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1. 发明授权

KR100610360B1 갈륨나이트라이드 기판 및 그 제조방법 失效
标题翻译：氮化镓衬底及其制造方法
公开(公告)号：KR100610360B1
公开(公告)日：2006-11-10
申请号：KR1019980040356
申请日：1998-09-28
申请人： 유지범
发明人： 유지범 , 백호선
IPC分类号： H01L21/18
摘要： 본 발명은, 갈륨나이트라이드기판 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 화합물반도체소자용 갈륨나이트라이드기판의 제조방법은, 실리콘플레이트를 갖는 베이스를 마련하는 단계와; 갈륨나이트라이드와 근접한 격자상수를 갖는 화합물로 된 제 1버퍼층을 형성하는 단계와; 상기 제 1버퍼층위에 갈륨나이트라이드의 제 2버퍼층을 성장시키는 단계와; 상기 제 2버퍼층위에 갈륨나이트라이드후막을 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, LED, LD 등 반도체전자소자 등으로 사용하기 적합하며 저렴하게 제조가능하고 결정질이 우수한 갈륨나이트라이드 기판 및 그 제조방법이 제공된다.

2. 发明公开

KR1020000021336A 갈륨나이트라이드 기판 및 그 제조방법 失效
标题翻译：氮化硅基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020000021336A
公开(公告)日：2000-04-25
申请号：KR1019980040356
申请日：1998-09-28
申请人： 유지범
发明人： 유지범 , 백호선
IPC分类号： H01L21/18
摘要： PURPOSE: A gallium nitride substrate and a manufacturing method thereof are to utilize the gallium nitride substrate as semiconductor electronic elements such as LED, LD etc., thereby reducing a manufacturing cost and providing an excellent crystalline. CONSTITUTION: A method comprises the steps of: preparing a silicon base(100) having a silicon plate; forming a first buffer layer(200) consisting of a compound having the lattice parameter close to the gallium nitride; growing a second buffer layer(300) consisting of the gallium nitride on the first buffer layer; and forming a thick film(400) of the gallium nitride on the second buffer layer.
摘要翻译：目的：氮化镓衬底及其制造方法是利用氮化镓衬底作为诸如LED，LD等的半导体电子元件，从而降低制造成本并提供优异的晶体。构成：一种方法包括以下步骤：制备具有硅板的硅基（100）; 形成由具有靠近所述氮化镓的晶格参数的化合物组成的第一缓冲层（200）在第一缓冲层上生长由氮化镓组成的第二缓冲层（300）; 以及在所述第二缓冲层上形成所述氮化镓的厚膜（400）。

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