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1. 发明公开

KR1020120063318A 다층 전기활성 폴리머 디바이스 및 그 제조방법 有权
标题翻译：多层电活性聚合物装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120063318A
公开(公告)日：2012-06-15
申请号：KR1020100124438
申请日：2010-12-07
申请人： 삼성전자주식회사 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 최승태 , 권종오 , 박연정 , 박철민 , 최연식
IPC分类号： H01L41/193 , H01L41/083 , H01L41/45 , H01L41/187 , H01L41/29 , H01L41/27 , H01L41/047
CPC分类号： H01L41/0474 , H01L41/0478 , H01L41/0833 , H01L41/193 , H01L41/27 , H01L41/083 , H01L41/187 , H01L41/29 , H01L41/45
摘要： PURPOSE: A multilayer electro-active polymer device and a manufacturing method thereof are provided to minimize the reduction of a driving displacement of a multilayer EAP(Electro-Active Polymer) actuator by forming an active electrode with conductive polymer. CONSTITUTION: An EAP layer(111-118) is made of electro-active polymer. A protective layer(121-128) prevents foreign materials from penetrating through the EAP layer. An active electrode(131-138) is made of conductive materials. An extension electrode(141-148) is arranged in an inactive region. A connection electrode structure includes a plurality of inactive layers and common electrodes(151,152).
摘要翻译：目的：提供多层电活性聚合物器件及其制造方法，以通过形成具有导电聚合物的活性电极来最小化多层EAP（电活性聚合物）致动器的驱动位移的减小。构成：EAP层（111-118）由电活性聚合物制成。保护层（121-128）防止异物穿透EAP层。有源电极（131-138）由导电材料制成。延伸电极（141-148）布置在非活动区域中。连接电极结构包括多个非活性层和公共电极（151,152）。

2. 发明授权

KR101703281B1 다층 전기활성 폴리머 디바이스 및 그 제조방법 有权
标题翻译：多层电活性聚合物器件及其制造方法
公开(公告)号：KR101703281B1
公开(公告)日：2017-02-06
申请号：KR1020100124438
申请日：2010-12-07
申请人： 삼성전자주식회사 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 최승태 , 권종오 , 박연정 , 박철민 , 최연식
IPC分类号： H01L41/193 , H01L41/083 , H01L41/45 , H01L41/187 , H01L41/29 , H01L41/27 , H01L41/047
CPC分类号： H01L41/0474 , H01L41/0478 , H01L41/0833 , H01L41/193 , H01L41/27
摘要： 다층전기활성폴리머디바이스와이의제조방법이개시된다. 다층전기활성폴리머디바이스는적층된복수의단위층(a plurality of unit layers)을포함한다. 그리고복수의단위층 각각은전기활성폴리머(Electro-Active Polymer)로형성된 EAP층, EAP층으로물질침투를방지하도록형성된보호층(protecting layer), 및전도성물질로형성된활성전극(active electrode)을포함한다. 활성전극은보호층상에형성되거나또는활성전극이먼저형성되고그 상부에보호층이형성될수도있다. 또는, 보호층이두 개의층으로구성된경우에활성전극은이 두개의보호층사이에개재될수도있다.
摘要翻译：提供了多层电活性聚合物（EAP）装置及其制造方法。多层EAP设备包括多个单元层。每个单元层包括由电活性聚合物（EAP）形成的EAP层（111-118），被配置为防止材料渗入EAP层的保护层（121-128）和有源电极（131-138）使用导电材料形成。保护层可以形成在有源层之下或活性层之上。有源电极可以介于两个保护层之间。

3. 发明公开

KR1020140090018A 블록 코폴리머 층의 패턴 형성 방법 및 패턴화된 구조물 审中-实审
标题翻译：块状共聚物层和图案结构的方法
公开(公告)号：KR1020140090018A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：KR1020130002220
申请日：2013-01-08
申请人： 삼성전자주식회사 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 김미정 , 한인택 , 허준 , 정성준 , 고행덕 , 박연정
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0002 , B82B3/00 , B82B3/0066 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , Y10T428/24802 , H01L21/0274 , H01L21/3122 , H01L51/05
摘要： Provided is a method of patterning a block copolymer layer, which comprises the steps of: providing a base material including a guide pattern; forming a block copolymer layer on the base material including the guide pattern; and inducing assembly of the block copolymer according to the guide pattern to form n/2 individual areas. The guide pattern includes a block copolymer patterning area having a 90 degrees deflection portion, wherein an outer apex and an inner apex of the 90 degree deflection portion are rounded to have a curvature radius of r1 and r2, respectively, and a width (W) of the patterning area and the curvature radius of r1 and r2 satisfy an inequation 1. In the inequation 1, n is an even number as the number of interfaces between the individual areas.
摘要翻译：提供一种图案化嵌段共聚物层的方法，其包括以下步骤：提供包括引导图案的基材; 在包括引导图案的基材上形成嵌段共聚物层; 并根据引导图案诱导嵌段共聚物的组装以形成n / 2个独立区域。引导图案包括具有90度偏转部分的嵌段共聚物图案化区域，其中90度偏转部分的外顶点和内顶点分别为圆形，其曲率半径分别为r1和r2，宽度（W）的图案化区域和曲率半径r1和r2满足不等式1.在不等式1中，n是单个区域之间的界面数量的偶数。

4. 发明授权

KR100873893B1 에칭 알루미늄 하부기판을 사용하는Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ） 기반 커패시터 및Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）기반 커패시터에서의 고온 안정성향상 방법 有权
标题翻译：使用P（VDF-TrFE）技术中的P（VDF-TrFE）技术在本发明的高性能场合中使用POF（VDF-TrFE）
公开(公告)号：KR100873893B1
公开(公告)日：2008-12-15
申请号：KR1020070047670
申请日：2007-05-16
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 박철민 , 강석주 , 박연정
IPC分类号： H01L27/105 , B82Y40/00
摘要： The etched aluminum bottom electrode having the pattern periodic and nono tophographic is used to improve the high-temperature stability of ferroelectric polarization in the capacitor. The etching aluminum bottom electrode having the nano-size surface structure of periodic and topographical form is used. A (VDF-TrFE) polymer thin film has the sandwich configuration between the different metallic electrodes. In case of using the etching aluminum bottom electrode, the thermal stability increases about 50 deg C and ferroelectricity can be maintained even in annealing of about 185 deg C. The surface of the etched aluminum bottom electrode has periodically the recessed semi-spherical bowl shape of nano-size.
摘要翻译：具有图案周期性和非星型图形的蚀刻铝底部电极用于改善电容器中铁电极化的高温稳定性。使用具有周期和形貌形式的纳米尺寸表面结构的蚀刻铝底部电极。（VDF-TrFE）聚合物薄膜在不同金属电极之间具有夹层结构。在使用蚀刻铝下电极的情况下，热稳定性增加约50摄氏度，并且即使在约185摄氏度的退火下也可以保持铁电性。蚀刻的铝下电极的表面周期性地具有凹陷的半球形碗状纳米尺寸。

5. 发明公开

KR1020080101214A 에칭 알루미늄 하부기판을 사용하는Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ） 기반 커패시터 및Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）기반 커패시터에서의 고온 안정성향상 방법 有权
标题翻译：基于使用蚀刻铝电极的P（VDF-TRFE）电容器和用于提高电容器的高温稳定性的方法
公开(公告)号：KR1020080101214A
公开(公告)日：2008-11-21
申请号：KR1020070047670
申请日：2007-05-16
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 박철민 , 강석주 , 박연정
IPC分类号： H01L27/105 , B82Y40/00
摘要： The etched aluminum bottom electrode having the pattern periodic and nono tophographic is used to improve the high-temperature stability of ferroelectric polarization in the capacitor. The etching aluminum bottom electrode having the nano-size surface structure of periodic and topographical form is used. A (VDF-TrFE) polymer thin film has the sandwich configuration between the different metallic electrodes. In case of using the etching aluminum bottom electrode, the thermal stability increases about 50 deg C and ferroelectricity can be maintained even in annealing of about 185 deg C. The surface of the etched aluminum bottom electrode has periodically the recessed semi-spherical bowl shape of nano-size.
摘要翻译：使用具有周期性和非图形图案的蚀刻铝底电极来提高电容器中铁电极化的高温稳定性。使用具有周期性和形貌形状的纳米尺寸表面结构的蚀刻铝底电极。 A（VDF-TrFE）聚合物薄膜在不同金属电极之间具有夹层结构。在使用蚀刻铝底电极的情况下，热稳定性增加约50摄氏度，并且即使在约185℃的退火中也可以保持铁电性。蚀刻铝底电极的表面周期性地具有凹入的半球形碗状纳米尺寸。

6. 发明授权

KR101056867B1 초저 표면거칠기를 갖는 강유전성 ＰＶＤＦ／ＰＭＭＡ 박막을 적용한 비휘발성 메모리 디바이스의 제조방법 有权
标题翻译：使用具有超低表面粗糙度的铁电PVDF / PMMA薄膜制造非易失性存储器件的方法
公开(公告)号：KR101056867B1
公开(公告)日：2011-08-12
申请号：KR1020090060214
申请日：2009-07-02
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 박철민 , 강석주 , 박연정 , 배인성
IPC分类号： H01L21/208 , H01L21/8247 , C08L33/12 , C08L27/16
摘要： 본 발명은 PVDF/PMMA 복합 박막을 제조함에 있어서, 커패시터나 전계효과트랜지스터 등의 다양한 디바이스에 적합하도록 초저 표면 거칠기(surface roughness)를 갖으면서, 강유전성 β 결정을 갖도록 하는 PVDF/PMMA 복합 박막의 제조방법을 제공한다. 또한 상기 PVDF/PMMA 박막을 적용한 다양한 커패시터 및 전계효과트랜지스터의 제조방법을 제공한다.
PVDF, PMMA, 박막, β 결정, 강유전성, 커패시터, 전계효과트랜지스터
摘要翻译：用于制造同时gateu的（表面粗糙度）制成的超低表面粗糙度的PVDF / PMMA复合薄膜，从而具有确定为适用于各种设备，例如在制备PVDF /聚甲基丙烯酸甲酯复合薄膜电容器和场效应晶体管的铁电β本发明的方法 Lt。本发明还提供了使用PVDF / PMMA薄膜制造各种电容器和场效应晶体管的方法。

7. 发明公开

KR1020100071284A 에피택시 결정성장 ＰＶＤＦ－ＴｒＦＥ 박막을 적용한 커패시터, ＦｅＦＥＴ 및 ＦｅＦＥＴ형 비휘발성 메모리 失效
标题翻译：电容器，FEFET和FEFET类型非易失性存储器，带有订购的PVDF-TRFE薄膜，由高通量外延电阻
公开(公告)号：KR1020100071284A
公开(公告)日：2010-06-29
申请号：KR1020080129943
申请日：2008-12-19
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 박철민 , 박연정 , 강석주
IPC分类号： H01L27/105
摘要： PURPOSE: A capacitor applying an epitaxial crystal growth PVDF-TrFE thin film, an FeFET and an FeFET type nonvolatile memory are provided to be efficiently used as an array of a ferroelectric capacitor by including a low driving voltage and a high temperature processing ability. CONSTITUTION: A bottom electrode is formed on a substrate. A single crystal PTFE film is formed on the upper side of the lower electrode. An epitaxial growth PVDF-TrFE ferroelectric film is formed on the upper side of the single PTFE film. An upper electrode is formed on the upper side of the epitaxial growth PVDF-TrFE ferroelectric film. The single crystal PTFE film is manufactured by a friction transfer process.
摘要翻译：目的：提供一种施加外延晶体生长PVDF-TrFE薄膜，FeFET和FeFET型非易失性存储器的电容器，通过包括低驱动电压和高温处理能力被有效地用作铁电电容器的阵列。构成：底部电极形成在基板上。在下电极的上侧形成单晶PTFE膜。在单个PTFE膜的上侧形成外延生长PVDF-TrFE铁电体膜。在外延生长PVDF-TrFE铁电体膜的上侧形成有上部电极。单晶PTFE薄膜通过摩擦转印工艺制造。

8. 发明公开

KR1020090131313A ＲＴＡ를 통한 스핀캐스팅된 ＰＶＤＦ 박막의 β 결정화방법 无效
标题翻译：旋转铁氧体（POLYLIDENE FLUORIDE）薄膜通过快速热退火
公开(公告)号：KR1020090131313A
公开(公告)日：2009-12-29
申请号：KR1020080057120
申请日：2008-06-18
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 박철민 , 강석주 , 박연정
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/324 , H01L21/02118 , H01L21/02628
摘要： PURPOSE: A beta crystallization method of a PVDF(Poly Vinylidene Fluoride) thin film is provided to obtain ferroelectric by changing alpha crystal or gamma crystal structure of a spin-cast PVDF thin film into a beta crystal structure. CONSTITUTION: A PVDF thin film is manufactured by spin-casting a PVDF solution on an Au substrate. Thickness of the PVDF thin film is 10~500nm. The PVDF solution is formed by melting PVDF to a polar solvent. The polar solvent is one of DMF(Dimethylformamide) and DMSO(Dimethyl sulfoxide). RTA(Rapid Thermal Annealing) about the spin-cast PVDF thin film is performed at a temperature of 80~160°C and a heating speed more than 30°C/minute.
摘要翻译：目的：提供PVDF（聚偏二氟乙烯）薄膜的β结晶方法，通过将旋转PVDF薄膜的α晶体或γ晶体结构改变为β晶体结构来获得铁电体。构成：通过将PVDF溶液旋涂在Au基底上制造PVDF薄膜。 PVDF薄膜的厚度为10〜500nm。 PVDF溶液通过将PVDF熔融成极性溶剂而形成。极性溶剂是DMF（二甲基甲酰胺）和DMSO（二甲基亚砜）之一。关于旋转PVDF薄膜的RTA（快速热退火）在80〜160℃的温度和超过30℃/分钟的加热速度下进行。

9. 发明授权

KR100806699B1 마이크로임프린팅을 이용한 ＰＶＤＦ 박막의 강유전성 패턴어레이를 제조하는 방법 有权
标题翻译：通过微印制造PVDF的铁电图案阵列的方法
公开(公告)号：KR100806699B1
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：KR1020060074049
申请日：2006-08-07
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 박철민 , 강석주 , 박연정 , 정희준
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 본 발명은 α크리스탈 구조의 PVDF 박막의 강유전성 발현 방법에 있어서,
기판 위에 PVDF 용액을 스핀코팅하여 PVDF 박막을 제조하는 단계(I); 스핀코팅된 PVDF 박막 위에 패턴화된 마이크로몰드를 접촉시키는 단계(II); 및 상기 PVDF 박막 및 마이크로몰드를 함께 가압 및 가온을 하여, PVDF 박막의 α 크리스탈을 γ크리스탈로 변화시키는 단계(III)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로임프린팅을 이용한 PVDF 박막의 강유전성 패턴 어레이를 제조하는 방법을 제공한다.
본 발명의 방법은 마이크로임프린팅 기법과 가압 및 가온을 통해, PVDF 박막의 상유전특성(para-electric)을 갖는α 크리스탈을 강유전성 γ 크리스탈로 트랜스폼할 수 있으며, 또한, 토포그래픽(tophographic)하게 패턴화된 마이크로몰드로 PVDF 박막을 마이크로임프린팅, 가압 및 가온하는 경우, 마이크로몰드로 가압된 영역에서만 선택적으로 강유전체 γ 크리스탈로 트랜스폼되어, 토포그래픽(tophograhic)한 PVDF 패턴어레이를 생산할 수 있다.
PVDF, 마이크로임프린팅, 강유전성, α크리스탈, β크리스탈, γ크리스탈

10. 发明公开

KR1020110002641A 초저 표면거칠기를 갖는 강유전성 ＰＶＤＦ／ＰＭＭＡ 박막을 적용한 비휘발성 메모리 디바이스의 제조방법 有权
标题翻译：具有超低表面粗糙度的非线性PVDF / PMMF薄膜的制造方法和具有薄膜的非易失性存储器件
公开(公告)号：KR1020110002641A
公开(公告)日：2011-01-10
申请号：KR1020090060214
申请日：2009-07-02
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 박철민 , 강석주 , 박연정 , 배인성
IPC分类号： H01L21/208 , H01L21/8247 , C08L33/12 , C08L27/16
CPC分类号： H01L21/02271 , H01L27/11502 , H01L29/6684
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a poly-vinylidene fluoride(PVDF)/poly methyl methacrylate(PMMA) based thin film and a method for manufacturing a non-volatile memory device using the thin film are provided to obtain a high remanent-polarization property by applying the thin film to several components of a memory device including a capacitor and a field effect transistor. CONSTITUTION: A mixture solution of PMMA and PVDF is spin-coated to form a thin film. The spin-coated thin film is melted at a temperature which is higher than the melting point of the PVDF and the PMMA. The melted thin film is quenched. The quenched thin film is annealed. The annealing temperature is between 100 and 155 degrees Celsius. The ratio of the PMMA is between 10 and 20 weight% with respect to the total weight of the mixture solution.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造聚偏二氟乙烯（PVDF）/聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）基薄膜的方法和使用该薄膜制造非易失性存储器件的方法，以通过以下方式获得高残留极化性：将薄膜施加到包括电容器和场效应晶体管的存储器件的几个部件上。构成：将PMMA和PVDF的混合溶液旋涂以形成薄膜。旋涂薄膜在比PVDF和PMMA的熔点高的温度下熔化。熔化的薄膜被淬火。淬火的薄膜退火。退火温度在100和155摄氏度之间。 PMMA的比例相对于混合溶液的总重量为10至20重量％。

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