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1. 发明公开

KR1020100019935A 신너 조성물 및 이를 이용한 감광막의 형성 방법 有权
标题翻译：薄膜组合物及其形成感光膜的方法
公开(公告)号：KR1020100019935A
公开(公告)日：2010-02-19
申请号：KR1020090004874
申请日：2009-01-21
申请人： 삼성전자주식회사 , 동우 화인켐 주식회사
发明人： 이안호 , 최백순 , 안승현 , 김상태 , 김용일 , 성시진 , 이경호
IPC分类号： G03F7/32 , G03F7/42
CPC分类号： G03F7/425 , C11D7/266 , G03F7/039 , G03F7/0397 , G03F7/091 , G03F7/168 , G03F7/38 , G03F7/422
摘要： PURPOSE: A thinner composition is provided to improve solubility to various photosensitive materials and to cleanly remove edge bead attached to edge or rear side of a substrate without a photosensitive film applied on the front of a substrate. CONSTITUTION: A thinner composition comprises 50-90 weight% propylene glycol monomethyl ether acetate, 1-20 weight% propylene glycol monomethyl ether, 1-10 weight% gamma-butyrolactone, and 1-20 weight% n-butylacetate. The thinner composition has 0.2-0.8 relative volatility based on that of n-butylacetate. A method fro forming a photosensitive film comprises the steps of: (S120) applying a photosensitive resin composition on a substrate; and (S130) removing at least part of the photosensitive resin composition from the substrate by applying the thinner composition.
摘要翻译：目的：提供更薄的组合物以改善对各种感光材料的溶解性，并且清洁地除去附着于基材的边缘或背面的边缘珠，而不将光敏膜施加在基材的正面。构成：更薄的组合物包含50-90重量％的丙二醇单甲醚乙酸酯，1-20重量％的丙二醇单甲醚，1-10重量％的γ-丁内酯和1-20重量％的乙酸正丁酯。较薄的组成基于乙酸正丁酯的相对挥发度为0.2-0.8。形成感光膜的方法包括以下步骤：（S120）将感光性树脂组合物涂布在基材上; 和（S130）通过施加较薄的组合物从基材中除去至少部分感光性树脂组合物。

2. 发明公开

KR1020170066271A 실리콘계 수지 제거용 조성물 및 이를 이용한 기판의 씨닝 방법 审中-实审
标题翻译：用于去除有机硅树脂的组合物和使用该组合物稀释基材的方法
公开(公告)号：KR1020170066271A
公开(公告)日：2017-06-14
申请号：KR1020160164684
申请日：2016-12-05
申请人： 삼성전자주식회사 , 동우 화인켐 주식회사
发明人： 강인구 , 김성배 , 김수련 , 최백순 , 홍영택 , 김상태 , 김성민 , 이경호 , 홍형표
IPC分类号： C11D7/50 , C11D7/10 , H01L21/48
CPC分类号： C09D9/005 , B32B37/0046 , B32B43/006 , B32B2383/00 , B32B2457/14 , C09D9/04 , C09J183/04 , H01L21/31111 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/76898 , H01L25/0657 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
摘要： 본발명은실리콘계수지제거용조성물및 이를이용한기판의씨닝방법에관한것으로서, 더욱구체적으로는헤테로사이클릭용매및 하기화학식 1의불화알킬암모늄염을포함하는실리콘계수지제거용조성물이제공된다. 본발명의기술적사상에따른실리콘계수지제거용조성물을이용하면실리콘계수지의분해속도가우수하여반도체기판의이면연삭, 이면전극형성등의공정에서반도체기판에잔존하는실리콘계수지를효과적으로제거할수 있다. [화학식 1] (R)NF(식중에서, R은탄소수 1 내지 4의직쇄의알킬기임).
摘要翻译：本发明提供了一种用于将其涉及使用该组合物的基底，所述方法和用于去除基于硅的树脂，并且更具体euroneun杂环溶剂，并除去含有式（I）的组合物的氟代烷基铵盐的基于硅的树脂。通过使用该组合物根据本发明可除去残留在工序中的半导体基板上，如具有优异的半导体基板的背表面的硅系树脂的分解速率，研磨该聚硅氧烷树脂的技术特征去除基于硅的树脂，从而有效地形成背面电极。（R）NF（其中R是具有1至4个碳原子的直链烷基）。

3. 发明授权

KR101522903B1 신너 조성물 및 이를 이용한 감광막의 형성 방법 有权
标题翻译：使用其形成感光膜的较薄组成和方法
公开(公告)号：KR101522903B1
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：KR1020090004874
申请日：2009-01-21
申请人： 삼성전자주식회사 , 동우 화인켐 주식회사
发明人： 이안호 , 최백순 , 안승현 , 김상태 , 김용일 , 성시진 , 이경호
IPC分类号： G03F7/32 , G03F7/42
摘要： 다양한감광성물질에대하여향상된용해도를지니고감광막제조의여러공정단계에적용될수 있는신너조성물및 이를이용한감광막의형성방법에있어서, 신너조성물은프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 50 내지 90중량%, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 1 내지 20중량%, 감마부티로락톤 1 내지 10중량% 및노말부틸아세테이트 1 내지 20중량%를포함한다. 신너조성물은여러감광성물질에대한우수한용해도와적절한휘발도를지니고있어, 에지비드제거공정, 리워크공정또는감광막형성전에기판을프리웨팅하는공정등에유용하게사용될수 있다.

4. 发明专利

KR102233334B1 KR102233334B1 - Tin plating solution, Tin plating equipment and method for fabricating semiconductor device using the tin plating solution 有权
公开(公告)号：KR102233334B1
公开(公告)日：2021-03-29
申请号：KR1020140050742A
申请日：2014-04-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박명범 , 이진희 , 최백순 , 최정식
IPC分类号： C25D3/30
CPC分类号： C25D3/32 , C25D5/022 , C25D5/505 , C25D7/123 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0239 , H01L2224/0345 , H01L2224/03614 , H01L2224/0381 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05025 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05569 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11502 , H01L2224/11849 , H01L2224/119 , H01L2224/11901 , H01L2224/13016 , H01L2224/13017 , H01L2224/13019 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13025 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13169 , H01L2224/81191 , H01L23/3192 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2924/0105
摘要： 도금된 범프(bump)의 결정립(grain) 사이즈를 감소시켜 반도체 장치의 신뢰성을 개선할 수 있는 주석 도금액을 제공하는 것이다. 상기 주석 도금액은 가용성 주석 전극으로부터 공급되는 주석 이온, 탄소수 1 내지 10인 지방족 술폰산, 산화 방지제, 습윤제(wetting agent), 및 방향성 카보닐 화합물(Aromatic Carbonyl Compound)인 결정 성장 억제제(grain refiner)을 포함한다.

5. 发明公开

KR1020070076090A 반도체 제조용 가스 공급 장치 无效
标题翻译：用于制造半导体的气体供应装置
公开(公告)号：KR1020070076090A
公开(公告)日：2007-07-24
申请号：KR1020060005066
申请日：2006-01-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 손병우 , 최백순 , 조규철 , 정원덕 , 진혜영
IPC分类号： H01L21/02
摘要： A gas supplying apparatus for manufacturing a semiconductor is provided to stably supply a reactive gas to semiconductor equipment by controlling temperature and pressure in a gas container through a heat exchange with the reactive gas stored in the gas container. A gas container(100) supplies a reactive gas to a semiconductor manufacture apparatus. A heat exchange apparatus(300) controls temperature in the gas container through a heat exchange with the reactive gas stored in the gas container. The heat exchange apparatus includes a cooling water supplying unit(320), a hot water supplying unit(330), a pipe member(310), and a pump(340). The pipe member is installed on an external side of the gas container. Cooling water or hot water selectively supplied from the cooling supplying unit or the hot water supplying unit is circulated in the pipe member. The pump is arranged at an input terminal of the pipe member to provide flow pressure to the cooling water or the hot water introduced into the pipe member.
摘要翻译：提供一种用于制造半导体的气体供应装置，通过与储存在气体容器中的反应性气体的热交换来控制气体容器中的温度和压力来稳定地向半导体设备提供反应性气体。气体容器（100）向半导体制造装置供给反应性气体。热交换装置（300）通过与存储在气体容器中的反应气体的热交换来控制气体容器中的温度。热交换装置包括冷却水供给单元（320），热水供给单元（330），管构件（310）和泵（340）。管件安装在气体容器的外侧上。从冷却供给单元或热水供给单元选择供给的冷却水或热水在管构件中循环。泵配置在管件的输入端，为冷却水或导入管件的热水提供流动压力。

6. 发明公开

KR1020050019064A 포토레지스트의 스트립핑 방법 失效
标题翻译：通过在REWORK过程和EBR过程中使用具有优异剥离性能的稀释剂组合物剥离光刻胶的方法
公开(公告)号：KR1020050019064A
公开(公告)日：2005-02-28
申请号：KR1020040117881
申请日：2004-12-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 안승현 , 전상문 , 정회식 , 전미숙 , 배은미 , 최백순 , 장옥석
IPC分类号： G03F7/42
摘要： PURPOSE: A method is provided to strip various photoresists by using an inexpensive thinner composition having an excellent stripping property in a rework process and an EBR process. CONSTITUTION: The method contains the steps of: preparing the thinner composition, wherein the thinner composition comprises an acetic acid ester compound, a gamma-butyrolactone, and a non-acetate type ester compound or the thinner composition comprises an acetic acid ester compound, a gamma-butyrolactone, and a polyalcohol derivative; rotating a substrate coated with a photoresist at a first velocity and spraying the thinner composition on the substrate; and drying the thinner composition.
摘要翻译：目的：提供一种通过使用在返工过程和EBR工艺中具有优异的剥离性能的廉价的较薄组合物来剥离各种光致抗蚀剂的方法。方案：该方法包括以下步骤：制备较薄的组合物，其中较薄的组合物包含乙酸酯化合物，γ-丁内酯和非乙酸酯型酯化合物，或更薄的组合物包含乙酸酯化合物， γ-丁内酯和多元醇衍生物; 以第一速度旋转涂覆有光致抗蚀剂的基材并将更薄的组合物喷涂在基材上; 并干燥较薄的组成。

7. 发明公开

KR1020030051129A 신너 조성물 및 이를 사용한 포토레지스트의 스트립핑 방법 失效
标题翻译：薄膜组合物和使用其的剥离光刻胶的方法
公开(公告)号：KR1020030051129A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：KR1020020013631
申请日：2002-03-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 안승현 , 전상문 , 정회식 , 전미숙 , 배은미 , 최백순 , 장옥석
IPC分类号： G03F7/42
摘要： PURPOSE: Provided are a thinner composition and a method for stripping photoresist applied using the same, thereby it is possible to strip various kinds of photoresists applied on a substrate. CONSTITUTION: The thinner composition comprises 8 to 95 wt% of acetic acid ester compound, 0.1 to 13 wt% of gamma-butyro lactone and 3 to 80 wt% of a non-acetic acid ester compound. The acetic acid ester compound is at least one selected from the group consisting of normal butyl acetate, amyl acetate, ethyl acetoacetate and isopropyl acetate. The non-acetic acid ester compound is at least one selected from the group consisting of ethyl lactate, ethyl-3-ethoxy propionate and methyl-3-methoxy propionate. Also, the composition may comprise 42 to 90 wt% of normal butyl acetate, 1 to 13 wt% of gamma-butyro lactone and 5 to 45wt% of a polyol derivative.
摘要翻译：目的：提供一种更薄的组成和一种剥离使用其的光致抗蚀剂的方法，从而可以剥离施加在基底上的各种光致抗蚀剂。构成：较薄的组合物包含8至95重量％的乙酸酯化合物，0.1至13重量％的γ-丁内酯和3至80重量％的非乙酸酯化合物。乙酸酯化合物是选自乙酸正丁酯，乙酸戊酯，乙酰乙酸乙酯和乙酸异丙酯中的至少一种。非乙酸酯化合物是选自乳酸乙酯，3-乙氧基丙酸乙酯和3-甲氧基丙酸甲酯中的至少一种。此外，组合物可以包含42-90重量％的正丁酸丁酯，1至13重量％的γ-丁内酯和5至45重量％的多元醇衍生物。

8. 发明公开

KR1019990081117A 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크 및 컨디셔너, 그 디스크의 제조방법, 재생방법 및 세정방법 无效
标题翻译： CMP垫调节盘和调节器，盘的制造方法，回收和清洁方法
公开(公告)号：KR1019990081117A
公开(公告)日：1999-11-15
申请号：KR1019980014858
申请日：1998-04-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 조성범 , 최백순 , 김진성 , 최규상
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 본 발명은 연마패드의 컨디셔닝 효과를 향상시키는 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크 및 컨디셔너, 그 디스크의 제조방법, 재생방법 및 세정방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 컨디셔닝 디스크는 디스크 몸체의 표면 상에 연마그레인의 크기별로 구분되는 영역이 구획 형성되어 이루어진다.
본 발명에 의한 컨디셔닝 디스크의 제조방법은 디스크의 몸체에 접착막을 소정의 두께로 나누어 반복수행하여 형성한다. 또한, 상기 제생방법은 기 사용한 컨디셔닝 디스크의 몸체로부터 연마그레인을 탈리한 후, 상기 제조방법을 수행하는 것이다.
본 발명에 의한 컨디셔닝 디스크의 세정방법은 기 사용한 컨디셔닝 디스크를 불화수소 또는 비오이 용액에 담가 막질부산물을 제거하여 세정한다.
따라서, 연마패드의 컨디셔닝 능력과 수명이 향상되어 원가가 절감되는 효과가 있었다.

9. 发明公开

KR1019990058999A 인시튜 모니터링가능한 플라즈마 식각장치, 그 인시튜 모니터링방법, 플라즈마 식각챔버내의 잔류물 제거를 위한 인시튜 세정방법 失效
标题翻译：原位监测等离子体蚀刻设备，原位监测方法，用于去除等离子体蚀刻室中的残留物的原位清洁方法
公开(公告)号：KR1019990058999A
公开(公告)日：1999-07-26
申请号：KR1019970079194
申请日：1997-12-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 조성범 , 김학필 , 신은희 , 최백순
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 본 발명은 RGA-QMS(Residual Gas Analyzer - Quadrupole Mass Spectrometer)을 사용하여 폴리실리콘 플라즈마 식각공정 및 식각공정 수행 후 인시튜(in-situ)로 식각챔버내를 세정하는 공정 레시피 최적화에 관한 것이다.
본 발명의 식각장치는, 플라즈마를 이용한 식각챔버; 공정가스 공급수단; 폐가스를 펌핑수단에 의해 제거하는 폐가스 배기수단; 식각챔버에 연결되어 식각챔버내의 가스를 차압을 이용하여 샘플링하는 샘플링 매니폴드; 및 상기 샘플링 매니폴드로부터의 샘플링가스를 분석하는 가스분석기를 구비하며, 상기 샘플링 매니폴드로부터 가스를 인라인으로 샘플링하여 식각공정 및 세정공정의 공정레시피를 최적화한다.
따라서, 공정시간의 단축과 설비의 수명연장 및 생산성 향상의 효과가 있다.

10. 发明公开

KR1019990034410A 반도체소자 제조용 화학기상증착장치 및 이의 구동방법, 그 공정챔버 세정공정 레시피 최적화방법 失效
标题翻译：用于制造半导体器件的化学气相沉积装置，其驱动方法以及处理室清洁处理
公开(公告)号：KR1019990034410A
公开(公告)日：1999-05-15
申请号：KR1019970056009
申请日：1997-10-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최백순 , 안중일 , 김진성 , 김중기
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 본 발명은 RGA-QMS(Residual Gas Analyzer - Quadrupole Mass Spectrometer)을 사용하여 반도체 웨이퍼에 대한 특정의 공정 수행 후 인시튜(in-situ)로 공정챔버내를 세정하는 공정 레시피 최적화에 관한 것이다.
본 발명의 반도체소자 제조용 화학기상증착장치는, 공정챔버에 공정가스를 공급하기 위한 공정가스 공급라인; 공정수행 후의 폐가스를 제거하는 폐가스 배기라인; 공정챔버에 ClF
3 가스를 공급하기 위한 공급라인; 공정챔버내의 가스를 차압을 이용하여 샘플링하는 샘플링 매니폴드; 및 샘플링가스를 분석하는 RGA-QMS를 구비하며, RGA-QMS의 평가를 통하여 공정챔버 세정공정의 가스유량, 압력, 온도에 따른 엔드포인트의 최적화를 이룬다.
따라서, 공정시간의 단축과 설비의 수명연장 및 생산성 향상의 효과가 있다.

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