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1. 发明申请

WO2010005157A1 마그네슘 합금의 성형성 증가 방법 审中-公开
标题翻译：改善镁合金的可塑性的方法
公开(公告)号：WO2010005157A1
公开(公告)日：2010-01-14
申请号：PCT/KR2009/000980
申请日：2009-02-27
申请人： 서울대학교산학협력단 , 한흥남 , 오규환 , 주영창 , 하석준 , 홍승희 , 김세종 , 서정 , 김정오 , 강희신
发明人： 한흥남 , 오규환 , 주영창 , 하석준 , 홍승희 , 김세종 , 서정 , 김정오 , 강희신
IPC分类号： C22F3/02 , C22F1/06
CPC分类号： C22F1/06 , B23K26/0084 , C21D1/09
摘要： 마그네슘 합금의 성형성 증가 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 마그네슘 합금의 성형성 증가 방법은 마그네슘 합금의 표면에 레이저를 조사(照射)하는 방식으로 고(高) 에너지를 공급함으로써 마그네슘 합금의 집합조직(texture)을 제어하는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：公开了一种提高镁合金成型性的方法。根据本发明，镁合金的成形性的提高方法通过在其上照射激光而向镁合金的表面提供高能量，从而可以控制镁合金的织构。

2. 发明申请

WO2011132971A2 장벽층을 갖는 범프를 포함하는 반도체칩 및 그 제조방법 审中-公开
标题翻译：半导体芯片，包括带有障碍层的保护膜及其制造方法
公开(公告)号：WO2011132971A2
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：PCT/KR2011/002898
申请日：2011-04-21
申请人： 재단법인 서울테크노파크 , 김성동 , 이후정 , 김은경 , 주영창 , 김구성
发明人： 김성동 , 이후정 , 김은경 , 주영창 , 김구성
IPC分类号： H01L23/12 , H01L21/60
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L21/4853 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0346 , H01L2224/03462 , H01L2224/0391 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05567 , H01L2224/05568 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/06181 , H01L2224/11009 , H01L2224/11464 , H01L2224/13025 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13124 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/13166 , H01L2224/13171 , H01L2224/13181 , H01L2224/14181 , H01L2224/16148 , H01L2224/16238 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/8181 , H01L2224/8182 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2225/06572 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01029 , H01L2924/01327 , H01L2924/12042 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/01007 , H01L2924/01028 , H01L2924/01023 , H01L2924/01074 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 제1 면 및 제2 면을 포함하는 제1 기판, 제1 기판을 관통하는 관통 비어 플러그, 및 관통 비어 플러그의 제1 면 쪽 단부에 연결되는 제1 도전층, 제1 도전층 상의 제1 장벽층 및 제1 기판과 제2 기판을 상호 접속하기 위한 제1 장벽층 상의 제1 솔더층을 포함하는 제1 범프를 포함하며, 제1 장벽층은 제1 도전층의 도전체가 제1 솔더층으로 확산되는 것을 억제하는 장벽 물질을 포함할 수 있다.
摘要翻译：半导体芯片可以包括：第一基板，包括第一表面和第二表面; 通过所述第一基板的通孔塞; 以及第一凸块，包括连接到所述通孔塞的第一表面上的端部的第一导电层，所述第一导电层上的第一阻挡层和所述第一阻挡层上的第一焊料层，以将所述第一基板和第二基板，其中第一阻挡层可以包括用于防止第一导电层的导体扩散到第一焊料层的阻挡材料。

3. 发明专利

KR20210028989A KR20210028989A - Method for manufacturing transition metal sulfide using Metal Organic Frameworks and porous transition metal sulfide manufactured thereby 审中-公开
公开(公告)号：KR20210028989A
公开(公告)日：2021-03-15
申请号：KR1020190110221A
申请日：2019-09-05
申请人： 서울대학교산학협력단
发明人： 주영창 , 안인경
IPC分类号： C01G51/00 , B01J27/043 , B01J35/10 , C25B1/04
CPC分类号： C01G51/30 , B01J27/043 , B01J35/1057 , B01J35/1061 , C25B1/04 , C01P2006/16
摘要： 본 발명의 일 관점에 따르면, 진공 분위기를 가지는 반응로 내에서 전이금속을 포함하는 금속유기골격체와, 고체 상태의 황이 기화된 기체 상태의 황을 반응시켜 전이금속 황화물을 제조하는 단계를 포함하는, 다공성 전이금속 황화물의 제조방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 전이금속 황화물을 제조하는 단계는, 상기 금속유기골격체와 상기 고체 상태의 황을 동일한 반응로 내에 배치시키는 단계; 상기 반응로를 적어도 상기 고체 상태의 황의 기화점보다 높은 온도로 가열하여 상기 고체 상태의 황을 기화시키는 단계; 및 상기 기화된 기체 상태의 황 및 상기 금속유기골격체를 상기 반응로에서 반응시키는 단계를 포함할 수 있다.

4. 发明公开

KR1020020074963A 멤즈소자의 가역적 밀봉 패키지 방법 失效
标题翻译：用于MEMS器件的可密封封装的方法
公开(公告)号：KR1020020074963A
公开(公告)日：2002-10-04
申请号：KR1020010015080
申请日：2001-03-23
申请人： 주영창
发明人： 주영창 , 민홍석
IPC分类号： H01L21/20
摘要： PURPOSE: A method for reversible sealing package of an MEMS(Micro Electro Mechanical System) device is provided to adhere easily a glass to a substrate by using a low temperature direct adhesion method. CONSTITUTION: A deep silicon etching process is performed on an upper portion of a 4 inch double side polished silicon substrate. A preparation process is performed to adhere a glass to the 4 inch double side polished silicon substrate. A cleaning process is performed during 10 minutes by using an SPM(Sulfuric-Perooxide-Mixture) rinse solution. The cleaning process is performed during 20 minutes by using RCA rinsing solution of 80 degrees centigrade. A rinsing process is performed by using deionized water. The adhering state between the glass and the silicon substrate is improved by performing a thermal process. The glass is separated from the silicon substrate.
摘要翻译：目的：提供一种用于MEMS（微机电系统）装置的可逆密封封装的方法，通过使用低温直接粘合方法将玻璃容易地粘附到基底上。构成：在4英寸双面抛光硅衬底的上部进行深硅蚀刻工艺。执行制备工艺以将玻璃粘附到4英寸双面抛光硅衬底上。使用SPM（硫酸 - 过氧化物 - 混合物）漂洗溶液在10分钟内进行清洁过程。通过使用80摄氏度的RCA冲洗溶液在20分钟内进行清洁处理。通过使用去离子水进行漂洗过程。通过进行热处理来提高玻璃与硅衬底之间的粘合状态。玻璃与硅衬底分离。

5. 发明申请

WO2021075638A1 전기화학적 CO2 환원용 촉매 구조체 및 그 제조방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2021075638A1
公开(公告)日：2021-04-22
申请号：PCT/KR2019/018039
申请日：2019-12-18
申请人： 서울대학교산학협력단
发明人： 주영창 , 이재찬
IPC分类号： B01J21/18 , B01J23/72 , B01J35/02 , B01J35/06 , B01J37/08 , C25B3/04 , C01B32/40 , C07C1/02
摘要： 본 발명의 일 관점에 따르면, 전기화학적 CO 2 환원용 촉매 구조체가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 전기화학적 CO 2 환원용 촉매 구조체는, 질소가 도핑된 탄소나노섬유; 및 상기 탄소나노섬유 상에 분포하는 Cu 입자를 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 Cu 입자와 계면을 이루는 영역의 탄소나노섬유의 적어도 일부는 피리딘 유사배열 구조를 가질 수 있다.

6. 发明授权

KR100418241B1 멤즈소자의 가역적 밀봉 패키지 방법 失效
标题翻译： 멤즈소자의가역적밀봉패키지방법
公开(公告)号：KR100418241B1
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：KR1020010015080
申请日：2001-03-23
申请人： 주영창
发明人： 주영창 , 민홍석
IPC分类号： H01L21/20
摘要： PURPOSE: A method for reversible sealing package of an MEMS(Micro Electro Mechanical System) device is provided to adhere easily a glass to a substrate by using a low temperature direct adhesion method. CONSTITUTION: A deep silicon etching process is performed on an upper portion of a 4 inch double side polished silicon substrate. A preparation process is performed to adhere a glass to the 4 inch double side polished silicon substrate. A cleaning process is performed during 10 minutes by using an SPM(Sulfuric-Perooxide-Mixture) rinse solution. The cleaning process is performed during 20 minutes by using RCA rinsing solution of 80 degrees centigrade. A rinsing process is performed by using deionized water. The adhering state between the glass and the silicon substrate is improved by performing a thermal process. The glass is separated from the silicon substrate.
摘要翻译：目的：提供一种用于MEMS（微机电系统）装置的可逆密封封装的方法，以通过使用低温直接粘合方法将玻璃容易地粘附到基板。构成：在4英寸双面抛光硅基片的上部进行深硅蚀刻工艺。执行准备过程以将玻璃粘附到4英寸双面抛光硅基板。通过使用SPM（硫酸 - 过氧化物混合物）冲洗溶液在10分钟内执行清洁过程。通过使用80摄氏度的RCA漂洗溶液在20分钟内执行清洁过程。漂洗过程通过使用去离子水来进行。通过执行热处理来改善玻璃和硅基板之间的粘附状态。玻璃与硅基板分离。

7. 发明申请

WO2013081347A1 유연성 소자용 부재 및 그 제조방법 审中-公开
标题翻译：柔性元件会员及其制造方法
公开(公告)号：WO2013081347A1
公开(公告)日：2013-06-06
申请号：PCT/KR2012/010055
申请日：2012-11-26
申请人： 서울대학교산학협력단 , 한국과학기술연구원
发明人： 주영창 , 최인석 , 문명운 , 김병준 , 정민석
IPC分类号： H01B5/14 , H01B13/00
CPC分类号： H01M4/0492 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01M4/0402 , H01M4/38 , H01M4/66
摘要： 본 발명은 일반 금속 전극의 반복 굽힘 변형시 유연성 전극의 전기적 기계적 특성 저하를 유발하는 피로 파괴를 피하기 위해 나노홀 구조를 가지는 구리 전극을 나노기둥 형태의 폴리머 기판을 이용하여 제작하였다. 나노홀 구조는 전위의 소멸 때문에 파괴 시작을 억제하고 크랙 끝은 뭉툭하게 함으로써 손상의 전파를 늦추게 된다. 따라서 나노홀 전극은 굽힘 피로 시험 시 매우 낮은 전기 저항 변화를 나타냈다.
摘要翻译：本发明是利用纳米柱状聚合物基材制造具有纳米孔结构的铜电极，以避免疲劳断裂，当通常的金属电极通过重复弯曲而变形时，柔性电极的电气和机械特性降低。纳米孔结构抑制由于电位的耗散引起的疲劳开始，并且通过平滑裂纹的结束来延迟损伤的传播。因此，纳米孔电极在弯曲疲劳试验中显示出非常小的电阻变化。

8. 发明授权

KR100386954B1 유리와 실리콘 기판의 저온 직접접합방법 失效
标题翻译： 유리와실리콘기판의저온직접접합방법
公开(公告)号：KR100386954B1
公开(公告)日：2003-06-09
申请号：KR1020000068485
申请日：2000-11-17
申请人： 주영창
发明人： 주영창 , 민홍석 , 송오성
IPC分类号： H01L21/02
摘要： PURPOSE: A method for directly bonding glass and a silicon substrate at a low temperature is provided to improve efficiency of an anodic bonding process and to stably maintain a characteristic of a substrate. CONSTITUTION: Glass having a mirror surface and a single crystalline silicon are cleaned by using the first cleaning solution. The glass and the silicon are rinsed by using deionized water and are dried. After the glass and the silicon are cleaned by using the second cleaning solution, the glass and the silicon are rinsed by using deionized water and are dried. The mirror surface of the glass is directly bonded to the silicon in a clean room of class 100 or more. A heat treatment process is performed regarding the bonded glass and silicon substrate.
摘要翻译：目的：提供一种在低温下直接接合玻璃和硅衬底的方法，以提高阳极接合工艺的效率并稳定地保持衬底的特性。组成：使用第一种清洁溶液清洁具有镜面和单晶硅的玻璃。使用去离子水冲洗玻璃和硅并干燥。在通过使用第二清洁溶液清洁玻璃和硅之后，使用去离子水冲洗玻璃和硅并将其干燥。玻璃的镜面在100级以上的洁净室内直接与硅结合。对粘合的玻璃和硅基板执行热处理工艺。

9. 发明公开

KR1020020038324A 유리와 실리콘 기판의 저온 직접접합방법 失效
标题翻译：在低温下直接粘结玻璃和硅基材的方法
公开(公告)号：KR1020020038324A
公开(公告)日：2002-05-23
申请号：KR1020000068485
申请日：2000-11-17
申请人： 주영창
发明人： 주영창 , 민홍석 , 송오성
IPC分类号： H01L21/02
摘要： PURPOSE: A method for directly bonding glass and a silicon substrate at a low temperature is provided to improve efficiency of an anodic bonding process and to stably maintain a characteristic of a substrate. CONSTITUTION: Glass having a mirror surface and a single crystalline silicon are cleaned by using the first cleaning solution. The glass and the silicon are rinsed by using deionized water and are dried. After the glass and the silicon are cleaned by using the second cleaning solution, the glass and the silicon are rinsed by using deionized water and are dried. The mirror surface of the glass is directly bonded to the silicon in a clean room of class 100 or more. A heat treatment process is performed regarding the bonded glass and silicon substrate.
摘要翻译：目的：提供一种在低温下直接接合玻璃和硅衬底的方法，以提高阳极结合工艺的效率并稳定地保持衬底的特性。构成：通过使用第一清洁溶液清洁具有镜面和单晶硅的玻璃。玻璃和硅通过使用去离子水冲洗并干燥。在通过使用第二清洁溶液清洁玻璃和硅之后，通过使用去离子水冲洗玻璃和硅并干燥。在100级以上的洁净室内，玻璃的镜面直接与硅结合。对粘结玻璃和硅基板进行热处理。

10. 发明申请

WO2022250410A1 배선 형성 방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2022250410A1
公开(公告)日：2022-12-01
申请号：PCT/KR2022/007338
申请日：2022-05-24
申请人： 서울대학교산학협력단
发明人： 김철 , 강거산 , 이윤구 , 주영창
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/285
摘要： 본 발명의 일 실시예에 의한 배선 형성 방법은 제 1 금속원소를 도펀트로 함유하는 코발트 금속 모상을 준비하는 제 1 단계; 및 상기 제 1 금속원소를 도펀트로 함유하는 코발트 금속 모상을 열처리하여 상기 제 1 금속원소가 상기 코발트 금속 모상의 표면으로 확산되어 확산방지막을 형성하는 제 2 단계;를 포함한다.

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