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1. 发明公开

KR1020200081349A 이온주입 방법 및 이온주입 장치 审中-实审
公开(公告)号：KR1020200081349A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：KR1020200078189
申请日：2020-06-26
申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 니노미야시로오 , 가가와다다노부 , 유미야마도시오 , 후나이아키라 , 구로다다카시
IPC分类号： H01L21/265 , C23C14/48 , H01J37/304 , H01J37/317

2. 发明公开

KR1020160006616A 이온주입장치 및 이온주입장치의 제어방법 审中-实审
标题翻译：离子植入装置和离子植入装置的控制方法
公开(公告)号：KR1020160006616A
公开(公告)日：2016-01-19
申请号：KR1020150095857
申请日：2015-07-06
申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 가가와다다노부 , 유미야마도시오 , 구로세다케시
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/24 , H01J37/147
CPC分类号： H01J37/241 , H01J37/3171
摘要： 전극장치에인가되는전압의정밀도를높인다. 이온주입장치는, 고전압전원(90)과, 고전압전원(90)의출력전압(HV)을제어하는지령신호를생성하는제어장치(104)와, 출력전압(HV)이인가되는전극장치(80)와, 전극장치(80)에인가되는실전압(HV)을계측하기위한측정장치(120)를구비한다. 제어장치(104)는, 고전압전원(90)에목표전압을출력시키기위한제1 지령신호를생성하는제1 생성부(110)와, 측정장치(120)에의하여계측되는실전압(HV)이목표전압또는목표전압에가까운전압이되도록제1 지령신호를보완하는제2 지령신호를생성하는제2 생성부(112)와, 고전압전원(90)에, 제1 지령신호및 제2 지령신호를합성하여얻어지는합성지령신호를출력하는지령부(114)를포함한다.
摘要翻译：施加到电极装置的电压的精度增加。离子注入装置包括：高压电源（90）; 产生用于控制高压电源（90）的高压输出（HVO）的指令信号的控制装置（104）。所述电极装置（80）接收所述HVO; 以及测量施加到电极装置（80）的高压电阻（HVR）的仪表装置（120）。控制装置（104）包括：第一生成单元（110），其生成向高压电源（90）输出目标电压的第一命令; 生成用于补偿第一命令信号的第二命令信号以使得由仪表装置（120）测量的HVR更接近目标电压或者成为目标电压的第二代单元（112）以及通过向高电压电源（90）产生第一和第二命令信号而输出合成指令的指令单元（114）。

3. 发明授权

KR102226097B1 이온주입 방법 및 이온주입 장치 有权
公开(公告)号：KR102226097B1
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：KR1020200078189
申请日：2020-06-26
申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 니노미야시로오 , 가가와다다노부 , 유미야마도시오 , 후나이아키라 , 구로다다카시
IPC分类号： H01L21/265 , C23C14/48 , H01J37/304 , H01J37/317
摘要： 이온을주입하는과정에있어서의방전사상을적절히검출하는기술을제공한다. 이온주입방법은, 이온원에서발생한이온을웨이퍼까지수송하고, 웨이퍼를이온빔으로조사하여이온을주입하는이온주입방법에있어서, 웨이퍼에이온을주입하는과정에서, 방전의가능성이있는사상을검출가능한검출부를복수이용하여, 검출한방전의가능성이있는사상의유무및 그사상이이온빔에미치는영향의정도에근거하여이온빔의상태를판단하는상태판단공정을포함한다.

4. 发明公开

KR1020140029317A 이온주입 방법 및 이온주입 장치 审中-实审
标题翻译：离子植入方法和离子植入装置
公开(公告)号：KR1020140029317A
公开(公告)日：2014-03-10
申请号：KR1020130103712
申请日：2013-08-30
申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 니노미야시로오 , 가가와다다노부 , 유미야마도시오 , 후나이아키라 , 구로다다카시
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L22/14 , C23C14/48 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/0206
摘要： Provided is a technique for properly detecting a discharge event in an ion implanting process. An ion implanting process, in an ion implanting method of implanting an ion to a wafer by irradiating an ion beam and transferring ions generated from an ion source to the wafer, includes a state determination process of determining the state of the ion beam based on the effect of the event on the ion beam and the existence of the event which has the probability of the detected discharge by using detection parts capable of detecting the event which has the probability of discharge in a process of implanting the ions to the wafer. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S10) Designate an ion implantation process; (S12) Determine an allowable value of each physical quantity; (S14) Determine ion implantation conditions; (S16) Classify power supply; (S18) Determine a discharge determination method; (S20) Implant an ion
摘要翻译：提供了用于在离子注入过程中适当地检测放电事件的技术。离子注入方法，通过照射离子束并将从离子源产生的离子转移到晶片而将离子注入晶片的离子注入方法包括基于所述离子注入方法确定离子束的状态的状态确定过程通过使用能够检测在将离子注入晶片的过程中具有放电概率的检测部分，具有检测放电概率的事件对离子束的影响以及事件的存在。（附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S10）指定离子注入工艺; （S12）确定每个物理量的允许值; （S14）确定离子注入条件; （S16）分类电源; （S18）确定放电确定方法; （S20）植入离子

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