专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR101448480B1 화학 증폭형 내식막 조성물 有权
标题翻译：化学放大型抗蚀剂组合物
公开(公告)号：KR101448480B1
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：KR1020070125151
申请日：2007-12-04
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 야마구치사토시 , 야마모토사토시 , 안도노부오
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111 , Y10S430/122 , Y10S430/123
摘要： 본 발명은 화학식 1의 염(A), 화학식 2의 염(B), 및 산 불안정성 그룹을 지니는 구조 단위를 포함하고 그 자체로는 알칼리 수용액에 불용성 또는 난용성이나 산의 작용에 의해 알칼리 수용액에 가용성으로 되는 수지(C)를 포함하는 화학 증폭형 내식막 조성물을 제공한다.
화학식 1

화학식 2

위의 화학식 1 및 2에서,
R
21 은 C1-C30 탄화수소 그룹이며, C1-C30 탄화수소 그룹 등을 나타내고,
Q
1 및 Q
2 는 각각 독립적으로 불소 원자 등을 나타내며,
A
+ 는 화학식 1a의 양이온, 화학식 1b의 양이온 및 화학식 1c의 양이온 중에서 선택된 1개 이상의 유기 양이온을 나타내고,
R
22 는 C1-C30 탄화수소 그룹 등을 나타내고,
Q
3 및 Q
4 는 각각 독립적으로 불소 원자 등을 나타내며,
A
'+ 는 화학식 2a의 유기 양이온을 나타낸다.
화학식 1a

화학식 1b

화학식 1c

화학식 2a

위의 화학식 1a, 1b, 1c 및 2a에서,
P
1 , P
2 및 P
3 은 각각 독립적으로 C1-C30 알킬 그룹 등을 나타내고,
P
4 및 P
5 는 각각 독립적으로 수소 원자 등을 나타내며,
P
6 및 P
7 은 각각 독립적으로 C1-C12 알킬 그룹 등을 나타내고,
P
8 은 수소 원자를 나타내며,
P
10 내지 P
21 은 각각 독립적으로 수소 원자 등을 나타내며,
B는 황 원자 또는 산소 원자를 나타내고,
m는 0 또는 1을 나타낸다.
화학 증폭형 포지티브 내식막 조성물, 산 발생제, 유기 짝이온, 연결 그룹, 사이클릭 탄화수소 그룹, 퍼플루오로알킬 그룹, 리소그래피, 해상도, 노광 한계.
摘要翻译：在本发明中通过将盐（A），盐（B）的碱性水溶液，并且影响水不溶性或水难溶性或酸在含有具有酸不稳定基团的结构单元的碱性水溶液，并且是下式的通式2的自身和可溶解的树脂（C）。

2. 发明授权

KR101370491B1 산 발생제에 적합한 염 및 이를 함유하는 화학증폭형내식막 조성물 有权
标题翻译：适用于酸产生剂的盐和含有它的化学放大抗蚀剂组合物
公开(公告)号：KR101370491B1
公开(公告)日：2014-03-06
申请号：KR1020060133676
申请日：2006-12-26
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 야마구치사토시 , 요시다이사오 , 하라다유카코
IPC分类号： C07C309/70 , C07C309/65
CPC分类号： G03F7/0045 , C07C25/18 , C07C309/17 , C07C381/12 , C07C2603/18 , G03F7/0397 , Y10S430/122
摘要： 본 발명은 화학식 1의 염을 제공한다.
화학식 1

위의 화학식 1에서,
X는 알킬렌 그룹 또는 치환된 알킬렌 그룹을 나타내며,
Q
1 및 Q
2 는 각각 독립적으로 불소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 퍼플루오로알킬 그룹을 나타내며,
A
+ 는 유기 짝이온을 나타내고,
n은 0 또는 1을 나타낸다.
본 발명은 또한 화학식 1의 염, 및 산-불안정성 그룹을 갖는 구조 단위를 포함하고 그 자체는 알칼리 수용액에서 불용성이거나 난용성이지만 산의 작용에 의해 알칼리 수용액에서 가용성이 되는 수지를 포함하는 화학증폭형 내식막 조성물을 제공한다.
내식막 조성물, 산-불안정성 그룹, 수지, 산 발생제, 염, 반도체.

3. 发明授权

KR101334631B1 산 발생제용으로 적합한 염 및 이를 함유하는 화학 증폭형레지스트 조성물 有权
标题翻译：适用于酸产生剂的盐和含有它的化学放大抗蚀剂组合物
公开(公告)号：KR101334631B1
公开(公告)日：2013-11-29
申请号：KR1020060114104
申请日：2006-11-17
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 야마구치사토시 , 하라다유카코 , 요시다이사오
IPC分类号： C07C309/65 , C07C309/74 , C07C321/24
CPC分类号： G03F7/0045 , C07C309/17 , C07C381/12 , C07C2601/08 , C07C2601/14 , C07C2603/74 , G03F7/0397
摘要： 본 발명은 화학식 1의 염을 제공한다.
화학식 1

환 X는 탄소수 3 내지 30의 일환식 또는 다환식 탄화수소 그룹(여기서, 일환식 또는 다환식 탄화수소 그룹 내의 하나 이상의 수소원자는 탄소수 1 내지 10의 알킬 그룹, 탄소수 1 내지 10의 알콕시 그룹, 탄소수 1 내지 4의 퍼플루오로알킬 그룹, 탄소수 1 내지 10의 하이드록시알킬 그룹 또는 시아노 그룹에 의해 임의로 치환된다)이고,
Q
1 및 Q
2 는 각각 독립적으로 불소원자 또는 탄소수 1 내지 6의 퍼플루오로알킬 그룹이며, A
+ 는 유기 짝이온이다.
본 발명은 화학식 1의 염을 포함하는 화학 증폭형 레지스트 조성물도 제공한다.
산 발생제, 염, 화학 증폭형 레지스트 조성물, 에스테르화, 해상도.

4. 发明授权

KR101101668B1 설포네이트 및 레지스트 조성물 有权
标题翻译：硫酸盐和抗氧化剂组合物
公开(公告)号：KR101101668B1
公开(公告)日：2011-12-30
申请号：KR1020040055577
申请日：2004-07-16
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 야마구치사토시 , 아키타마코토 , 요시다이사오
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0395 , C07C309/58 , C07C381/12 , C07C2601/14 , C07C2603/74 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , Y10S430/111 , Y10S430/115 , Y10S430/12 , Y10S430/122 , Y10S430/124 , Y10S430/126
摘要： 본 발명은 하기 화학식 1의 설포네이트; 화학식 1의 설포네이트와, 산 불안정 기를 갖는 구조 단위를 포함하며, 그 자체가 알칼리 수용액중에서는 불용성이거나 또는 용해도가 불량하지만, 산의 작용에 의하여 알칼리 수용액중에서 가용성이 되는 수지를 포함하는 화학 증폭형 포지티브 레지스트 조성물에 관한 것이다.

상기 화학식에서, Q
1 , Q
2 , Q
3 , Q
4 및 Q
5 는 각각 독립적으로 특정의 치환체를 나타내며, A
+ 는 반대 이온을 나타내지만, 단 Q
1 , Q
2 , Q
3 , Q
4 및 Q
5 중 1 이상은 하기 화학식 2의 기이며,

여기서 R
a , R
1 및 R
2 는 각각 독립적으로 C
1 -C
12 알킬 등을 나타낸다.

5. 发明公开

KR1020070053619A 산 발생제용으로 적합한 염 및 이를 함유하는 화학 증폭형레지스트 조성물 有权
标题翻译：适用于酸发生器的盐和含有该酸的化学稳定组合物
公开(公告)号：KR1020070053619A
公开(公告)日：2007-05-25
申请号：KR1020060114104
申请日：2006-11-17
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 야마구치사토시 , 하라다유카코 , 요시다이사오
IPC分类号： C07C309/65 , C07C309/74 , C07C321/24
CPC分类号： G03F7/0045 , C07C309/17 , C07C381/12 , C07C2601/08 , C07C2601/14 , C07C2603/74 , G03F7/0397
摘要： 본 발명은 화학식 1의 염을 제공한다.
화학식 1

환 X는 탄소수 3 내지 30의 일환식 또는 다환식 탄화수소 그룹(여기서, 일환식 또는 다환식 탄화수소 그룹 내의 하나 이상의 수소원자는 탄소수 1 내지 10의 알킬 그룹, 탄소수 1 내지 10의 알콕시 그룹, 탄소수 1 내지 4의 퍼플루오로알킬 그룹, 탄소수 1 내지 10의 하이드록시알킬 그룹 또는 시아노 그룹에 의해 임의로 치환된다)이고,
Q
1 및 Q
2 는 각각 독립적으로 불소원자 또는 탄소수 1 내지 6의 퍼플루오로알킬 그룹이며,
본 발명은 화학식 1의 염을 포함하는 화학 증폭형 레지스트 조성물도 제공한다.
산 발생제, 염, 화학 증폭형 레지스트 조성물, 에스테르화, 해상도.

6. 发明授权

KR102059905B1 포토레지스트 조성물 및 포토레지스트 패턴의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102059905B1
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：KR1020130088327
申请日：2013-07-25
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 마스야마다쓰로 , 야마구치사토시 , 이치카와고지
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/26

7. 发明公开

KR1020160103529A 화합물, 수지 및 포토레지스트 조성물 审中-实审
标题翻译：化合物，树脂和光电组合物
公开(公告)号：KR1020160103529A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：KR1020160020806
申请日：2016-02-22
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 마스야마다츠로 , 야마구치사토시 , 이치카와고지
IPC分类号： C07C69/62 , C07C69/74 , C08F20/10 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/00
CPC分类号： G03F7/0046 , C07C69/653 , C07C69/753 , C07C69/757 , C07C2603/74 , C08F220/68 , G03F7/0045 , G03F7/0397 , G03F7/30 , G03F7/322 , G03F7/325 , G03F7/38
摘要： 식 (I)로나타내어지는화합물:(여기서, R은수소원자, 할로겐원자또는 C1-C6 알킬기를나타내며, 당해알킬기에서수소원자는할로겐원자로대체될수 있고, L은 C1-C8 플루오르화알칸디일기를나타내고, X은 *-CO-O-, *-O-CO-, *-O-CO-O- 또는 *-O-를나타내며, 여기서 *는 L에대한결합부위를나타내고, R는 C1-C18 탄화수소기를나타내며, 당해탄화수소기에서메틸렌기는산소원자, 카르보닐기또는술포닐기로대체될수 있고당해탄화수소기에서수소원자는히드록시기로대체될수 있거나, 또는당해탄화수소기에서 2개의수소원자가각각산소원자로대체되어서산소원자에결합된 C1-C8 알칸디일기와함께하나의케탈구조를형성할수 있으며상기케탈구조내의수소원자는불소원자로대체될수 있음).
摘要翻译：本发明涉及由化学式（I）表示的化合物。在化学式（I）中，R 1表示具有氢原子，卤素原子和1〜6个碳原子的烷基，氢原子可被卤素原子代替; L1表示碳原子数1〜8的氟代烷二基， X1表示* -CO-O-，* -O-CO-，* -O-CO-O-或* -O-，*表示与L1的结合位点; R 2表示碳原子数1〜18的烃基，烃基中的亚甲基可以被氧原子，羰基或磺酰基代替，烃基中的氢原子可以被烃基中的羟基或两个氢原子可以分别被氧原子代替，以形成与氧原子键合的具有1至8个碳原子的烷二基的缩酮结构，并且缩酮结构中的氢原子可以被氟原子代替。

8. 发明授权

KR101424520B1 화학증폭형 레지스트 조성물 有权
标题翻译：化学放大抗蚀剂组合物
公开(公告)号：KR101424520B1
公开(公告)日：2014-07-31
申请号：KR1020080025833
申请日：2008-03-20
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 야마구치사토시 , 다카타요시유키 , 아라키가오루
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111 , Y10S430/122
摘要： 본 발명은 화학식 1의 염(A), 화학식 2의 염(B), 및 산 불안정 그룹을 갖는 구조 단위를 함유하고 자체로는 알칼리 수용액에 불용성이거나 난용성이지만 산의 작용에 의해 알칼리 수용액에서 가용성으로 되는 수지(C)를 포함하는 화학증폭형 레지스트 조성물에 관한 것이다.
화학식 1

위의 화학식 1에서,
R
21 은 C1-C30 탄화수소 그룹 등이고,
Q
1 및 Q
2 는 각각 독립적으로 불소원자 등이고,
A
+ 는 화학식 1a의 양이온, 화학식 1b의 양이온 및 화학식 1c의 양이온으로부터 선택된 적어도 하나의 유기 양이온이다.
화학식 1a

위의 화학식 1a에서,
P
1 , P
2 및 P
3 은 각각 독립적으로 C1-C30 알킬 그룹 등이다.
화학식 1b

위의 화학식 1b에서,
P
4 및 P
5 는 각각 독립적으로 수소원자 등이다.
화학식 1c

위의 화학식 1c에서,
P
10 , P
11 , P
12 , P
13 , P
14 , P
15 , P
16 , P
17 , P
18 , P
19 , P
20 및 P
21 은 각각 독립적으로 수소원자 등이고,
B는 황원자 또는 산소원자이며,
m은 O 또는 1이다.
화학식 2

위의 화학식 2에서,
A'
+ 는 화학식 1a의 양이온, 화학식 1b의 양이온 및 화학식 1c의 양이온으로부터 선택된 적어도 하나의 유기 양이온이고,
E
- 는 화학식 2-1의 음이온 및 화학식 2-2의 음이온으로부터 선택된 적어도 하나의 유기 음이온이다.
화학식 2-1

화학식 2-2

위의 화학식 2-1 및 2-2에서,
Q
3 은 C1-C10 퍼플루오로알킬 그룹이고,
Q
4 는 C1-C10 퍼플루오로알킬 그룹이다.
화학증폭형 레지스트 조성물, 염, 수지, 산 불안정 그룹을 갖는 구조 단위, 해상도, 라인 엣지 조도.

9. 发明授权

KR101416244B1 화학증폭형 레지스트 조성물 有权
标题翻译：化学抑制组合物
公开(公告)号：KR101416244B1
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：KR1020080020522
申请日：2008-03-05
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 야마구치사토시 , 다카타요시유키 , 야마모토사토시
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： C07C381/12 , C07C309/06 , C07C309/17 , C07C2603/74 , C07D307/20 , C07D307/77 , C07D309/10 , C07D333/46 , G03F7/0045 , G03F7/0397
摘要： 본 발명은 (A) 화학식 1의 염, (B) 화학식 2의 염 및 (C) 산 불안정 그룹을 갖는 구조 단위를 함유하고 그 자체로는 알칼리 수용액에 불용성이거나 난용성이지만 산의 작용에 의해 알칼리 수용액에서 가용성으로 되는 수지를 포함하는 화학증폭형 레지스트 조성물을 제공한다.
화학식 1

상기 화학식 1에서,
Q
1 은 C1-C8 퍼플루오로알킬 그룹이고,
A
+ 는 화학식 1a의 양이온, 화학식 1b의 양이온 및 화학식 1c의 양이온으로부터 선택된 하나 이상의 유기 양이온이다.
화학식 1a

상기 화학식 1a에서,
p
1 , p
2 및 P
3 은 각각 독립적으로 하이드록실 그룹, C3-C12 사이클릭 탄화수소 그룹 및 C1-C12 알콕시 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 그룹으로 치환될 수 있는 C1-C30 알킬 그룹이거나, 하이드록실 그룹 및 C1-C12 알콕시 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 그룹으로 치환될 수 있는 C3-C30 사이클릭 탄화수소 그룹이다.
화학식 1b

상기 화학식 1b에서,
P
4 및 P
5 는 각각 독립적으로 수소원자, 하이드록실 그룹, C1-C12 알킬 그룹 또는 C1-C12 알콕시 그룹이다.
화학식 1c

상기 화학식 1c에서,
p
10 , p
11 , p
12 , p
13 , p
14 , p
15 , p
16 , p
17 , p
18 , p
19 , p
20 및 p
21 은 각각 독립적으로 수소원자, 하이드록실 그룹, C1-C12 알킬 그룹 또는 C1-C12 알콕시 그룹이고,
B는 황원자 또는 산소원자이며,
m은 O 또는 1이다.
화학식 2

상기 화학식 2에서,
R
22 는 치환될 수 있는 C1-C30 탄화수소 그룹이고, 탄화수소 그룹 중의 하나 이상의 -CH
2 -는 -CO- 또는 -O-로 치환될 수 있으며,
Q
3 및 Q
4 는 각각 독립적으로 불소원자 또는 C1-C6 퍼플루오로알킬 그룹이고,
A'
+ 는 화학식 2a의 유기 양이온이다.
화학식 2a

상기 화학식 2a에서,
P
6 및 P
7 은 각각 독립적으로 C1-C12 알킬 그룹 또는 C3-C12 사이클로알킬 그룹이거나, P
6 및 P
7 은 결합하여, 인접 S
+ 와 함께 환을 형성하는 C3-C12 2가 어사이클릭(acyclic) 탄화수소 그룹을 형성하고, 상기 2가 어사이클릭 탄화수소 그룹 중의 하나 이상의 -CH
2 -는 -CO-, -O- 또는 -S-로 치환될 수 있고,
P
8 은 수소원자이고,
P
9 는 치환될 수 있는, C1-C12 알킬 그룹, C3-C12 사이클로알킬 그룹 또는 방향족 그룹이거나, P
8 및 P
9 는 결합하여, 인접 -CHCO-와 함께 2-옥소사이클로알킬 그룹을 형성하는 2가 어사이클릭 탄화수소 그룹을 형성하고, 상기 2가 어사이클릭 탄화수소 그룹 중의 하나 이상의 -CH
2 -는 -CO-, -0- 또는 -S-로 치환될 수 있다.
화학증폭형 레지스트 조성물, 염, 수지, 산 불안정 그룹을 갖는 구조 단위, 해상도, 라인 엣지 조도.

10. 发明公开

KR1020140014007A 포토레지스트 조성물 및 포토레지스트 패턴의 제조방법 审中-实审
标题翻译：光电组合物和生产光电子图案的方法
公开(公告)号：KR1020140014007A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：KR1020130088327
申请日：2013-07-25
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 마스야마다쓰로 , 야마구치사토시 , 이치카와고지
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/26
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/0046 , G03F7/20 , G03F7/2041 , G03F7/38 , G03F7/0045 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/2002
摘要： A photoresist composition includes a resin which does not include an acid-instable group and includes a structural unit represented by formula I, a structural unit represented by formula a4, a resin with an acid-instable group, and an acid generating agent.
摘要翻译：光致抗蚀剂组合物包括不包含酸不稳定基团的树脂，并且包括由式I表示的结构单元，由式a4表示的结构单元，具有酸不稳定基团的树脂和酸产生剂。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式