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1. 发明授权

KR102210544B1 전자 시스템의 결함 분석 방법 有权
公开(公告)号：KR102210544B1
公开(公告)日：2021-02-01
申请号：KR1020150063622
申请日：2015-05-07
申请人： 삼성전자주식회사 , 이화여자대학교 산학협력단
发明人： 안장혁 , 박지현 , 최병주
IPC分类号： G06F11/30
摘要： 전자시스템의결함분석방법에서, 하드웨어를액세스하는시스템콜이, 상기시스템콜을실행하는코드및 모니터링정보를획득하는코드를포함하는후킹시스템콜로대체되고, 상기시스템콜을대신하여상기후킹시스템콜이호출될때, 상기후킹시스템콜을실행하여시스템콜 실행정보및 하드웨어성능정보를포함하는상기모니터링정보가획득되며, 상기모니터링정보에기초하여상기전자시스템의결함을분석하도록상기모니터링정보가기록된다. 이에따라, 결함검출을위한전용하드웨어없이하드웨어및/또는소프트웨어결함이효율적으로분석될수 있다.

2. 发明公开

KR1020160061237A 전자 시스템의 결함 분석 방법 审中-实审
标题翻译：分析电子系统故障的方法
公开(公告)号：KR1020160061237A
公开(公告)日：2016-05-31
申请号：KR1020150063622
申请日：2015-05-07
申请人： 삼성전자주식회사 , 이화여자대학교 산학협력단
发明人： 안장혁 , 박지현 , 최병주
IPC分类号： G06F11/30
摘要： 전자시스템의결함분석방법에서, 하드웨어를액세스하는시스템콜이, 상기시스템콜을실행하는코드및 모니터링정보를획득하는코드를포함하는후킹시스템콜로대체되고, 상기시스템콜을대신하여상기후킹시스템콜이호출될때, 상기후킹시스템콜을실행하여시스템콜 실행정보및 하드웨어성능정보를포함하는상기모니터링정보가획득되며, 상기모니터링정보에기초하여상기전자시스템의결함을분석하도록상기모니터링정보가기록된다. 이에따라, 결함검출을위한전용하드웨어없이하드웨어및/또는소프트웨어결함이효율적으로분석될수 있다.
摘要翻译：在用于分析电子系统的故障的方法中，通过包括执行系统呼叫的代码和获取监视信息的代码的挂接系统调用代替访问硬件的系统调用，所述监视信息包括系统调用执行信息和硬件性能当呼叫系统呼叫而不是系统呼叫时执行挂机系统呼叫获得信息，并且记录监视信息以基于监视信息分析电子系统的故障。因此，可以有效地分析硬件和/或软件的故障，而不需要用于检测故障的专用硬件。

3. 发明授权

KR102166663B1 시스템 온 칩의 테스트 시스템 및 그것의 테스트 방법 有权
公开(公告)号：KR102166663B1
公开(公告)日：2020-10-19
申请号：KR1020140069370
申请日：2014-06-09
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신만영 , 안장혁
IPC分类号： G06F11/36 , G06F11/273

4. 发明授权

KR101711477B1 반도체 소자의 티디디비 테스트 구조 및 이를 이용한 티디디비 테스트 방법 有权
标题翻译：时间依赖介质击穿TDDB测试结构的半导体器件和TDDB测试方法使用相同
公开(公告)号：KR101711477B1
公开(公告)日：2017-03-14
申请号：KR1020100044059
申请日：2010-05-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 조용상 , 안장혁 , 문일화 , 이재영 , 김경환
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01R31/261 , G01R31/129
摘要： 본발명의반도체소자의티디디비테스트구조는두 개의전극사이에유전체층이형성된제1 테스트패턴을갖는제1 테스트셀과, 상기제1 테스트셀과떨어져서형성되고두 개의전극사이에유전체층이형성된제2 테스트패턴을갖는제2 테스트셀과, 티디디비테스트시상기제1 테스트셀과제2 테스트셀간에전기적으로상호간섭을방지할수 있는배리어영역을구비한다. 상기제1 테스트셀은상기반도체기판의제1 도전형의제1 웰상에형성되고, 상기제2 테스트셀은상기반도체기판의제1 도전형의제2 웰상에형성되고, 상기배리어영역은상기반도체기판의상기제1 웰및 제2 웰사이에형성되고상기제1 도전형과반대인제2 도전형의제3 웰이다.
摘要翻译：半导体器件的时间依赖介质击穿（TDDB）测试结构包括：具有第一测试图案的第一测试单元，其中在两个电极之间形成介电层; 第二测试单元，与第一测试单元间隔开，并具有第二测试图案，其中在两个电极之间形成介电层; 以及阻挡区域，被配置为在TDDB测试期间防止在第一测试单元和第二测试单元之间发生电干扰。

5. 发明公开

KR1020110124589A 반도체 소자의 티디디비 테스트 구조 및 이를 이용한 티디디비 테스트 방법 有权
标题翻译：时间依赖性介电破坏（TDDB）半导体器件的测试结构和TDDB测试方法
公开(公告)号：KR1020110124589A
公开(公告)日：2011-11-17
申请号：KR1020100044059
申请日：2010-05-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 조용상 , 안장혁 , 문일화 , 이재영 , 김경환
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01R31/261 , G01R31/129 , H01L22/12
摘要： PURPOSE: A TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown) test structure of a semiconductor device and a TDDB testing method are provided to shorten the measurement time of a TDDB test by measuring a plurality of test cells including a test pattern. CONSTITUTION: A first test cell(1) and a second test cell(3) are arranged on a substrate(10). The first test cell includes a first test pattern(23). The first test pattern includes a first dielectric layer(20a) and a first gate electrode(22a). A second test cell includes a second test pattern(25). The second test pattern includes a second dielectric layer(20b) and a gate electrode(22b).
摘要翻译：目的：提供半导体器件的TDDB（时间依赖介质击穿）测试结构和TDDB测试方法，以通过测量包括测试图案的多个测试单元来缩短TDDB测试的测量时间。构成：将第一测试电池（1）和第二测试电池（3）布置在衬底（10）上。第一测试单元包括第一测试图案（23）。第一测试图案包括第一介电层（20a）和第一栅电极（22a）。第二测试单元包括第二测试图案（25）。第二测试图案包括第二介质层（20b）和栅电极（22b）。

6. 发明公开

KR1020100037807A 오버 슈트 전압의 산출 방법 및 그를 이용한 게이트 절연막열화분석방법 有权
标题翻译：用于制造在晶体管上提供的过电压电压的方法和使用其的门绝缘降解分析
公开(公告)号：KR1020100037807A
公开(公告)日：2010-04-12
申请号：KR1020080097096
申请日：2008-10-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김성수 , 신만영 , 안장혁 , 김성은 , 이남형 , 조용상
IPC分类号： G01R19/30 , G01R31/26 , H01L21/66
CPC分类号： G01R31/2623
摘要： PURPOSE: A method for producing an overshoot voltage supplied to a transistor and a gate insulation degradation analysis used the same are provided to easily calculate an overshoot voltage by using a time of supplying an input voltage and overvoltage out of the input voltage. CONSTITUTION: A first extraction value is corresponded to the multiply of acceleration elements. The acceleration elements are obtained in a test of the transistor. The transistor is formed on the wafer. The Transistor is employed in the circuit. The voltage out of the input voltage is received from the circuit. The time of supplying the voltage is calculated. A second extraction value is obtained by dividing the first extraction value with the supply time. The overshoot voltage is obtained by multiplying the second extraction value with the input value(S22).
摘要翻译：目的：提供用于产生提供给晶体管的过冲电压的方法和使用其的栅极绝缘劣化分析，以便通过使用从输入电压提供输入电压和过电压的时间来容易地计算过冲电压。构成：第一提取值对应于加速度元素的乘法。在晶体管的测试中获得加速元件。晶体管形成在晶片上。晶体管用于电路。从电路接收输入电压的电压。计算供电时间。通过将第一提取值与供给时间相除来获得第二提取值。通过将第二提取值与输入值相乘来获得过冲电压（S22）。

7. 发明授权

KR101478554B1 오버 슈트 전압의 산출 방법 및 그를 이용한 게이트 절연막열화분석방법 有权
标题翻译：用于产生晶体管提供的过冲电压的方法和栅极绝缘劣化分析使用相同
公开(公告)号：KR101478554B1
公开(公告)日：2015-01-06
申请号：KR1020080097096
申请日：2008-10-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김성수 , 신만영 , 안장혁 , 김성은 , 이남형 , 조용상
IPC分类号： G01R19/30 , G01R31/26 , H01L21/66
CPC分类号： G01R31/2623
摘要： 본 발명은 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있는 오버 슈트 전압 산출방법 및 그를 이용한 게이트 절연막 열화분석방법을 개시한다. 그의 열화분석방법은 회로에 설계되는 트랜지스터에 인가되는 입력 전압과, 상기 입력 전압을 벗어나는 범위의 전압이 인가되는 시간을 이용하여 교류성분의 전압 스트레스에 기인하는 오버 슈트 전압을 산출하고, 상기 트랜지스터의 형성영역들간에 유도되는 유도 전압과 상기 오버 슈트 전압을 비교하여 상기 트랜지스터에서 게이트 절연막의 열화 또는 신뢰성을 판별토록 함으로써, 회로 설계 단계에서의 신뢰성을 보장토록 할 수 있기 때문에 생산성을 향상시킬 수 있다.
게이트 절연막, 신뢰성, 열화(degradation), 오버 슈트(overshoot), 스트레스(stress)

8. 发明公开

KR1020150096612A 시스템 온 칩의 테스트 시스템 및 그것의 테스트 방법 审中-实审
标题翻译： SOC测试系统及其测试方法
公开(公告)号：KR1020150096612A
公开(公告)日：2015-08-25
申请号：KR1020140069370
申请日：2014-06-09
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신만영 , 안장혁
IPC分类号： G06F11/36 , G06F11/273
摘要： 본 발명에 따른 복수의 시스템 온 칩들을 테스트하는 테스트 시스템은, 제공받은 테스트 케이스에 따라 장착되는 시스템 온 칩들 각각을 테스트하는 복수의 테스트 유닛들, 상기 테스트 유닛들 각각에 상기 테스트 케이스에 대응하는 레벨의 직류 전압을 공급하는 파워 서플라이, 상기 테스트 유닛들 각각에 상기 테스트 케이스에 따른 온도 제어 신호를 제공하고 상기 테스트 유닛들 각각으로부터 제공되는 상기 시스템 온 칩들 각각의 측정 온도를 모니터링하는 온도 제어부, 그리고 상기 복수의 테스트 유닛들 각각에서 테스트되는 상기 복수의 시스템 온 칩들 각각 구동 전압, 전류, 구동 주파수를 측정하여 분석하는 분석기를 포함하되, 상기 복수의 테스트 유닛들 각각은 상기 복수의 시스템 온 칩들 중 장착된 어느 하나에 대한 상기 테스트 케이스� � 적용하여 테스트하고, 상기 테스트 결과를 참조하여 상기 어느 하나의 시스템 온 칩에서 구동되는 소프트웨어의 불량 여부를 결정한다.
摘要翻译：根据本发明的测试芯片上的多个系统的测试系统包括测试沿着提供的测试用例安装的芯片上的每个系统的多个测试单元; 向每个测试单元提供与测试用例对应的电平的直流电压的电源; 温度控制部，其向所述测试单元提供所述测试用例上的温度控制信号;以及监视从每个测试单元提供的每个芯片系统的测量温度; 以及通过测量在每个测试单元上测试的每个片上系统的驱动电压，电流和驱动频率来分析的分析器，其中每个测试单元对安装在所述多个系统中的任何一个芯片上的任何人应用和测试所述测试用例，并且确定参考测试结果的任何一个芯片上的驱动软件的缺陷。

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