formed on a first gate insulation film, an active area overlapped with at least a portion of a first gate electrode, source and drain areas at either side of the active area, and an elongation area extended in a direction parallel with the sense line in the source area; a second gate insulation film formed on the active area; and a second gate electrode formed on the second gate insulation film. The sensing transistor is covered by an interlayer insulation film formed on a front surface over the first gate insulation film. The reference line is formed on the interlayer insulation film, and is connected to an elongated source area through a first contact hole, which penetrates the interlayer insulation film such that a portion of the elongation area is exposed.
摘要翻译：本申请的一个实施方案涉及限定对应于显示区域的多个像素区域的薄膜晶体管阵列基板，包括：半导体层，其包括形成在感测线和参考线之间的交叉点处的感测晶体管，其中所述感测晶体管形成在第一栅极绝缘膜上，与所述有源区域的任一侧的第一栅电极的至少一部分，源极和漏极区域以及与所述有源区域的平行方向延伸的延伸区域重叠的有源区域源区感知线; 形成在有源区上的第二栅极绝缘膜; 以及形成在第二栅极绝缘膜上的第二栅电极。感测晶体管被形成在第一栅极绝缘膜上的前表面上的层间绝缘膜覆盖。参考线形成在层间绝缘膜上，并且通过第一接触孔连接到细长的源极区域，该第一接触孔穿透层间绝缘膜，使得伸长区域的一部分露出。

9. 发明公开

KR1020120075100A 태양전지 및 이의 제조방법 无效
标题翻译：太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120075100A
公开(公告)日：2012-07-06
申请号：KR1020100137135
申请日：2010-12-28
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 김영준 , 김정열 , 이정우 , 임광영 , 김동주 , 이정원
IPC分类号： H01L31/075 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/075 , H01L31/04 , H01L31/18
摘要： PURPOSE: A solar battery and a manufacturing method thereof are provided to maximize efficiency of the solar battery by reducing the influence of a grain boundary obstructing the movement of an electric charge. CONSTITUTION: A first transparent electrode(120) is patterned on a transparent substrate(110). A p-type semiconductor layer(130) is formed on the first transparent electrode which includes the first transparent electrode. An intrinsic semiconductor layer(140) is formed on the p-type semiconductor layer. An n-type semiconductor layer(150) is formed on the intrinsic semiconductor layer. A catalyst metal layer(160) is formed on the n-type semiconductor layer. A second transparent electrode(170) is formed on the catalyst metal layer.
摘要翻译：目的：提供太阳能电池及其制造方法，以通过减少阻碍电荷移动的晶界的影响来最大化太阳能电池的效率。构成：将第一透明电极（120）图案化在透明衬底（110）上。在包括第一透明电极的第一透明电极上形成p型半导体层（130）。本征半导体层（140）形成在p型半导体层上。在本征半导体层上形成n型半导体层（150）。催化剂金属层（160）形成在n型半导体层上。在催化剂金属层上形成第二透明电极（170）。

10. 发明公开

KR1020120055921A 광전소자 및 그를 포함하는 광전모듈 无效
标题翻译：光电元件和光电模块包括它们
公开(公告)号：KR1020120055921A
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：KR1020100117377
申请日：2010-11-24
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 김영준 , 김정열 , 이정우 , 김재현 , 임광영 , 박세희 , 김동주 , 이정원
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/04
摘要： PURPOSE: A photoelectric device and a photoelectric module including the same are provided to prevent the energy-level change of a semiconductor layer due to the diffusion of oxygen, thereby improving reliability of the device. CONSTITUTION: A first electrode(120) is formed on a substrate(110) to have transparency and conductivity. A photoelectric layer(130) is located on a transmission electrode. The photoelectric layer comprises a plurality of light absorption layers(131,132) and an interfacial layer(133). The interfacial layer is formed with nano-sized metal particles between the light absorption layers. A second electrode(140) is located on the photoelectric layer.
摘要翻译：目的：提供一种光电器件和包括该光电器件的光电模块，以防止氧气扩散引起的半导体层的能级变化，从而提高器件的可靠性。构成：第一电极（120）形成在基板（110）上以具有透明度和导电性。光电层（130）位于透射电极上。光电层包括多个光吸收层（131,132）和界面层（133）。界面层在光吸收层之间由纳米尺寸的金属颗粒形成。第二电极（140）位于光电层上。

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