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1. 发明公开

KR1020060007838A 가스켓 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치 无效
标题翻译：用于制造使用其的半导体的垫片和装置
公开(公告)号：KR1020060007838A
公开(公告)日：2006-01-26
申请号：KR1020040057234
申请日：2004-07-22
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최성철
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02 , F16J15/08 , H01L21/67005
摘要： 가스켓 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치가 제공된다. 환형 몸체와 환형 몸체가 피삽입체 내에 삽입 고정되도록 환형 몸체 외주연에 형성된 돌기로 이루어진다.
가스켓, 진공펌프, 게이트 밸브, 진공챔버

2. 实用新型

KR2019940008768U 과전류 보호회로 失效
公开(公告)号：KR2019940008768U
公开(公告)日：1994-04-21
申请号：KR2019920017833
申请日：1992-09-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최성철
IPC分类号： H02M1/14

3. 实用新型

KR2019930007632U 플라이백 타려식 전원 장치의 노이즈 개선 회로 无效
标题翻译：反激驱动电源的噪声改善电路
公开(公告)号：KR2019930007632U
公开(公告)日：1993-04-26
申请号：KR2019910015690
申请日：1991-09-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최성철
IPC分类号： H02M1/14

4. 发明授权

KR100950664B1 기지국 제어기와 기지국간 아이유비 인터페이스 장치 및방법 有权
标题翻译：无线网络控制器与节点B之间的IUB接口的设备及其方法
公开(公告)号：KR100950664B1
公开(公告)日：2010-04-02
申请号：KR1020030008248
申请日：2003-02-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 문정용 , 최성철
IPC分类号： H04W24/00
摘要： 본 발명은 기지국 제어기와 기지국간 Iub(Interface between the RNC and the Node B) 인터페이스 장치에 있어서, 입력되는 프로세서간 통신 트래픽을 ATM(Asynchronous Transfer Mode, 비동기 전송 모드) 셀로 변환하며, 상기 변환된 ATM 셀을 ATM 역 다중화기의 특정 마스터 포트로 출력하는 셀 다중화기 & 역다중화기와, E1 프레이머들과 연결되는 다수의 포트들을 가지며, 상기 다수의 포트들을 다수의 그룹들로 그룹핑하며, 상기 다수의 그룹들 각각의 포트들중 어느 한 포트는 마스터 포트로 지정되며, 상기 다수의 그룹들중 특정한 제1그룹의 마스터 포트를 통해 입력되는 ATM 셀을 상기 제1그룹의 포트들 수로 분할하며, 상기 분할된 ATM 셀들을 상기 제1그룹의 포트들 각각으로 출력하는 상기 ATM 역 다중화기를 포함함을 특징으로 한다.
Iub 인터페이스, IMA, 송신 그룹, 수신 그룹

5. 发明公开

KR1020070031708A 충격 업소버 설치용 기구 无效
标题翻译：安装减震器的仪器
公开(公告)号：KR1020070031708A
公开(公告)日：2007-03-20
申请号：KR1020050086445
申请日：2005-09-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최성철
IPC分类号： H01L21/203
CPC分类号： C23C14/34 , H01L21/67017
摘要： 충격 업소버 설치용 기구를 제공한다. 상기 충격 업소버 설치용 기구는 케이스를 구비한다. 상기 케이스의 일 측벽을 관통하되, 일 단부가 상기 케이스 내에 위치하도록 길이 조절 로드가 배치된다. 상기 케이스의 타 측벽을 관통하되, 상기 케이스 내에 위치하는 길이 조절 로드의 일 단부를 가로지르도록 회전 조절 로드가 배치된다.
반도체 소자 제조장치, 충격 업소버, 충격 업소버 설치용 기구, 회전 조절 로드, 길이 조절 로드

6. 发明公开

KR1020040049906A 진공 챔버의 냉각수 제어 시스템 无效
标题翻译：真空室的冷却控制系统
公开(公告)号：KR1020040049906A
公开(公告)日：2004-06-14
申请号：KR1020020076873
申请日：2002-12-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최성철
IPC分类号： H01L21/02
摘要： PURPOSE: A coolant control system of a vacuum chamber is provided to control the temperature of the vacuum chamber by accurately controlling the quantity of the coolant supplied to a detour supply pipe and a control valve installed in the detour supply pipe even if a switch valve is closed to perform a high temperature process. CONSTITUTION: Coolant is circulated in a coolant tank(22). A supply pipe supplies coolant to the vacuum chamber(24), connected to the coolant tank. A collecting pipe sends the coolant passing through the vacuum chamber to the coolant tank, connected to the supply pipe. The switch valve(26) switches on/off the supply of the coolant to the vacuum chamber, installed in the supply pipe. The detour supply pipe(28) interconnects the supply pipes at both sides of the switch valve with respect to the switch valve. A control valve(21) accurately controls the quantity of the coolant supplied to the vacuum chamber through the detour supply pipe while the switch valve is closed, installed in the detour supply pipe.
摘要翻译：目的：提供真空室的冷却剂控制系统，以便通过精确地控制供应给绕行供应管的冷却剂的供应量和安装在迂回供应管中的控制阀来控制真空室的温度，即使开关阀为关闭进行高温过程。构成：冷却剂在冷却剂箱（22）中循环。供应管将冷却剂提供给连接到冷却剂箱的真空室（24）。收集管将通过真空室的冷却剂送到连接到供应管的冷却剂箱。开关阀（26）将冷却剂的供给开关于安装在供给管内的真空室。迂回供给管28将切换阀两侧的供给管相对于切换阀相互连接。控制阀（21）在切换阀关闭时通过迂回供给管精确地控制供给到真空室的冷却剂的量，该数量安装在绕行供给管内。

7. 发明公开

KR1019980057455A 고압 전원 공급 장치 无效
标题翻译：高压电源
公开(公告)号：KR1019980057455A
公开(公告)日：1998-09-25
申请号：KR1019960076745
申请日：1996-12-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최성철
IPC分类号： H02M7/42
摘要： 가. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
고압 전원 공급 장치
나. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
한 단자에 극성이 다른 2종류의 고압 전원을 공급하는 장치를 제공한다.
다. 발명의 해결 방법의 요지
직류전원을 공급받아 양의 고압 전원을 변환하는 제1고압발생부와 상기 교류전원을 공급받아 음의 고압 전원으로 변환하는 제2고압발생부로 구현되어, 상기 고압발생부로부터 상기 고압 전원을 교대로 공급받는다.
라. 발명의 중요한 용도
고압 전원 공급 장치에서 인가되는 제어신호에 응답하여 한단자에 두가지 극성의 전원을 공급할 수 있다.

8. 实用新型

KR2019940011226U 교류 전원 제어 회로 无效
标题翻译：交流电源控制电路
公开(公告)号：KR2019940011226U
公开(公告)日：1994-05-27
申请号：KR2019920020674
申请日：1992-10-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최성철
IPC分类号： H02M1/32 , H02M3/155

9. 发明公开

KR1020160043389A 플라즈마 처리 장치 审中-实审
标题翻译：等离子体加工装置
公开(公告)号：KR1020160043389A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：KR1020140137711
申请日：2014-10-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김학영 , 이지명 , 김지희 , 성덕용 , 정경석 , 최성철
IPC分类号： H05H1/34 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32119 , H01J37/321 , H01J37/32522 , H01J37/3299 , H01J37/3211 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32798 , H01Q1/366 , H05H1/46 , H05H2001/4667
摘要： 플라즈마처리장치가제공된다. 상기플라즈마처리장치는, 플라즈마처리가수행되는챔버의상부를덮는윈도우(window)와자기장을생성하는안테나(antenna) 사이에형성되는플레이트(plate); 및윈도우와안테나의온도를제어하기위한유체를제공하는유체공급부를포함하되, 플레이트는유체를제공받는제1 및제2 영역을포함하고, 유체공급부는제1 및제2 영역을각각독립적으로제어한다.
摘要翻译：本发明公开了一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：形成在覆盖室内顶部的窗口中进行等离子体处理的板与产生磁场的天线之间的板; 以及提供用于控制窗口和天线的温度的流体的流体供应单元。板包括接收流体的第一和第二区域，并且流体供应单元独立地控制第一和第二区域。本发明提供能够降低窗口的中心部分和周边部分之间的温度差的等离子体处理装置。

10. 发明公开

KR1020120041427A 플라즈마 진단장치 및 그 제어방법 无效
标题翻译：等离子体诊断装置及其控制方法
公开(公告)号：KR1020120041427A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：KR1020100102874
申请日：2010-10-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 손길수 , 김수홍 , 김명운 , 조형철 , 최성철
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32917 , H01J37/32926 , H01J37/3299
摘要： PURPOSE: A plasma diagnostic apparatus and a control method thereof are provided to measure minute plasma changes of without changing the inside structure of a chamber by diagnosing the state of the plasma by using a signal flowing in an electrode which floats within the chamber. CONSTITUTION: A top electrode(12) which is provided on the inner side of a chamber part(10) is composed of a conductive material. A radio frequency generator generates plasma in inside the chamber part by applying radio frequency power to a bottom electrode(11). A frequency signal flows to a direct current generator through the top electrode. A low pass filter(20) is installed between the top electrode and the direct current generator. A current sensor senses the current in the frequency signal flowing from the top electrode to the direct current generator.
摘要翻译：目的：提供一种等离子体诊断装置及其控制方法，用于通过使用在室内漂浮的电极中流动的信号来诊断等离子体的状态而不改变室的内部结构来测量微小的等离子体变化。构成：设置在室部（10）的内侧的顶部电极（12）由导电材料构成。无线电频率发生器通过向底部电极（11）施加射频功率来在室部分内部产生等离子体。频率信号通过顶部电极流到直流发电机。在顶部电极和直流发电机之间安装有低通滤波器（20）。电流传感器感测从顶部电极流向直流发电机的频率信号中的电流。

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