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1. 发明专利

KR20210028310A KR20210028310A - Marker layout method for optimizing the overlay alignment in semiconductor device 审中-公开
公开(公告)号：KR20210028310A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：KR1020190108778A
申请日：2019-09-03
申请人： 연세대학교 산학협력단 , 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김창욱 , 이기범 , 김성재 , 전송이
IPC分类号： G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/67 , H01L21/68
CPC分类号： G03F7/70633 , G03F7/70683 , G03F7/70775 , G03F9/7046 , G03F9/7084 , H01L21/67282 , H01L21/682
摘要： 본 발명에 따른 반도체 소자의 마커 배치 방법은 복수의 필드를 포함하는 웨이퍼에 있어서 제1 적합도 함수를 이용하여, 하나의 필드에 사용되는 마커들의 수를 결정하는 단계와, 마커들 사이의 거리 정보를 고려한 마커 확률 분포를 계산하고, 사용이 결정된 수의 마커들이 필드에 배치되는 위치를 결정하는 단계와, 제2 적합도 함수를 이용하여 최종 마커 레이아웃의 성능을 평가하는 단계를 포함한다.
본 발명은 이와 같은 마커 레이아웃에 대한 최적화 접근법을 제공하여 마커 레이아웃의 품질을 향상시키고, 실험 웨이퍼들의 오버레이 오차 예측값과 마커 위치들의 비균질성을 최소화할 수 있는 마커 레이아웃을 생성해 냄으로써, 추후의 새로운 웨이퍼들에 대해서 오버레이 오차 예측 측면에서 강건한 성능을 보장할 수 있다.

2. 发明申请

WO2015046794A1 식각액 조성물, 및 이를 이용한 금속 배선과 박막 트랜지스터 기판 형성 방법 审中-公开
标题翻译：用于形成金属线和薄膜晶体管基板的蚀刻组合物和方法
公开(公告)号：WO2015046794A1
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：PCT/KR2014/008593
申请日：2014-09-16
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김인배 , 정종현 , 문영민 , 박홍식 , 김규포 , 서원국 , 신현철 , 이기범 , 조삼영 , 한승연
IPC分类号： C23F1/16 , C23F1/18
CPC分类号： H01L21/30604 , C23F1/18 , H01L21/32134 , H01L27/124 , H01L29/45
摘要： 본 발명의 일 실시예에 따른 식각액 조성물은 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.5중량% 내지 20중량%의 과황산염, 0.01중량% 내지 1중량%의 불소 화합물, 1중량% 내지 약 10중량%의 무기산, 0.01중량% 내지 2중량%의 아졸계 화합물, 0.1중량% 내지 5중량%의 염소 화합물, 0.05중량% 내지 3중량%의 구리염, 0.01중량% 내지 5중량%의 항산화제 또는 상기 항산화제의 염, 및 전체 조성물의 총 중량이 100중량%가 되도록 하는 물을 포함한다. 식각액 조성물은 구리를 포함하는 금속막을 식각하여 금속 배선을 형성하거나 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 제조시에 사용될 수 있다.
摘要翻译：根据本发明实施方案的蚀刻剂组合物包含：基于蚀刻剂组合物的总重量，0.5重量％至20重量％的过硫酸盐，0.01重量％至1重量％的氟化合物，1重量％至约 10重量％的无机酸，0.01重量％〜2重量％的唑类化合物，0.1重量％〜5重量％的氯化合物，0.05重量％〜3重量％的铜盐，0.01重量％〜5重量％ wt％的硫酸化剂或硫酸盐的盐，以及其重量使整个组合物的总重量达到100wt％的水。蚀刻剂组合物可以用于形成金属线或者通过蚀刻含有铜的金属膜来制造薄膜晶体管基板。

3. 发明申请

WO2014098392A1 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 审中-公开
标题翻译：金属膜蚀刻溶液组合物和使用相同的蚀刻方法
公开(公告)号：WO2014098392A1
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：PCT/KR2013/011158
申请日：2013-12-04
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 이명한 , 구병수 , 조삼영 , 이기범
IPC分类号： C23F1/18 , C23F1/30
CPC分类号： C23F1/18 , C23F1/38 , C23F1/44 , H01L21/32134 , H01L29/45 , H01L29/458
摘要： 구리막 및 인듐틴산화막의 이중막 또는 구리막 및 금속막의 이중막을 동시에 식각할 수 있는 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법이 개시된다. 상기 식각액 조성물은, 5 내지 20 중량%의 과산화수소, 0.1 내지 5 중량%의 술폰산 화합물, 0.1 내지 2 중량%의 카보닐계 유기산 화합물, 0.1 내지 0.4 중량%의 불소 화합물, 0.01 내지 3 중량%의 아졸계 화합물, 및 나머지 물을 포함한다.
摘要翻译：提供：蚀刻溶液组合物，由此可以同时蚀刻铜膜和氧化铟锡膜的双层膜或铜膜和金属膜的双层膜; 以及使用其的蚀刻方法。蚀刻溶液组合物包含5至20重量％的过氧化氢，0.1至5重量％的磺酸化合物，0.1至2重量％的羰基有机酸化合物，0.1至0.4重量％％的氟化合物，0.01至3重量％的唑类化合物，剩余的水。

4. 发明公开

KR1020090030702A 절연막 제거용 식각 조성물 无效
标题翻译：用于去除绝缘层的蚀刻
公开(公告)号：KR1020090030702A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：KR1020070096175
申请日：2007-09-20
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 이근수 , 서원국 , 신현철 , 이기범 , 조삼영
IPC分类号： C09K13/08
CPC分类号： C09K13/08 , C09K13/06
摘要： An etchant for removing an insulating layer is provided to remove the oxide film more effectively than a nitride film or polysilicon film and to prevent the leaning effect of collapsing the bottom electrode after a wet etch process, thereby forming the bottom electrode of the capacitor having the desired surface area for securing electrostatic capacity. An etchant for removing an insulating layer comprises ammonium bifluoride 0.1~30 parts by weight; glycol-based compound 0.1~20 parts by weight; fluorine - substitution acetic acid 0.1~20 parts by weight; surfactant 0.001~1 parts by weight; and the balance of surfactant 0.001~1 parts by weight. The Gamma costheta value of the etchant is 0 excess and 30 or less. The glycol-based compound is any one selected from the group consisting of ethylene glycol, diethylene glycol, triethyleneglycol, propylene glycol, dipropylene glycol, tripropylene glycol, tetrapropyleneglycolic and their combination.
摘要翻译：提供用于去除绝缘层的蚀刻剂以比氮化膜或多晶硅膜更有效地去除氧化膜，并且在湿蚀刻工艺之后防止塌陷底部电极的倾斜效应，从而形成具有所需表面积用于确保静电容量。用于去除绝缘层的蚀刻剂包括0.1〜30重量份的二氟化铵; 二醇基化合物0.1〜20重量份; 氟取代乙酸0.1〜20重量份; 表面活性剂0.001〜1重量份; 表面活性剂余量为0.001〜1重量份。蚀刻剂的伽马值为0以上，30以下。二醇类化合物是选自乙二醇，二甘醇，三甘醇，丙二醇，二丙二醇，三丙二醇，四丙二醇和它们的组合中的任何一种。

5. 发明授权

KR101934863B1 금속막 및 인듐산화막의 이중막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 有权
公开(公告)号：KR101934863B1
公开(公告)日：2019-01-03
申请号：KR1020120108453
申请日：2012-09-28
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 신현철 , 김규포 , 서원국 , 한승연 , 조삼영 , 이기범
IPC分类号： C23F1/16 , C23F1/44 , C09K13/00

6. 发明授权

KR101922625B1 금속 배선 식각액 및 이를 이용한 금속 배선 형성 방법 有权
公开(公告)号：KR101922625B1
公开(公告)日：2018-11-28
申请号：KR1020120072295
申请日：2012-07-03
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 정종현 , 김인배 , 김선일 , 박홍식 , 정재우 , 김규포 , 서원국 , 신현철 , 이기범 , 조삼영 , 한승연
IPC分类号： C23F1/16 , H05K3/06
CPC分类号： C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/4814
摘要： 금속배선식각액을제공한다. 본발명의한 실시예에따른금속배선식각액은과황산염, 술폰산염, 불소화합물, 아졸계화합물, 유기산, 질산염, 염소화합물을포함한다.

7. 发明授权

KR101770754B1 금속 배선 식각액 및 이를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법 有权
标题翻译：使用它制造金属布线蚀刻剂的方法和液晶显示装置
公开(公告)号：KR101770754B1
公开(公告)日：2017-08-24
申请号：KR1020110060238
申请日：2011-06-21
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 구병수 , 이명한 , 조삼영 , 이기범
IPC分类号： C23F1/18 , C09K13/00 , H01L21/306 , H01L21/308
CPC分类号： H01L21/32134 , C09K13/10 , C23F1/18 , H01L27/124
摘要： 반도체장치에사용되는구리를포함한금속막식각액조성물및 이를사용한식각방법을개시한다. 본발명의금속막식각액조성물은불화붕소산또는불화붕소산과적어도한 종류의함불소화합물을포함한다. 본발명에따른식각액조성물을이용한구리를포함한금속막의식각방법은식각시에하부의유리기판을손상시키지않을뿐 아니라, 구리함유다층금속막도일괄적으로식각할수 있어반도체소자의생산수율을향상시킬수 있다. 본발명의식각액조성물과이를이용한식각방법은황산염을사용하지않아단차및 침식에의한단선(Data Open)불량을방지할 수있으며, 또한유기산을사용하지않고식각이가능하기때문에금속염과의석출문제를해결할수 있고패턴의미세화도기할수 있는장점이있다.
摘要翻译：公开了一种用于半导体器件的包含铜的金属膜蚀刻剂组合物以及使用该蚀刻剂组合物的蚀刻方法。本发明的金属膜蚀刻剂组合物包含氟硼酸或氟硼酸和至少一种氟化合物。金属膜的蚀刻方法，其中包括根据本发明使用的蚀刻液体组合物的铜不仅不会在蚀刻时会损坏下部玻璃基板，含铜多层金属makdo它可以共同蚀刻能够提高半导体元件的制造成品率。蚀刻液体组合物和使用其的本发明的可以不使用硫酸，以防止断开（数据打开）缺陷由于台阶差及腐蚀蚀刻的方法，但也与金属盐沉淀问题，因为它可以在不使用有机酸的蚀刻有一个优点，它可以解决和模式可以小型化。

8. 发明授权

KR101507592B1 유기발광다이오드표시장치의 식각액 조성물 有权
标题翻译：有机发光二极管显示装置的蚀刻剂组成
公开(公告)号：KR101507592B1
公开(公告)日：2015-04-06
申请号：KR1020080090485
申请日：2008-09-12
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 구병수 , 박귀홍 , 신현철 , 조삼영 , 이기범
IPC分类号： C09K13/08
摘要： 본발명은과산화이황산암모늄((NH)SO) 0.1 내지 34중량%; 질산계화합물 0.1 내지 9 중량%; 아세트산계화합물 0.1 내지 10 중량%; 불화물계화합물 0.2 내지 5 중량%; 함붕소화합물 0.01 내지 3 중량%; 및물 39 내지 73 중량%를포함하나, 아졸(azole)계화합물은포함하지않는식각액조성물을개시한다. 본발명의식각액조성물은과산화수소를함유하지않으므로안정성과공정상마진을확보할수 있으며, 우수한테이퍼식각프로파일을얻을수 있는특징을지닌다.

9. 发明公开

KR1020150034001A 식각액 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판 형성 방법 审中-实审
标题翻译：使用该薄膜薄膜晶体管衬底的蚀刻和制造方法
公开(公告)号：KR1020150034001A
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：KR1020130114022
申请日：2013-09-25
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김봉균 , 박홍식 , 윤승호 , 김선일 , 김상우 , 이대우 , 이기범 , 조삼영
IPC分类号： C23F1/10 , C23F1/18 , H05K3/06
CPC分类号： C23F1/18 , C23F1/44 , H01L21/30604 , H01L29/786
摘要： 본발명의실시예에따른식각액조성물은제1 식각액조성물과제2 식각액조성물을포함한다. 상기제1 식각액조성물은과황산염화합물, 아졸화합물, 수용성아민화합물, 인산염화합물, 염소화합물, 유기산, 불소화합물, 술폰산화합물, 및무기산을포함한다. 상기제2 식각액조성물은과황산염화합물, 아졸화합물, 수용성아민화합물, 인산염화합물, 염소화합물, 및유기산을포함한다.
摘要翻译：根据本发明的一个实施方案，蚀刻溶液组合物包括：第一蚀刻溶液组合物; 和第二蚀刻溶液组合物。第一蚀刻溶液组合物包括：过硫酸盐化合物; 唑化合物; 水溶性胺化合物; 磷酸盐化合物; 氯化合物有机酸; 氟化合物; 磺酸化合物; 和无机酸。第二蚀刻溶液组合物包括：过硫酸盐化合物; 唑化合物; 水溶性胺化合物; 磷酸盐化合物; 氯化合物和有机酸。

10. 发明授权

KR101473877B1 잉크 조성물 有权
标题翻译：墨水组成
公开(公告)号：KR101473877B1
公开(公告)日：2014-12-26
申请号：KR1020070129813
申请日：2007-12-13
申请人： 주식회사 동진쎄미켐 , 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 김병후 , 신승협 , 송준용 , 이기범 , 이명수 , 김진욱
IPC分类号： C09D11/02 , B29C59/02
摘要： 본발명은잉크조성물에관한것으로, 특히임프린트리소그래피및 롤프린트를이용한패턴형성에적용되어패턴지지체의역할과더불어잉크조성물로인한팽윤현상의발생을최소화하여패턴형성의정밀도를높일수 있고, 또한패턴전사율을높여서수율개선및 공정의효율성을향상시킬수 있는임프린트리소그래피및 롤프린트용잉크조성물에관한것이다.

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