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    • 4. 发明公开
    • 탄소나노튜브를 이용한 연료전지의 전극용 백금촉매제조방법
    • 通过使用碳纳米管生产燃料电池用铂催化剂的方法
    • KR1020040025987A
    • 2004-03-27
    • KR1020020056478
    • 2002-09-17
    • 유지범
    • 유지범
    • H01M4/88B82Y30/00
    • PURPOSE: Provided is a process for producing a platinum catalyst for an electrode of a fuel cell by using a carbon nano tube, which can improve the reactivity of the electrode of the fuel cell by reducing a particle diameter of the platinum catalyst to several nanometer or less. CONSTITUTION: The process contains the steps of: depositing a platinum(Pt) membrane on a silicon substrate, wherein the platinum membrane has a thickness of 10-50 angstrom; etching the platinum membrane with an etching gas to roughen the surface of the platinum membrane, wherein the etching gas is ammonia(NH3); growing the carbon nano tube to adsorb the platinum catalyst uniformly to the carbon nano tube by precipitating the platinum catalyst having a size of several tens nanometer or less by supplying a reactive gas and the etching gas to the platinum membrane.
    • 目的:提供一种通过使用碳纳米管制造燃料电池用电极用铂催化剂的方法,该碳纳米管可以通过将铂催化剂的粒径降低至数纳米或者几纳米而提高燃料电池的电极的反应性 减。 构成:该方法包括以下步骤:在硅衬底上沉积铂(Pt)膜,其中铂膜的厚度为10-50埃; 用蚀刻气蚀刻铂膜,使铂膜的表面粗糙化,其中蚀刻气体为氨(NH 3); 通过向铂膜提供反应性气体和蚀刻气体,通过使尺寸为几十纳米或更小的铂催化剂沉淀而使碳纳米管均匀地吸附到碳纳米管上。
    • 5. 发明授权
    • 탄소나노튜브를 이용한 연료전지의 전극용 백금촉매제조방법
    • 소소법를
    • KR100459060B1
    • 2004-12-03
    • KR1020020056478
    • 2002-09-17
    • 유지범
    • 유지범
    • H01M4/88B82Y30/00
    • 연료전지의 전극용 백금촉매 제조방법이 개시된다. 개시된 백금촉매 제조방법은, 기판 상에 백금(Pt)막을 증착하는 제1단계와, 백금막을 에칭성 기체로 식각하여 백금막의 표면을 거칠게 하는 제2단계와, 백금막에 반응성 기체와 에칭성 기체를 공급하여 수십 nm 이하의 크기를 가지는 백금 촉매를 석출시켜 탄소나노튜브에 균일하게 흡착되도록 탄소나노튜브를 성장시키는 제3단계를 포함한다. 백금촉매를 수십 nm 이하의 크기로 작게 석출하여 탄소나노튜브에 균일하게 분산시켜 성장시킴으로써 연료전지의 전극의 반응성을 향상시켜 연료전지의 성능을 향상시킬 수 있다.
    • 目的:提供一种通过使用碳纳米管来制造用于燃料电池的电极的铂催化剂的方法,其能够通过将铂催化剂的粒径减小到几纳米来改善燃料电池的电极的反应性,或者 减。 构成:该方法包括以下步骤:在硅衬底上沉积铂(Pt)膜,其中铂膜的厚度为10-50埃; 用蚀刻气体蚀刻铂膜以使铂膜的表面粗糙化,其中蚀刻气体是氨(NH3); 通过向铂膜提供反应性气体和蚀刻气体,通过沉淀尺寸为几十纳米或更小的铂催化剂来生长碳纳米管以将铂催化剂均匀地吸附到碳纳米管。
    • 7. 发明公开
    • 갈륨나이트라이드 기판 및 그 제조방법
    • 氮化硅基板及其制造方法
    • KR1020000021336A
    • 2000-04-25
    • KR1019980040356
    • 1998-09-28
    • 유지범
    • 유지범백호선
    • H01L21/18
    • PURPOSE: A gallium nitride substrate and a manufacturing method thereof are to utilize the gallium nitride substrate as semiconductor electronic elements such as LED, LD etc., thereby reducing a manufacturing cost and providing an excellent crystalline. CONSTITUTION: A method comprises the steps of: preparing a silicon base(100) having a silicon plate; forming a first buffer layer(200) consisting of a compound having the lattice parameter close to the gallium nitride; growing a second buffer layer(300) consisting of the gallium nitride on the first buffer layer; and forming a thick film(400) of the gallium nitride on the second buffer layer.
    • 目的:氮化镓衬底及其制造方法是利用氮化镓衬底作为诸如LED,LD等的半导体电子元件,从而降低制造成本并提供优异的晶体。 构成:一种方法包括以下步骤:制备具有硅板的硅基(100); 形成由具有靠近所述氮化镓的晶格参数的化合物组成的第一缓冲层(200) 在第一缓冲层上生长由氮化镓组成的第二缓冲层(300); 以及在所述第二缓冲层上形成所述氮化镓的厚膜(400)。