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1. 发明公开

KR1020040022357A 반사-투과형 액정표시 장치 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：转移液晶显示器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020040022357A
公开(公告)日：2004-03-12
申请号：KR1020020053633
申请日：2002-09-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 차종환 , 민훈기 , 강진규 , 이대성
IPC分类号： G02F1/1335
CPC分类号： G02F1/133555 , G02B1/14 , G02F1/1343 , G02F1/1362 , G02F2203/09 , H01L29/786
摘要： PURPOSE: A transflective liquid crystal display and a method of fabricating the transflective liquid crystal display are provided to simultaneously form an embossing pattern and a contact hole of an organic passivation layer. CONSTITUTION: A transflective liquid crystal display includes an insulating substrate(110), a thin film transistor that has a gate electrode(112), the first and second electrodes(120,122) and an active pattern and is formed on the insulating substrate, and the first passivation layer(130) that is formed on the substrate including the thin film transistor and has a contact hole(145) for exposing the second electrode. The liquid crystal display further includes a transparent electrode(140) formed on the first passivation layer, the second passivation layer(132) that is formed on the first passivation layer and the transparent electrode and has a plurality of embossed portions, and a reflecting electrode(150) that is formed on the transparent electrode and has a transmission window(T) for exposing a portion of the transparent electrode.
摘要翻译：目的：提供透反液晶显示器和制造半透射型液晶显示器的方法，以同时形成有机钝化层的压花图案和接触孔。构成：半透射型液晶显示器包括绝缘基板（110），具有栅电极（112）的薄膜晶体管，第一和第二电极（120,122）和有源图案并形成在绝缘基板上，并且第一钝化层（130），其形成在包括薄膜晶体管的基板上，并具有用于使第二电极露出的接触孔（145）。液晶显示器还包括形成在第一钝化层上的透明电极（140），形成在第一钝化层和透明电极上并具有多个压花部分的第二钝化层（132）和反射电极（150），其形成在所述透明电极上并具有用于使所述透明电极的一部分露出的透射窗（T）。

2. 发明授权

KR100303446B1 액정표시장치용박막트랜지스터기판의제조방법 有权
公开(公告)号：KR100303446B1
公开(公告)日：2002-10-04
申请号：KR1019980045710
申请日：1998-10-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 차종환 , 장근하 , 이대성
IPC分类号： G02F1/136
摘要： 절연 기판 위에 게이트 배선을 형성하고, 그 위에 스퍼터 설비와 화학 기상 증착 설비가 일체로 형성되어 있는 장비를 이용하여 진공 상태에서 게이트 절연막, 비정질 규소층, 도핑된 비정질 규소층 및 크롬막을 연속으로 증착한다. 다음, 크롬막을 패터닝하여 데이터선, 소스 전극, 드레인 전극을 형성한 후, 도핑된 비정질 규소층과 비정질 규소층을 동시에 패터닝하고, 데이터선, 소스 전극, 드레인 전극을 식각 차단막으로 하여 노출되어 있는 도핑된 비정질 규소층을 식각한다. 이어서, 보호막을 증착하고, 접촉구를 형성하고, ITO를 증착하고 패터닝하여 화소 전극을 형성한다. 이렇게 하면, 자연 산화막이 형성되는 것을 방지할 수 있고 따라서 플루오르화 수소를 사용하는 세정 공정을 생략할 수 있어서 산화막이나 불순물로 인한 소스 전극 및 드레인 전극과 도핑된 비정질 규소층 사이의 접촉 불량을 방지하여 박막 트랜지스터의 동작 전류를 증가시킬 수 있음은 물론 공정 단순화에도 기여할 수 있다.

3. 发明授权

KR100864493B1 규소층의 표면 처리 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터기판의 제조 방법 失效
标题翻译：用于处理硅层表面的方法和使用其制造TFT阵列面板的方法
公开(公告)号：KR100864493B1
公开(公告)日：2008-10-20
申请号：KR1020020028668
申请日：2002-05-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 강진규 , 이건종 , 이대성 , 한상호 , 차종환 , 홍성수 , 민훈기
IPC分类号： H01L29/786
摘要： 본 발명은 규소층의 표면 처리 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 관한 것으로 규소층의 표면 처리 방법은 먼저 기판 위에 차단층을 형성하고, 차단층 표면을 오존 처리한다. 이후 차단층 위에 비정질 규소층을 형성한 후 비정질 규소층 표면을 오존 처리하여 이루어진다.
따라서 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판을 제조하면, 박막 트랜지스터의 전기적 특성 및 균일성이 향상되어 우수한 박막 트랜지스터 기판을 제조할 수 있다.
박막 트랜지스터 기판, 오존, 세정

4. 发明授权

KR100848097B1 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법 失效
标题翻译：一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法
公开(公告)号：KR100848097B1
公开(公告)日：2008-07-24
申请号：KR1020020026217
申请日：2002-05-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 차종환 , 민훈기 , 이대성
IPC分类号： G02F1/136
摘要： 우선, 절연 기판 위에 비정질 규소층을 적층하고 결정화 한 후, 패터닝하여 다결정 규소층을 형성하고, 다결정 규소층을 덮는 게이트 절연층위에 게이트 배선 및 유지 전극 배선을 형성한다. 이어, 다결정 규소층에 n형 또는 p형 불순물이 도핑된 소스 영역, 드레인 영역, 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역을 형성한 다음, 게이트 배선 및 유지 전극 배선 위에 제1 층간 절연층을 형성한다. 이어, 부분적으로 다른 두께를 가지는 감광막 패턴을 이용하는 사진 식각 공정으로 제1층간 절연층을 패터닝하여 소스 영역을 노출하는 제1 접촉구와 드레인 영역을 노출하는 제2 접촉구를 형성하면서 유지 전극 배선 상부의 일부를 식각하여 트렌치를 형성한다. 이어, 제1 층간 절연층 위에 제1 및 제2 접촉구를 통하여 소스 영역 및 드레인 영역과 각각 연결되는 데이터선과 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선을 형성한다. 이어, 데이터 배선을 덮는 제2 층간 절연층에 드레인 전극을 노출하는 제3접촉구를 형성하고, 제2 층간 절연층 위에 투명 도전막과 반사 도전막을 차례로 적층하고 패터닝하여 제3 접촉구를 통하여 드레인 전극과 연결되며 투명 도전막과 화소 영역에 개구부를 가지는 반사 도전막으로 이루어진 화소 전극을 형성한다.
박막 트랜지스터 기판, 투명 도전막, 반사 도전막, 감광막, 사진 식각 공정

5. 发明公开

KR1020020096613A 박막 트랜지스터 기판 및 그의 제조 방법 有权
标题翻译： TFT基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020020096613A
公开(公告)日：2002-12-31
申请号：KR1020010035303
申请日：2001-06-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 변재성 , 이건종 , 임현수 , 차종환 , 정배현
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： G02F1/13458 , G02F1/13439 , G02F2001/136236 , H01L29/4908
摘要： PURPOSE: A TFT substrate and a method for fabricating the same are provided to simplify a fabrication process of the TFT substrate by using an organic insulating layer print method. CONSTITUTION: A gate wire(22,24,26) including a gate line(22), a gate pad(24), and a gate electrode(26) and a common wire(27,28) including a common electrode line(27) and a plurality of common electrodes(28) are formed on an insulating substrate. A gate insulating layer is covered on the gate line(22), the gate electrode(26), and the common wire(27,28). A semiconductor pattern(42) is formed on the gate insulating layer. A plurality of resistant contact patterns are formed on the semiconductor pattern(42). A data wire is formed with a data line(62), a data pad(64), a source electrode(65), a drain electrode(66), a pixel electrode line(67), and a pixel electrode(68). A TFT is formed with the gate electrode(26), the source electrode(65), the drain electrode(66), the source electrode(65), and the semiconductor pattern(42) between the drain electrodes(66).
摘要翻译：目的：提供TFT基板及其制造方法，以通过使用有机绝缘层印刷方法简化TFT基板的制造工艺。构成：包括栅极线（22），栅极焊盘（24）和栅电极（26）的栅极线（22,24,26）和包括公共电极线（27）的公共电线（27,28））和多个公共电极（28）形成在绝缘基板上。栅极绝缘层覆盖在栅极线（22），栅电极（26）和公共导线（27,28）上。半导体图案（42）形成在栅极绝缘层上。在半导体图案（42）上形成多个耐电接触图案。数据线由数据线（62），数据焊盘（64），源电极（65），漏电极（66），像素电极线（67）和像素电极（68）形成。在栅极电极（26），源电极（65），漏电极（66），源电极（65）和漏电极（66）之间的半导体图案（42）之间形成TFT。

6. 发明公开

KR1020000027712A 액정표시장치용박막트랜지스터기판의제조방법 有权
标题翻译：制造TFT基板的方法
公开(公告)号：KR1020000027712A
公开(公告)日：2000-05-15
申请号：KR1019980045710
申请日：1998-10-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 차종환 , 장근하 , 이대성
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： H01L27/124 , H01L27/12 , H01L27/1288
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing TFT substrate for LCD is provided to prevent the snapping of a wire of source/drain electrode, and to strengthen electrical connect between source/drain electrode and semiconductor layer. CONSTITUTION: A protecting film(700) is deposited and the deposited protecting film(700) is patterned using a fourth mask, and then a contact hole(710) is formed for exposing a drain electrode(620). An ITO layer is deposited on the protecting film(700) and the deposited ITO layer is patterned using a fifth mask, and then a pixel electrode(800) connected to the drain electrode(620) through the contact hole(710) is formed. Since the ITO is cut off in a groove type stepped difference portion(A) by an amorphous silicon layer(400) and a doped amorphous silicon layer(500) formed under a data line(630), a short between the pixel electrode(800) formed between the data line(630) is not occurred.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造用于LCD的TFT基板的方法，以防止源极/漏电极的引线的咬合，并且加强源极/漏极和半导体层之间的电连接。构成：沉积保护膜（700），并且使用第四掩模对沉积的保护膜（700）进行图案化，然后形成用于暴露漏电极（620）的接触孔（710）。在保护膜（700）上沉积ITO层，并使用第五掩模对沉积的ITO层进行构图，然后形成通过接触孔（710）连接到漏电极（620）的像素电极（800）。由于通过在数据线（630）下形成的非晶硅层（400）和掺杂非晶硅层（500）在沟槽型阶梯差分部分（A）中切断ITO，所以像素电极（800））不在数据线（630）之间形成。

7. 发明授权

KR100720099B1 박막 트랜지스터 기판 및 그의 제조 방법 有权
标题翻译：薄膜晶体管板及其制造方法
公开(公告)号：KR100720099B1
公开(公告)日：2007-05-18
申请号：KR1020010035303
申请日：2001-06-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 변재성 , 이건종 , 임현수 , 차종환 , 정배현
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： G02F1/13458 , G02F1/13439 , G02F2001/136236 , H01L29/4908
摘要： 본 발명은 박막 트랜지스터 기판 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 제조 공정을 단순화하기 위하여, 게이트 절연막 및 보호막을 유기 절연막 프린트 기법을 이용하여 형성한다. 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 기판에는 절연 기판; 절연 기판 위에 제1 방향으로 연장되는 게이트선 및 게이트선의 일단에 형성되는 게이트 패드를 포함하여 형성되는 게이트 배선; 절연 기판 위에 게이트 패드 및 게이트 패드에 인접한 게이트선 부분을 드러내도록 형성되는 게이트 절연막; 게이트 절연막 위에 형성되는 반도체 패턴; 게이트 절연막 위에 형성되는 게이트선에 교차하여 제2 방향으로 연장되는 데이터선, 데이터선에 연결되어 반도체 패턴에 접촉하는 소스 전극, 소스 전극에 대응하여 반도체 패턴에 접촉하는 드레인 전극 및 데이터선의 일단에 형성되는 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선; 게이트 절연막 위에 데이터 패드 및 데이터 패드에 인접한 데이터선 부분을 드러내도록 형성되는 보호막을 포함한다.
공정 단순화, 프린트 기법, 유기 절연 물질, 보호막, 게이트 절연막

8. 发明公开

KR1020060010126A 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법 无效
标题翻译：薄膜晶体管阵列及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060010126A
公开(公告)日：2006-02-02
申请号：KR1020040058722
申请日：2004-07-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 차종환
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： G02F1/136286 , G02F1/134363 , G02F1/1368 , G02F2001/136295 , H01L27/1214
摘要： 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법은 절연 기판 위에 게이트선 및 유지 전극선을 형성하는 단계, 게이트선을 덮는 게이트 절연막을 형성하는 단계, 게이트 절연막 위에 불순물이 도핑되지 않은 비정질 규소막, 불순물이 도핑된 비정질 규소막, 도전막을 순차적으로 적층하는 단계, 도전막의 소정 영역에 제1 영역의 두께가 제2 영역의 두께보다 두꺼운 감광막 패턴을 형성하는 단계, 감광막 패턴을 마스크로 제1 및 제2 영역을 제외한 영역의 도전막, 불순물이 도핑된 비정질 규소막, 불순물이 도핑되지 않은 비정질 규소막을 식각하여 반도체층을 형성하는 단계, 제2 영역의 감광막 패턴을 제거한 후 제2 영역의 도전막을 제거하여 데이터선, 드레인 전극을 가지는 화소 전극을 형성하는 단계, 제1 영역의 감광막 패턴을 제거한 후 반도체층 을 덮으며 화소 전극의 일부분을 노출하는 접촉구를 가지는 보호막을 형성하는 단계를 포함하고, 반도체층의 소정 영역을 제외하고 저항성 접촉 부재와 데이터선, 드레인 전극 및 화소 전극은 동일한 평면 패턴을 가지도록 형성한다.
박막트랜지스터, 수평전계

9. 发明公开

KR1020030090385A 규소층의 표면 처리 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터기판의 제조 방법 失效
标题翻译：用于处理硅层表面的方法和使用其制造薄膜晶体管基板的方法
公开(公告)号：KR1020030090385A
公开(公告)日：2003-11-28
申请号：KR1020020028668
申请日：2002-05-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 강진규 , 이건종 , 이대성 , 한상호 , 차종환 , 홍성수 , 민훈기
IPC分类号： H01L29/786
摘要： PURPOSE: A method for treating the surface of a silicon layer and a method for fabricating a thin film transistor substrate using the same are provided to eliminate particles of an interception layer and a silicon layer and change the surface characteristic of the interception layer and the silicon layer by ozone-treating the surface of the interception layer and the silicon layer. CONSTITUTION: The interception layer is formed on a substrate. The surface of the interception layer is ozone-treated. An amorphous silicon layer is formed on the interception layer. The surface of the amorphous silicon layer is ozone-treated. In the abovementioned ozone treatment, a cleaning process is performed by using O3 and a rinse process is performed by using deionized water.
摘要翻译：目的：提供一种处理硅层表面的方法和使用其制造薄膜晶体管基板的方法，以消除截取层和硅层的颗粒，并改变截取层和硅的表面特性层，通过臭氧处理截取层和硅层的表面。构成：在基板上形成截取层。拦截层的表面经过臭氧处理。在截取层上形成非晶硅层。非晶硅层的表面经过臭氧处理。在上述臭氧处理中，使用O 3进行清洗处理，通过使用去离子水进行漂洗处理。

10. 发明公开

KR1020030088560A 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법 失效
标题翻译：制造薄膜晶体管阵列基板的方法
公开(公告)号：KR1020030088560A
公开(公告)日：2003-11-20
申请号：KR1020020026217
申请日：2002-05-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 차종환 , 민훈기 , 이대성
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： G02F1/136 , G02F1/133553 , G02F2001/13625 , H01L27/1214 , H01L29/786
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a thin film transistor array substrate is provided to sufficiently secure maintenance capacitance while minimizing parasitic capacitance by slightly patterning first interlayer insulating layer on a maintenance electrode wire in forming contact holes. CONSTITUTION: A first interlayer insulating layer(801) formed of an insulating material having a low dielectric constant is formed on a gate insulating layer(140) where gate wires(123) and maintenance electrode wires(131,133) are formed. The first interlayer insulating layer includes a first contact hole(141) and a second contact hole(142) exposing a source area(152) and a drain area(154) respectively. The first interlayer insulating layer placed on the maintenance electrode wire(133) is thinner than other parts.
摘要翻译：目的：提供一种制造薄膜晶体管阵列基板的方法，以通过在形成接触孔中的维护电极线上略微图案化第一层间绝缘层来最小化寄生电容，从而充分确保维护电容。构成：在形成栅极线（123）和维护电极线（131,133）的栅极绝缘层（140）上形成由具有低介电常数的绝缘材料形成的第一层间绝缘层（801）。第一层间绝缘层包括分别暴露源极区域（152）和漏极区域（154）的第一接触孔（141）和第二接触孔（142）。放置在维护电极线（133）上的第一层间绝缘层比其它部分薄。

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