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1. 发明授权

KR100183834B1 반도체 제조 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 처리 방법 失效
标题翻译：半导体制造装置及使用其的晶圆加工方法
公开(公告)号：KR100183834B1
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019960009576
申请日：1996-03-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 전승호 , 이상복 , 김동태
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/67051
摘要： 반도체 제조 장치에 대해 기재되어 있다. 이는 웨이퍼를 잡아주는 스핀 척, 스핀 척의 상단에 위치한 제1공급 노즐 및 스핀 척의 하단부와 연결된 제2공급 노즐, 제1 및 제2공급 노즐의 끝단에 각각 연결된 제1 및 제2화학용액 공급관, 제1 및 제2공급 노즐의 끝단에 각각 연결된 제1 및 제2탈이온수 공급관 및 제1공급 노즐의 끝단에 연결된 친수성화 용액 공급관을 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 소수성 물질을 친수성 물질로 바꾼 후 린스를 실시함으로써 소수성 물질과 친수성 물질의 경계면에서의 워터 마크 발생을 방지할 수 있다.

2. 发明公开

KR1019970030517A 세정액 순도 변화의 검출 제어 장치 无效
标题翻译：检测控制装置，用于改变清洁液的纯度
公开(公告)号：KR1019970030517A
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：KR1019950042860
申请日：1995-11-22
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김성근 , 전승호 , 김병완
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/66
摘要： 본 발명은 반도체 웨이퍼의 세정을 위한 생산설비에 있어서, DIW(DEIONIZED WATER) 순도 변화를 검출 및 제어하기 위한 것으로, 특히 검출수단에 의하여 첵크된 데이터가 이미 일정하게 입력된 스펙과 비교수단에 의하여 상호비교처리되어 기준이상시에 모니터링됨과 동시에 제어 수단을 통하여 웨이퍼 투입 작업의 중지 메시지가 통보되도록 하여 웨이퍼의 세정에 따른 우수한 수율이 유지되도록 한 웨이퍼용 세정액(DIW)순도 변와의 검출 제어 장치에 관한 것으로 울트라 필터의 출구단에 마련되어, 웨이퍼 세정액의 수율을 검출하여 일정한 데이터를 출력하는 검출 수단과, 상기 검출 수단에 의해 출력된 데이터가 모니터링될 수 있도록 설치된 FM S모니터에 있어서, 상기 모니터링되는 데이터 신호가 입력되어 이미 설정되어 있는 스펙과 비교하여 일정한 범 내에서 기준을 초과하면 중지 메시지를 발하는 비교 수단과, 상기 비교수단의 중지 메시지를 수신하여 웨이퍼의 투입이 중지되도록 명령을 발하며, 이 명령에 따라 중지 원인 및 재개원인이 모니터에 디스플레이 되도록 생산 설비 제어 수단을 구비하여 달성됨을 특징으로 하는 세정액(DIW)순도 변화의 검출제어장치.

3. 发明公开

KR1019970030429A 웨이퍼 세정공정의 결함개선 방법 失效
标题翻译：如何改善晶圆清洗过程中的缺陷
公开(公告)号：KR1019970030429A
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：KR1019950043288
申请日：1995-11-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신동민 , 전승호 , 고세종 , 김동태
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 본 발명은 반도체 소자의 제조장치에 관한 것으로 특히 웨이퍼의 세정시 표면의 소수성 상태에서 결합을 최소화할 수 있는 세정의 최적화 하기 위한 웨이퍼 세정공정의 결함개선 방법에 대한 것이다. 종래의 웨이퍼 세척장비는 세정단계에서 웨이퍼의 줄무늬 파티클에 의한 웨이퍼 결함이 발생하게 되고 이러한 결합이 후속공정에서 공정불량의 원인이 되는 문제점이 있었다. 본 발명은 상술한 문제점을 극복하기 위한 것으로 세척공정의 공정단계중 세척조의 새척용액에 담긴 웨이퍼를 꺼내는 웨이퍼의 로딩시 세척용액과 웨이퍼사이의 정전현상이 일어나지 않도록 로보트에 의해 웨이퍼가 세척액의 액면위로 올라오는 시점부터 완전히 올라오는데 소요되는 시간을 7∼10초로 설정하여 동작시킴으로서 공정시 발생하는 파티클의 결함을 억제하도록 한 것이다.

4. 发明授权

KR100156829B1 웨이퍼 세정공정의 결함개선 방법 失效
标题翻译：半导体波形清洗方法
公开(公告)号：KR100156829B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019950043288
申请日：1995-11-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신동민 , 전승호 , 고세종 , 김동태
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 본 발명은 반도체소자의 제조장치에 관한 것으로 특히 웨이퍼의 세정시 표면의 소수성 상태에서 결함을 최소화 할 수 있는 세정의 최적화 하기위한 웨이퍼 세정공정의 결함개선 방법에 관한 것이다.
종래의 웨이퍼 세척장비는 세정단계에서 웨이퍼의 줄무늬 파티클에 의한 웨이퍼 결함이 발생하게 되고 이러한 결함이 후속공정에서 공정불량의 원인이 되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상술한 문제점을 극복하기 위한 것으로 세척공정의 공정단계중 세척조의 세척용액에 담긴 웨이퍼를 꺼내는 웨이퍼의 로딩시 세척용액과 웨이퍼사이의 정전현상이 일어나지 않도록 로보트의 의해 웨이퍼가 세척액의 액면위로 올라오는 시점부터 완전히 올라오는데 소요되는 시간을 7~10초로 설정하여 동작시킴으로서 공정시 발생하는 파티클의 결함을 억제하도록 한 것이다.

5. 发明公开

KR1019980005976A 반도체 제조 공정 无效
公开(公告)号：KR1019980005976A
公开(公告)日：1998-03-30
申请号：KR1019960025925
申请日：1996-06-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 전승호 , 김성근 , 이상복 , 김병완
IPC分类号： H01L21/66

6. 发明公开

KR1019970067688A 반도체 제조 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 처리 방법 失效
公开(公告)号：KR1019970067688A
公开(公告)日：1997-10-13
申请号：KR1019960009576
申请日：1996-03-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 전승호 , 이상복 , 김동태
IPC分类号： H01L21/306
摘要： 반도체 제조 장치에 대해 기재되어 있다. 이는 웨이퍼를 잡아주는 스핀 척의 상단에 위치한 제1 공급 노즐 및 스핀 척의 하단부와 연결된 제2 공급 노즐, 제1 및 공급 노즐의 끝단에 각각 연결된 제1 및 제2 화학용액 공급관, 제1 및 제2 공급 노즐의 끝단에 각각 연결된 제1 및 제2 탈이온수 공급관 및 제1 공급 노즐의 끝단에 연결된 친수성화 용액 공급관을 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 소수성 물질을 친수성 물질로 바꾼 후 린스를 실시함으로써 소수성 물질과 친수성 물질의 경계면에서의 워터 마크 발생을 방지할 수 있다.

7. 发明公开

KR1019970022581A 웨이퍼상에 형성된 질화막의 제거 방법과 이에 사용되는 습식 식각 장치 无效
标题翻译：除去在晶片上形成的氮化膜和湿式蚀刻装置的方法
公开(公告)号：KR1019970022581A
公开(公告)日：1997-05-30
申请号：KR1019950037146
申请日：1995-10-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신동민 , 전승호 , 고세종 , 김태준
IPC分类号： G03F7/26
摘要： 본 발명은 반도체장치의 웨이퍼상에 형성된 질화막을 제거하는 방법과 이 방법에 사용되는 습식식각장치에 관한 것으로서, 스트리핑용액이 담겨겨 있는 용액조(10)와, 이 용액조로부터 상기 스트리핑용액을 뽑아내서 순환되게 하는 순환펌프(16)와, 이 순환펌프에 의해서 제공되는 스트리핑용액으로부터 파티클을 제거하는 필터(18)와, 파티클이 제거된 스트리핑용액을 가열하여 상기 용액조로 제공하는 인라인 히터(20)를 구비한 습식식각장치를 사용하여서, 상기 인라인 히터(20)의 소비전력을 적어도 두배로 상승시키는 단계와, 상기 파티클이 제거된 스트리핑용액의 온도를 상기 인라인 히터에 의해서 적정한 식각온도까지 급속히 상승시키는 단계를 포함한다. 상술한 본 발명의 질화막제거방법에 의하면, 질화막의 스트리핑용액인 인상용액의 경시변화를 상당히 개선할 수 있어서, 그 식각율을 적정수준으로 유지하면서 그 제거공정에 필요한 시간을 줄일 수 있다.

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