专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

KR102227857B1 KR102227857B1 - Horizontal Electric Field type Liquid Crystal Display Device and Method of Manufacturing Common Electrodes and Pixel Electrodes thereof 有权
公开(公告)号：KR102227857B1
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：KR1020140173280A
申请日：2014-12-04
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 김강일 , 최혁 , 한예슬 , 박해준
IPC分类号： G02F1/1343
CPC分类号： G02F1/1343 , G02F1/134309 , G02F1/134318
摘要： 본 발명은 낮은 구동전압으로도 액정층에 충분한 수평전계를 형성시킬 수 있고, 빛샘을 방지할 수 있는 액정 표시장치에 관한 것으로, 액정층을 사이에 두고 서로 대향 배치된 제 1 기판 및 제 2 기판, 제 1 기판 상의 제 1 및 제 2 구조체들, 및 제 1 및 제 2 구조체들 각각의 상하면에 배치되어 서로 이격되는 상부전극들 및 하부전극들을 포함한다. 제 1 및 제 2 구조체들은 제 1 기판 상에 서로 나란하게 배치된다. 각각의 상부전극과 각각의 하부전극은 상기 제 1 및 제 2 구조체들 각각의 일단부에서 전기적으로 서로 연결된다.

2. 发明授权

KR102067967B1 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102067967B1
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：KR1020130109320
申请日：2013-09-11
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 김강일 , 최한나
IPC分类号： G02F1/1343 , G02F1/1362 , G02F1/1368

3. 发明授权

KR102001056B1 산화물 박막트랜지스터를 포함하는 어레이 기판 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102001056B1
公开(公告)日：2019-07-17
申请号：KR1020120081628
申请日：2012-07-26
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 이정일 , 김강일
IPC分类号： G02F1/136 , H01L29/786

4. 发明授权

KR101848496B1 고투과 수평 전계형 액정표시장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：高度透明的水平电场型液晶显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR101848496B1
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：KR1020100099268
申请日：2010-10-12
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 홍기상 , 김정오 , 김강일 , 방정호
IPC分类号： G02F1/1343
摘要： 본발명은광 투과율이높은수평전계형액정표시장치및 그제조방법에관한것이다. 본발명에의한고투과수평전계형액정표시장치제조방법은, 기판위에투명도전층과게이트금속층을증착하고, 제1 마스크공정으로게이트요소및 장방형공통전극을형성하는단계; 상기게이트요소와상기공통전극이형성된상기기판위에게이트절연막, 반도체층, 불순물반도체층그리고소스-드레인금속층을연속으로증착하고, 제2 마스크공정으로박막트랜지스터를형성하는단계; 상기박막트랜지스터가형성된상기기판위에보호막을증착하고, 상기보호막과상기게이트절연막을제3 마스크공정으로상기장방형의공통전극을다수개의선분들이서로평행하게배열된빗살패턴공통전극으로형성하는단계; 상기빗살패턴공통전극이형성된기판전면에투명전극물질을증착하고, 리프트-오프공정으로상기빗살패턴공통전극의사이사이에화소전극을형성하는단계를포함한다. 본발명은고 투과율을갖는수평전계액정표시장치를간단한제조공정과저렴한비용으로제조할수 있다.
摘要翻译：本发明涉及具有高透光率的水平电场型液晶显示装置及其制造方法。，移动到传输水平jeongyehyeong方法用于制造本发明的液晶显示装置包括沉积透明导电层和在衬底上的栅极金属层，形成第一栅极元件和由所述第一掩模工艺的矩形公共电极的工序; 形成沉积在连续的漏极金属层，所述薄膜晶体管是第二掩模工艺，在所述栅极元件和所述衬底栅极上的公共电极的绝缘膜被形成，该半导体层，所述杂质半导体层与所述源极; 在衬底上沉积一个钝化层的薄膜晶体管被形成，并形成在所述保护膜和栅极绝缘第二多个段的膜平行布置成彼此，矩形的第三掩模工艺梳图案公共电极的公共电极; 在形成有梳齿形公共电极的基板的整个表面上沉积透明电极材料，并且在剥离过程中在梳形图案公共电极之间形成像素电极。本发明能够以简单的制造工艺和低成本制造具有高透射率的水平电场液晶显示装置。

5. 发明公开

KR1020170122887A 표시장치 审中-实审
标题翻译：显示设备
公开(公告)号：KR1020170122887A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：KR1020160051496
申请日：2016-04-27
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 한예슬 , 김가경 , 김강일 , 김원두
IPC分类号： G09G3/36 , G09G3/20
摘要： 본발명은표시장치에관한것으로, 본발명의표시장치는전면구동모드에서표시패널의메인표시부와보조표시부의픽셀들에입력영상의데이터를기입하고, 상시구동모드에서상기보조표시부의픽셀들에만미리설정된정보의데이터를기입하는표시패널구동회로를포함한다. 상기보조표시부의픽셀들중 적어도일부가반사형픽셀들또는반투과형픽셀들이다.
摘要翻译：本发明的显示装置在前驱动模式下将输入图像的数据写入显示面板的主显示部分和辅助显示部分的像素，以及用于写入预设信息的数据的显示面板驱动电路。辅助显示器的至少一些像素是反射像素或透反射像素。

6. 发明公开

KR1020170081070A 수평 전계형 액정 표시장치 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：水平电场型液晶显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170081070A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：KR1020150191799
申请日：2015-12-31
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 김원두 , 김가경 , 김강일 , 한예슬
IPC分类号： G02F1/1343 , G02F1/1368 , G02F1/1362
摘要： 본발명은박막트랜지스터의채널길이를줄이면서도배선의저항을줄일수 있는수평전계형액정표시장치및 그제조방법에관한것으로, 서로교차하도록배치되는게이트라인들및 데이터라인들, 박막트랜지스터들, 화소전극들및 공통전극들을포함한다. 박막트랜지스터들은상기게이트라인들및 상기데이터라인들의교차부에인접하여배치된다. 화소전극들은상기박막트랜지스터를통해상기데이터라인에연결되고, 상기게이트라인들및 상기데이터라인들에의해정의되는화소영역들에각각배치된다. 공통전극은상기화소전극들과수평전계를형성하도록배치된다. 데이터라인들의각각은진성반도체영역을사이에두고배치된제 1 불순물반도체영역및 제 2 불순물반도체영역을포함하는반도체층의제 1 불순물반도체영역, 제 1-1 금속층, 및제 2 금속층으로이루어진다. 박막트랜지스터의소스전극은상기반도체층의제 1 불순물반도체영역, 및상기제 1 금속층으로이루어진다. 박막트랜지스터의드레인전극은상기반도체층의제 2 불순물반도체영역, 및상기제 1-1 금속층으로부터이격된제 1-2 금속층으로이루어진다.
摘要翻译：本发明涉及一种水平jeongyehyeong液晶显示装置及其制造以降低布线电阻，同时降低了TFT的方法的信道长度，栅极线和数据线，薄膜晶体管被布置为彼此交叉，像素电极和普通电极。薄膜晶体管设置在栅极线和数据线的交叉点附近。像素电极通过薄膜晶体管连接到数据线，并且分别布置在由栅极线和数据线限定的像素区域中。公共电极被布置为与像素电极形成水平电场。所述数据线中的每一个的第一杂质半导体区域形成，所述第一 - 第一金属层，含有位于本征半导体区的第一杂质半导体区和所述第二杂质半导体区域之间的地方的半导体层的mitje第二金属层。薄膜晶体管的源电极由半导体层的第一杂质半导体区域和第一金属层构成。薄膜晶体管的漏电极由半导体层的第二杂质半导体区域和与第一金属层隔开的第一 - 第二金属层构成。

7. 发明公开

KR1020170033929A 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170033929A
公开(公告)日：2017-03-28
申请号：KR1020150131420
申请日：2015-09-17
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 김강일 , 김하예 , 박찬수
IPC分类号： G02F1/1368 , H01L29/786 , G02F1/1333 , G02F1/1362
CPC分类号： H01L27/124 , H01L27/1248
摘要： 본발명에의한박막트랜지스터기판은제1 전극, 제2 전극, 제3 전극, 및제4 전극을포함한다. 하나의공유콘택홀을통해, 제1 전극과제2 전극이연결되고, 제3 전극과제4 전극이연결된다. 공유콘택홀은적어도하나이상적층된절연막을관통한다. 공유콘택홀내에서, 제1 전극과제2 전극의연결부분과, 제3 전극과제4 전극의연결부분중 적어도하나이상의연결부분아래에위치하는절연막은언더컷구조를갖는다.
摘要翻译：根据本发明的薄膜晶体管基板包括第一电极，第二电极，第三电极和第四电极。第一电极任务2电极通过一个共享的接触孔连接，并且第四电极任务连接到第三电极任务。共用的接触孔穿透堆叠的绝缘膜中的至少一个。在共用接触孔中，位于第一电极任务2电极的连接部分和第四电极任务电极4的连接部分的至少一个连接部分下面的绝缘膜具有底切结构。

8. 发明授权

KR101720524B1 액정표시장치 및 그 제조방법 有权
标题翻译：液晶显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR101720524B1
公开(公告)日：2017-03-28
申请号：KR1020100053387
申请日：2010-06-07
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 이정일 , 정인재 , 김강일
IPC分类号： G02F1/1343 , G02F1/1362
CPC分类号： G02F1/13624 , G02F1/133371 , G02F1/133514 , G02F1/1341 , G02F1/134363 , G02F1/1368 , G02F2001/136236 , G02F2001/13629
摘要： 본발명의일 예는서로대향하는제1 기판과제2 기판, 및상기양 기판사이에형성된액정층을포함하여이루어진액정표시장치및 그제조방법에관한것이다. 본발명의일 예에따른액정표시장치의적색서브픽셀의셀갭은청색서브픽셀의셀갭보다크다. 본발명의일 예에따른액정표시장치는서브픽셀별로최적의셀갭을갖도록설계함으로써, 색상별광 투과율이증진되는효과가있다.
摘要翻译：本发明的一个示例涉及一种液晶显示装置，其包括彼此面对的第一基板任务2基板和在两基板之间形成的液晶层及其制造方法。根据本发明示例性实施例的液晶显示装置的红色子像素的单元间隙大于蓝色子像素的单元间隙。根据本发明的示例性实施例的液晶显示装置被设计为针对每个子像素具有最佳单元间隙，由此增强颜色透光率。

9. 发明公开

KR1020160083793A 백색 계조를 나타내는 곡선부를 구비한 원형 표시장치 审中-实审
标题翻译：圆形显示有弯曲线代表白色水平
公开(公告)号：KR1020160083793A
公开(公告)日：2016-07-12
申请号：KR1020150116633
申请日：2015-08-19
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 이종범 , 김강일 , 이주연 , 남대현 , 정성훈 , 김시현 , 조성준
IPC分类号： H01L27/32
摘要： 본발명은백색계조를온전히표현할수 있는곡선부를구비한원형표시장치에관한것이다. 본발명에의한원형표시장치는, 기판, 제1 단위화소, 제2 단위화소를포함한다. 기판은, 표시영역과비 표시영역을구분하는곡선형테두리를구비한다. 제1 단위화소는, 곡선형테두리를따라표시영역내에서매트릭스방식으로배치된다. 제2 단위화소는, 제1 단위화소와곡선형테두리사이의표시영역에, 제1 단위화소의일측에배치되며, 제1 단위화소이하의크기를갖는다.
摘要翻译：圆形显示装置技术领域本发明涉及一种具有代表完整白色水平的曲线的圆形显示装置。根据本发明的圆形显示装置包括基板，第一单位像素和第二单位像素。基板包括被分为显示部分和非显示部分的弯曲型边缘。第一单位像素沿着弯曲型边缘在显示区域中以基质类型排列。第二单位像素布置在第一单位像素的一侧，在第一单位像素和弯曲型边缘之间的显示区域中，并且具有比第一单位像素更小的尺寸。因此，可以提供各种形状的圆形显示装置。

10. 发明公开

KR1020140055495A 초고휘도 백 라이트 유닛을 사용하는 평판 표시장치용 박막 트랜지스터 기판 审中-实审
标题翻译：具有超高亮度背光灯的平板显示器的薄膜晶体管基板
公开(公告)号：KR1020140055495A
公开(公告)日：2014-05-09
申请号：KR1020120122472
申请日：2012-10-31
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 김강일 , 이정일 , 정의현 , 이철환
IPC分类号： G02F1/1368 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1218 , H01L27/124 , H01L29/78603
摘要： The present invention relates to a thin film transistor substrate for a flat panel display using an ultra-high brightness backlight unit. The thin film transistor substrate for the flat panel display using the ultra-high brightness unit according to the present invention includes: a substrate; a gate wire and a data wire which are orthogonal to each other by interposing a gate insulation layer on the substrate; a recess part which is formed under the gate wire in an intersection between the gate wire and the data wire; and a thin film transistor which is formed in the inner space of the recess part and is connected to the gate wire and the data wire. The present invention provides the thin film transistor which has high productivity and maintains high properties in an ultra-high brightness environment like HUD with low costs.
摘要翻译：本发明涉及一种使用超高亮度背光单元的平板显示器用薄膜晶体管基板。根据本发明的使用超高亮度单元的平板显示器用薄膜晶体管基板包括：基板; 通过在基板上插入栅极绝缘层而彼此正交的栅极线和数据线; 形成在栅极线下方的栅极线与数据线之间的交叉点的凹部; 以及薄膜晶体管，其形成在所述凹部的内部空间中并连接到所述栅极线和所述数据线。本发明提供了具有高生产率的薄膜晶体管，并且在诸如HUD的超高亮度环境中保持高性能，成本低。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式