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1. 发明公开

KR1020080055668A 화학 증폭형 내식막 조성물 有权
标题翻译：化学稳定组分
公开(公告)号：KR1020080055668A
公开(公告)日：2008-06-19
申请号：KR1020070129016
申请日：2007-12-12
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 다카타요시유키 , 미야가와다카유키 , 에다마츠구니시게
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , Y10S430/111 , Y10S430/123 , G03F7/0392
摘要： A chemically amplified corrosion resistant film composition suitable for KrF excimer laser lithography or ArF immersion lithography is provided to improve resolution and line edge roughness. A chemically amplified corrosion resistant film composition comprises a resin which is insoluble or hardly soluble in an alkali aqueous solution but becomes soluble by the action of an acid, and has a structural unit having an acid-labile group and a structural unit represented by the formula I; and a salt represented by the formula II, wherein R1 is H or a methyl group; a ring X is a C3-C30 cyclic hydrocarbon group whose one -CH2- can be substituted with -COO- and whose at least one hydrogen atom can be substituted; p is an integer of 1-4; Y1 and Y2 are independently F or a C1-C6 perfluoroalkyl group; A+ is an organic counterion; and R21 is a substituted or unsubstituted C1-C30 hydrocarbon group whose at least one -CH2- can be substituted with -CO- or -O-.
摘要翻译：提供适用于KrF准分子激光光刻或ArF浸没光刻的化学放大耐腐蚀膜组合物，以提高分辨率和线边缘粗糙度。化学放大型耐腐蚀膜组合物包含不溶于或几乎不溶于碱性水溶液但通过酸作用而溶解的树脂，并且具有酸不稳定基团的结构单元和由式一世; 和由式II表示的盐，其中R 1是H或甲基; 环X是C 1 -C 30环烃基，其一个-CH 2 - 可以被-COO-取代，并且其至少一个氢原子可以被取代; p是1-4的整数; Y1和Y2独立地为F或C1-C6全氟烷基; A +是有机抗衡离子; 并且R 21是其至少一个-CH 2 - 可以被-CO-或-O-取代的取代或未取代的C 1 -C 30烃基。

2. 发明授权

KR100753783B1 화학적으로 증폭된 포지티브 내식막 조성물 有权
标题翻译：化学放大的正型抗蚀剂组合物
公开(公告)号：KR100753783B1
公开(公告)日：2007-08-31
申请号：KR1020010003552
申请日：2001-01-22
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 우에타니야스노리 , 김성현 , 다카타요시유키
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/0045 , G03F7/039 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要： 본 발명은
하기 화학식 1의 중합체 단위, 하기 화학식 2의 중합체 단위, 및 말레산 무수물 및 이타콘산 무수물로부터 선택되는 불포화 디카복실산 무수물로부터 유도된 중합체 단위를 갖는 수지(X); 및
산 생성제(Y)를 포함하는, 감광도 및 해상도뿐만 아니라 다른 내식막 성능 특성이 우수한, 화학적으로 증폭된 포지티브 내식막 조성물을 제공한다.
화학식 1

화학식 2

상기식에서,
R
1 은 수소 또는 메틸이고,
R
2 및 R
3 은 탄소수 1 내지 4의 알킬이고,
R
4 및 R
5 는 수소, 하이드록실 또는 알킬이고,
R
6 및 R
7 은 수소, 탄소수 1 내지 3의 알킬, 탄소수 1 내지 3의 하이드록시알킬, 카복실, 시아노 또는 -COOR
8 의 그룹(여기서, R
8 은 알코올 잔기이다)이거나, R
6 과 R
7 은 함께 화학식 -C(=O)OC(=O)-의 카복실산 무수물 잔기를 형성한다.
포지티브 내식막, 반도체, 감광도, 해상도, 산 생성제
摘要翻译：本发明

3. 发明公开

KR1020070045903A 산 발생제에 적합한 염 및 이를 함유하는 화학 증폭형 레지스트 조성물 有权
标题翻译：适用于产酸剂的盐和含有该盐的化学放大型抗蚀剂组合物
公开(公告)号：KR1020070045903A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：KR1020060081357
申请日：2006-08-25
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 하라다유카코 , 요시다이사오 , 다카타요시유키
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： C07C309/17 , C07C381/12 , C07C2601/14 , G03F7/0045 , G03F7/0397
摘要： 본 발명은 화학식 1의 염에 관한 것이다.
화학식 1

위의 화학식 1에서,
X는 탄소수 1 내지 30의 비환식 탄화수소의 2가 또는 3가 잔기 또는 모노사이클릭 또는 비사이클릭 환을 함유하는 탄소수 3 내지 30의 탄화수소의 2가 또는 3가 잔기이고, 상기 탄화수소에서 -CH
2 -는 -O-로 대체될 수 있고, X에서 하나 이상의 수소 원자는 탄소수 1 내지 6의 알콕시 그룹, 탄소수 1 내지 4의 퍼플루오로알킬 그룹, 탄소수 l 내지 6의 하이드록시알킬 그룹, 하이드록실 그룹 또는 시아노 그룹으로 임의로 치환되고,
Q
1 및 Q
2 는 각각 독립적으로 불소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 퍼플루오로알킬 그룹이고,
A
+ 는 유기 카운터 이온이고,
Y는 하이드록실 그룹, 시아노 그룹 또는 메톡시 그룹이고,
n은 1 또는 2이다.
또한, 본 발명은 화학식 1의 염을 포함하는 화학 증폭형 레지스트 조성물을 제공한다.
산 발생제, 화학 증폭 레지스트, 산 불안정성 그룹
摘要翻译：本发明涉及式（1）的盐。

4. 发明授权

KR101547873B1 화학 증폭형 내식막 조성물 有权
公开(公告)号：KR101547873B1
公开(公告)日：2015-08-27
申请号：KR1020070129016
申请日：2007-12-12
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 다카타요시유키 , 미야가와다카유키 , 에다마츠구니시게
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , Y10S430/111 , Y10S430/123
摘要： 본발명은알칼리수용액에서그 자체로는불용성또는난용성이지만, 산의작용에의해알칼리수용액에서가용성이되는, 산-불안정성그룹을갖는구조단위및 화학식 I의구조단위를포함하는수지, 및화학식 II의염을포함하는화학증폭형내식막조성물을제공한다. 화학식 I 상기화학식 I에서, R은수소원자또는메틸그룹이고, 환 X는 C3-C30 환식탄화수소그룹이고, 여기서하나의 -CH-가 -COO-로치환되고, C3-C30 환식탄화수소그룹중의하나이상의수소원자가치환될수 있고, p는 1 내지 4의정수이다. 화학식 II 상기화학식 II에서, Y및 Y는각각독립적으로불소원자또는 C1-C6 퍼플루오로알킬그룹이고, A는유기상대이온이고, R는치환될수 있는 C1-C30 탄화수소그룹이고, C1-C30 탄화수소그룹중의하나이상의 -CH-는 -CO- 또는 -O-로치환될수 있다.

5. 发明授权

KR101477996B1 화학 증폭형 레지스트 조성물 有权
标题翻译：化学放大的抗蚀剂组合物
公开(公告)号：KR101477996B1
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：KR1020080008488
申请日：2008-01-28
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 다카타요시유키 , 야마모토사토시 , 야마구치사토시
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , Y10S430/111 , Y10S430/122 , Y10S430/123
摘要： A'는유기카운터이온이다.
摘要翻译： A'是有机抗衡离子。

6. 发明公开

KR1020080086845A 화학 증폭형 레지스트 조성물 有权
标题翻译：化学稳定组分
公开(公告)号：KR1020080086845A
公开(公告)日：2008-09-26
申请号：KR1020080026409
申请日：2008-03-21
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 후지유스케 , 다카타요시유키
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , Y10S430/111 , Y10S430/122 , Y10S430/123 , G03F7/0047 , G03F7/0392
摘要： A chemically amplified resist composition is provided to form a resist pattern having excellent resolution, pattern profile, and dry etching resistance. A chemically amplified resist composition includes (A) a resin comprising (a) a structural unit having an acid-labile group, (b) a structural unit having at least one hydroxyl group, (c) a structural unit having at least one lactone structure, and (d) a structural unit of the following formula 1a or 1b, and (B) at least one acid generator. In the formulae 1a and 1b, R^1 is a hydrogen atom or methyl group, R^3 is a methyl group, n is an integer of 0-14, and Z is a single bond or -[CH2]k-COO-.
摘要翻译：提供化学放大抗蚀剂组合物以形成具有优异的分辨率，图案轮廓和耐干蚀刻性的抗蚀剂图案。化学放大抗蚀剂组合物包括（A）树脂，其包含（a）具有酸不稳定基团的结构单元，（b）具有至少一个羟基的结构单元，（c）具有至少一个内酯结构的结构单元，和（d）下式1a或1b的结构单元和（B）至少一种酸发生剂。在式1a和1b中，R 1是氢原子或甲基，R 3是甲基，n是0-14的整数，Z是单键或 - [CH 2] k -COO- 。

7. 发明授权

KR100750815B1 화학 증폭형 포지티브 레지스트 조성물 有权
标题翻译：化学放大的正型抗蚀剂组合物
公开(公告)号：KR100750815B1
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：KR1020000079000
申请日：2000-12-20
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 우에타니야스노리 , 후지시마히로아키 , 다카타요시유키
IPC分类号： G03F7/039
CPC分类号： G03F7/039 , G03F7/0045 , Y10S430/111
摘要： ArF 엑시머레이저를 이용하는 노출 과정에 사용하기에 적합하며 높은 친수성을 나타내는 레지스트 코트를 형성할 수 있는 본 발명의 화학 증폭형 포지티브 레지스트 조성물은 기질 부착성이 탁월하며 레지스트 성능 특성에 있어 만족스럽다. 또한, 이것은 디하이드록시-1-아다만틸(메트)아크릴레이트로부터 유도된 중합 단위(a)와 2-알킬-2-아다만틸(메트)아크릴레이트로부터 유도된 중합 단위(b)를 갖고 그 자체로는 알칼리에 불용성 또는 난용성이나 산의 작용에 의해 알칼리에 가용성이 되는 수지(X); 및 산 발생제(Y)를 포함한다.
화학 증폭형 포지티브 레지스트 조성물, 산 발생제, 수지
摘要翻译：在抗蚀剂的性能特性的ArF适合于使用准分子激光的曝光工艺中使用，和化学放大的正抗蚀剂能够形成的本发明的抗蚀剂组合物涂层表现出高的亲水性优异的基底粘附性和令人满意的。同样，这二羟基-1-金刚烷基（甲基）哦聚合单元（a）由丙烯酸酯和具有（甲基）2-烷基-2-金刚烷基从丙烯酸酯衍生的聚合单元衍生的（b）中（X），其本身不溶或碱溶或通过酸的作用可溶于碱; 和一个酸发生器（Y）。

8. 发明公开

KR1020010085612A 화학적 증폭형 포지티브 내식막 조성물 有权
标题翻译：化学放大正电阻组合物
公开(公告)号：KR1020010085612A
公开(公告)日：2001-09-07
申请号：KR1020010009715
申请日：2001-02-26
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 우에타니야스노리 , 후지시마히로아키 , 다카타요시유키
IPC分类号： G03F7/039
CPC分类号： G03F7/039 , G03F7/0045 , Y10S430/111
摘要： PURPOSE: Provided is a chemical amplifying type positive resist composition used in the minute processing of a semiconductor. CONSTITUTION: The chemically amplified positive resist composition comprises a resin (X) which is insoluble in alkali but becomes soluble in alkali when subjected to an action of acid, and has (a) a polymeric unit, derived from a 2-alkyl-2-adamantyl (meth)acrylate, represented by the formula(1); (b) a polymeric unit, derived from a 3-hydroxy-1-adamantyl (meth)acrylate, represented by the formula(2); and (c) a polymeric unit, derived from an alicyclic olefin, represented by the formula(3). In the formulae, R1 and R3 each independently represent hydrogen or methyl; R2 represents alkyl; R4 represents hydrogen or hydroxyl; and R5 and R6 each independently represent hydrogen, alkyl having 1 to 3 carbon atoms, hydroxyalkyl having 1 to 3 carbon atoms, carboxyl, cyano or a group represented by -COOR7, wherein R7 represents an alcohol residue, or R5 and R6 together form a carboxylic acid anhydride residue represented by -C(=O)OC(=O)-, and (d) a polymeric unit derived from an unsaturated dicarboxylic acid anhydride selected from maleic anhydride and itaconic anhydride; and an acid generating agent (Y).
摘要翻译：目的：提供一种用于半导体分钟处理的化学放大型正光刻胶组合物。构成：化学放大正型抗蚀剂组合物包含不溶于碱但在受到酸作用时变得可溶于碱的树脂（X），并且具有（a）衍生自2-烷基-2- 由式（1）表示的（甲基）丙烯酸金刚烷酯; （b）由式（2）表示的衍生自（甲基）丙烯酸3-羟基-1-金刚烷基酯的聚合物单元; 和（c）由式（3）表示的衍生自脂环族烯烃的聚合物单元。式中，R 1和R 3各自独立地表示氢或甲基; R2代表烷基; R4表示氢或羟基; R 5和R 6各自独立地表示氢，具有1至3个碳原子的烷基，具有1至3个碳原子的羟烷基，羧基，氰基或-COOR 7表示的基团，其中R 7表示醇残基，或者R 5和R 6一起形成由-C（= O）OC（= O） - 表示的羧酸酐残基，和（d）衍生自选自马来酸酐和衣康酸酐的不饱和二羧酸酐的聚合单元; 和酸产生剂（Y）。

9. 发明授权

KR101416251B1 화학 증폭형 레지스트 조성물 有权
公开(公告)号：KR101416251B1
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：KR1020080026409
申请日：2008-03-21
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 후지유스케 , 다카타요시유키
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , Y10S430/111 , Y10S430/122 , Y10S430/123
摘要： 본 발명은 산 불안정성 그룹을 갖는 구조 단위(a), 하나 이상의 하이드록실 그룹을 갖는 구조 단위(b), 하나 이상의 락톤 구조를 갖는 구조 단위(c) 및 화학식 1a 또는 1b의 구조 단위(d)를 포함하는 수지(A)와 하나 이상의 산 발생제(B)를 포함하는 화학 증폭형 레지스트 조성물에 관한 것이다.
화학식 1a

화학식 1b

위의 화학식 1a 및 1b에서,
R
1 은 수소원자 또는 메틸 그룹이고,
R
3 은 메틸 그룹이고,
n은 0 내지 13의 정수이며,
Z는 단일 결합 또는 -[CH
2 ]
k -COO-이고, k는 1 내지 4의 정수이다.
화학 증폭형 레지스트 조성물, 산 발생제, 수지, 리소그래피, 패턴.

10. 发明授权

KR101414060B1 산 발생제에 적합한 염 및 이를 함유하는 화학 증폭형포지티브 레지스트 조성물 有权
标题翻译：适用于产酸剂的盐和含有其的化学放大正型抗蚀剂组合物
公开(公告)号：KR101414060B1
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：KR1020070077179
申请日：2007-07-31
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 하라다유카코 , 요시다이사오 , 다카타요시유키
IPC分类号： C07C309/68 , C07C309/70 , C07C321/10 , C07C321/24
CPC分类号： C07C381/12 , C07C309/17 , C07C2603/74 , C07D307/77 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , Y10S430/122 , Y10S430/123
摘要： 본 발명은 화학식 1의 염에 관한 것이다.
화학식 1

위의 화학식 1에서,
P
1 , P
2 및 P
3 은 각각 독립적으로 하이드록실 그룹, C
3 -C
12 사이클릭 탄화수소 그룹 및 C
1 -C
12 알콕시 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 그룹으로 치환될 수 있는 C
1 -C
30 알킬 그룹, 또는 하이드록실 그룹 및 C
1 -C
12 알콕시 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 그룹으로 치환될 수 있는 C
3 -C
30 사이클릭 탄화수소 그룹이며, 단 P
1 , P
2 및 P
3 모두가 동시에 치환될 수 있는 페닐 그룹은 아니고,
Q
1 및 Q
2 는 각각 독립적으로 불소원자 또는 C
1 -C
6 퍼플루오로알킬 그룹이며,
R은 화학식 의 그룹(여기서, A
1 은 -OH 또는 -Y
1 -OH이고, n은 1 내지 9의 정수이며, Y
1 은 2가 C
1 -C
6 포화 지방족 탄화수소 그룹이다), 화학식 의 그룹(여기서, 환 X
1 은 하나의 -CH
2 - 그룹이 -CO-로 치환되고 모노사이클릭 또는 폴리사이클릭 탄화수소 그룹 중의 하나 이상의 수소원자가 C
1 -C
6 알킬 그룹, C
1 -C
6 알콕시 그룹, C
1 -C
4 퍼플루오로알킬 그룹, C
1 -C
6 하이드록시알킬 그룹, 하이드록실 그룹 또는 시아노 그룹으로 치환될 수 있는, C
3 -C
30 모노사이클릭 또는 폴리사이클릭 탄화수소 그룹이다), 화학식 의 그룹(여기서, 환 X
2 는 하나의 -CH
2 - 그룹의 수소원자가 하이드록실 그룹으로 치환되고, 모노사이클릭 또는 폴리사이클릭 탄화수소 그룹 중의 하나 이상의 수소원자가 C
1 -C
6 알킬 그룹, C
1 -C
6 알콕시 그룹, C
1 -C
4 퍼플루오로알킬 그룹, C
1 -C
6 하이드록시알킬 그룹, 하이드록실 그룹 또는 시아노 그룹으로 치환될 수 있는, C
3 -C
30 모노사이클릭 또는 폴리사이클릭 탄화수소 그룹이다), 화학식 의 그룹(여기서, 환 X
3 은 하나의 -CH
2 - 그룹이 -COO-로 치환되고, 모노사이클릭 또는 폴리사이클릭 탄화수소 그룹 중의 하나 이상의 수소원자가 C
1 -C
6 알킬 그룹, C
1 -C
6 알콕시 그룹, C
1 -C
4 퍼플루오로알킬 그룹, C
1 -C
6 하이드록시알킬 그룹, 하이드록실 그룹 또는 시아노 그룹으로 치환될 수 있는, C
3 -C
30 모노사이클릭 또는 폴리사이클릭 탄화수소 그룹이고, m은 0 내지 12의 정수이다) 또는 화학식 의 그룹(여기서, 환 X
4 는 3개 이상의 사이클을 갖고 폴리사이클릭 탄화수소 그룹 중의 하나 이상의 수소원자가 C
1 -C
6 알킬 그룹, C
1 -C
6 알콕시 그룹, C
1 -C
4 퍼플루오로알킬 그룹, C
1 -C
6 하이드록시알킬 그룹 또는 시아노 그룹으로 치환될 수 있는, C
6 -C
30 폴리사이클릭 탄화수소 그룹이고, l은 1 내지 12의 정수이다)이다.
본 발명은 추가로 위에서 언급한 화학식 1의 염을 포함하는 화학 증폭형 레지스트 조성물에 관한 것이다.
화학 증폭형 레지스트 조성물, 산 발생제, 산 불안정성 그룹, 수지, 염기성 화합물.
摘要翻译：本发明涉及式（1）的盐。

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