基本信息:
- 专利标题： 이온주입 방법 및 이온주입 장치
- 专利标题（英）：ION IMPLANTING METHOD AND ION IMPLANTING DEVICE
- 申请号：KR1020200078189 申请日：2020-06-26
- 公开(公告)号：KR1020200081349A 公开(公告)日：2020-07-07
- 发明人： 니노미야시로오 , 가가와다다노부 , 유미야마도시오 , 후나이아키라 , 구로다다카시
- 申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
- 申请人地址： *-*, Osaki *chome, Shinagawa-ku, Tokyo Japan
- 专利权人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
- 当前专利权人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： *-*, Osaki *chome, Shinagawa-ku, Tokyo Japan
- 代理人： 장수길; 성재동
- 优先权： JPJP-P-2012-192420 2012-08-31
- 主分类号： H01L21/265
- IPC分类号： H01L21/265 ; C23C14/48 ; H01J37/304 ; H01J37/317
公开/授权文献:
- KR102226097B1 이온주입 방법 및 이온주입 장치 公开/授权日：2021-03-09
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/263 | .....带有高能辐射的 |
| ------------------H01L21/265 | ......产生离子注入的 |